Работа выхода монокристаллических

Работа выхода электронов поликристаллического молибдена ф = = 4,29 эВ. Анизотропия работы выхода монокристаллического молибдена гр. [c.381]

Даже в случае чистого монокристаллического эмиттера поверхность не образована только одной кристаллографической плоскостью, и для такой поверхности работа выхода, определенная из графика Фаулера —Нордхейма, представляет усредненную величину. Полная эмиссия с некоторой точки складывается из суммы токов с микроскопических областей, обладающих однородными характеристиками (обозначим их индексом г). Если приложены сильные поля и каждая область вносит свой вклад независимо, то [c.171]

Работа выхода электