Пленки сопротивление

Для дистилляции, если т мало (близкокипящие смеси), определяющим является сопротивление в паровой пленке. Сопротивление в газовой пленке становится определяющим в следующих случаях 1) аб- [c.238]

Отношение плеч 1 рекомендуется брать от 10 I до 50 I в зависимости от порядка сопротивления пленки. Сопротивление подбирается так, чтобы ток, протекающий через ноль-гальванометр, был равен нулю. Результаты измерений заносятся в таблицу [c.301]

Если во время опытного нагнетания определяется повышение напора не только в скважине, но и в прискважинном затрубном пьезометре, то будет известна величина потери напора на пленке (сопротивление фильтра скважин считается малым). В этом случае параметр а находится из уравнения ( 111.33), т. е. [c.129]

При смешении поливинилхлорида и нитрата целлюлозы с более полярными эластичными материалами — бутадиен-ни-трильными каучуками, содержащими разное количество нитрильных групп, наблюдается совершенно иная картина. На рис. 212 и 213 представлены данные по сопротивлению разрыву и относительному удлинению при разрыве полученных пленок. Сопротивление разрыву поливинилхлорида составляет 600 кгс/сл 2, в то время как бутадиен-нитрильные каучуки — малопрочные полимеры (глава X). Поэтому совершенно естественно, что при добавлении бутадиен-нитрильного сополимера к поливинилхлориду прочность понижается. При этом прочность сополимеров, содержащих 49,8% нитрильных групп, изменяется практически аддитивно. По мере уменьшения количества полярных групп в сополимере отклонение от аддитивности увеличивается. Из рис. 213 следует, что эластичность пленок, полученных из смесей поливинилхлорида с бутадиен-нитрильным каучуком, содержащим много нитрильных групп, изменяется аддитивно (возрастает от поливинилхлорида к каучуку). При смешении поливинилхлорида с каучуками, содержащими небольшое количество нитрильных групп, эластичность пленки очень мала. [c.485]

Металлические пленки-проводники и пленки-сопротивления должны точно соответствовать заданному геометрическому узору, ибо они являются частью электроцепи микросхемы. Из-за вязкостного, а не молекулярного характера течения паров карбонилов использование обычно применяемого метода положения шаблона (теневой маски) не дает четких границ рисунков. Поэтому в случае карбонильного метода получения тонких металлических пленок применяется фотолитографический метод получения узора. Для этого подложка целиком металлизируется, затем на металл наносят кислотоупорную светочувствительную эмульсию с последующим экспонированием через негатив с требуемым узором и проявлением. Пробельные участки металлической пленки вытравливаются в ванне соответствующим травителем [370]. [c.219]

Стеклянные изоляторы. При газировании элементов в процессе длительных зарядов поверхность стеклянных сосудов и деревянных аккумуляторных баков покрывается проводящей пленкой. Сопротивление изоляции аккумуляторной батареи резко бы упало, если бы стеллажами не были [c.84]

Чувствительность металлопленочного болометра может быть повышена за счет применения полупроводниковой пленки. В этом случае тонкая стеклянная или слюдяная пластинка с одной стороны покрывается металлической пленкой, а с противоположной стороны— полупроводниковой пленкой. Болометр работает следующим образом. Металлическая пленка, сопротивление которой согласовано с волновым сопротивлением, поглощает энергию СВЧ и нагревается. Нагрев металлической пленки вызывает нагрев подложки и слоя полупроводника. Поскольку подложка имеет очень малую толщину, температура полупроводникового слоя с большей точностью соответствует температуре металлического слоя. [c.74]

Для электропроводящих полимерных материалов, используемых в виде пленок, в промышленности наряду с указанными параметрами широко используется параметр — сопротивление квадрата пленки, т. е. сопротивление участка пленки, имеющего равную длину и ширину. Сопротивление квадрата пленки определяется выражением кв=р1)/Л, где Л — толщина пленки. Сопротивление квадрата пленки — параметр, удобный для конструирования приборов, поскольку при малых толщинах пленки определение удельного сопротивления и толщины затруднено. Единица сопротивления квадрата пленки — Ом, в ряде случаев она обозначается условно Ом/квадрат или Ом/кв. [c.7]

Поглощающая пленка обычно изготавливается из нихрома или константана, и ее сопротивление изменяется очень незначительно во всем диапазоне измеряемых мощностей. В то же время сопротивление полупроводниковой пленки, изготовленной из германия, сильно зависит от температуры. Металлическая и полупроводниковая пленка имеют отдельные выводы, что позволяет либо отделить цепь индикации от цепи прогрева и замещения, либо объединить их, соединив последовательно металлическую пленку, сопротивление которой обычно составляет несколько сотен, с полупроводниковой пленкой, сопротивление которой достигает нескольких тысяч ом. [c.74]

Более совершенными являются сопротивления типа МЛТ (металлизированные лакированные теплостойкие, ГОСТ 7113—54). Они состоят из керамического основания, на которое нанесен тонкий слой металла, образующего токопроводящую пленку. Сопротивления типа МЛТ могут работать при температуре окружающего воздуха от —60 до -f-120° С, относительной влажности до 98% и давлении не ниже 40 мм рт. ст. Номинальная мощность сопротивлений составляет 0,25 0,5 1 и 2 вт. Номинальные значения сопротивлений лежат в пределах от 100 ом до 5,1 Мом для типа МЛТ-0,5 и от 100 ом до 10 Мом для типа МЛТ-1.0 и МЛТ-2,0. [c.13]

Для дистилляции, если т мало (близкокипящие смеси), определяющим является сопротивление в паровой пленке. Сопротивление в газовой пленке становится определяющим в следующих случаях 1) абсорбция или десорбция хорошо растворимых газов 2) дистилляция близкокипящих смесей 3) испарение чистых жидкостей в движущийся инертный газ и конденсация жидкостей из инертного газа. [c.190]

Режим первый I (рис. 148) можно определить как режим смоченной тарелки . Он возникает при низких скоростях газа и жидкости. Жидкость контактирует с газом только на поверхности пленки. Сопротивление тарелки в этом режиме при постоянном орошении изменяется примерно пропорционально квадрату скорости газа (рис. 148). При различном орошении сопротивление тарелки в логарифмических координатах выражается в виде прямых, параллельных сопротивлению сухой тарелки и расположенных тем выше, чем больше орошение. [c.279]

В работе медленных фильтров различают 2 периода. Первый период фильтрования воды через слой еще не загрязненного (чистого) песка характеризуется относительно низкой степенью осветления воды и задержания бактерий. Второй период отвечает образованию фильтрующей пленки, характеризуется высокой степенью осветления и задержания находящихся в ней живых организмов и бактерий. Фильтрование на медленных фильтрах улучшается по мере засорения фильтрующей поверхности. Однако в зависимости от уплотнения фильтрующей пленки сопротивление фильтра возрастает, скорости фильтрации уменьшаются и наступает такая степень засорения фильтра, которая вызывает необходимость очистки загрязненного верхнего слоя песка. [c.123]

Для хорошо растворимых газов процесс абсорбции в основном определяется сопротивлением газовой пленки, сопротивлением же жидкой пленки можно пренебречь. [c.188]

Решение. Поскольку во время реакции на поверхности частицы образуется твердая, пленка, сопротивлением газовой пленки можно пренебречь. Если лимитиру- [c.354]

Для НК и пленки сопротивление, рассчитанное с помош,ью соотношений (799), отличается от точных численных результатов Дингла во всем интервале О < IJd < оо не более чем на 5%. [c.492]

Рассмотрим на примере кислорода основные этапы его транспорта к клеткам. К основным переходам, сопротивление которых оказывает влияние на скорость транспорта кислорода, относятся сопротивление пограничной газовой пленки сопротивление на границе раздела газ—жидкость сопротивление жидкостенной пленки сопротивление транспорту кислорода в жидкости сопротивление жидкостной пленки на границе раздела жидкость— клетка илн жидкость—агломерат. [c.87]

Палладие- вое То же 200-350 Н В э при 18 °С равн с пластмассам темные пленки сопротивление ектрическое сопротивление ) 10,8-10 Ом-см в контакте на покрытии образуются, увеличивающие переходное Обеспечение электропроводимости, снижение износостойкости контактов [c.372]

Многие исследователи изучали структуру конденсированных пленок при помощи электронного микроскопа. Большинство пленок состоит из агломератов, образованных миграцией атомов (обусловленной поверхностными силами) после того как атомы сконденсировались на поверхности. Наблюдаемая структура может объяснить электропроводность, оптические свойства и адсорбционную способность пленок. Электрическое сопротивление пленок, полученных испарением, так же как и катодным распылением, выше, чем у массивного металла. Возможно, что причиной этого является агломеративная структура пленок. Сопротивление алюминиевой пленки толщиной 0,00002 мм, полученной испарением, равно 2 10 ом см, в то время как для массивного металла оно составляет 2,8 10 ом см. [c.80]

Для низкопроводящих электросопротивлений величина удельного сопротивления должна быть равна или более 1-10 ом-см. Поэтому при изготовлении пленок-сопротивлений следует пользоваться смесью карбонилов Ы1(С0)4 и Сг(СО)в, позволяющей получать нихромовое сопротивление (р = Ы0 + ЫО" ом), а также смесью карбонилов Ре(С0)5 и М1(С0)4, при разложении которой образуются железоникелевые пленки с удельным oпpoтивJJeн eм 2-10- ол4 [401, 402]. [c.218]

Рост кристаллов в образовавшихся центрах кристаллизации зависит от скорости оседания на повер шости кристалла растворенного вещества. Скорость оседания растворенного вещества в значительной степени определяется скоростью диффузии (проникновения) растворенного вещества из маточного раствора к поверхности кристалла через пограничную жидко-твердую пленку. Сопротивление диффузии ограничено тонкой пленкой у поверхности кристалла, так как во всей остальной массе концентрация растворенного вещества равномерна. Незначительная вязкость раствора и интенсивное перемешивание ослабляют-сопротивление пленки, высокая вязкость и слабое перемешивание уменьшают скорость роста кристаллов, так как образующаяся [c.127]

Скорость оседания растворенного вещества на поверхности кристаллов в значительной степени определяется скоростью его диффузии (проникновения) к поверхности кристалла через пограничную пленку. Сопротивление диффузии ограничено тонкой пленкой на поверхности кристалла, так как во всей остальной масс е концентрация растворенного вещества равномерна. Незначительная вязкость и интенсивное перемешивание ослабляют сопротивление пленки высокая вязкость и слабое перемешивание уменьшают скорость роста кристаллов, так как образующаяся на поверхности кристаллов пленаа обладает увеличенным сопротивлением и создает неравномерную концентрацию раствора, приче.м у поверхности кристалла концентрация растворенного вещества оказывается меньшей, чем во всей массе раствора. Уменьшение градиента концентрации между раствором и пленкой приводит к уменьшению скорости диффузии. [c.138]

Адсорбцию аммиака изучали на пленках, полученных возгонкой золота в высоком вакууме (остаточноедавление4 -10- лш рт. ст.). Адсорбционный сосуд из стекла пирекс представлял собой цилиндрическую ампулу, в стенки которой были вплавлены платиновые проволоки для измерения сопротивления пленок. Сопротивление измерялось ламповым терраомметром Е6-3. Адсорбцию аммиака изучали методом натекания, который был использован нами ранее [12]. Давление измеряли при помощи калиброванной по аммиаку лампы ЛТ-2 и записывали на электронном потенциометре. Изотермы адсорбции аммиака при 25°С, полученные на одной из пленок, показаны на рис. 2. Из рисунка видно (кривая 2), что около 25% аммиака при 0,004 мм рт. ст. адсорбируется прочно (не удаляется откачкой при 25" С). После завершения первого натекания, соответствующего общей адсорбции (кривая /), которая складывается из прочной и обратимой частей, изме- [c.111]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология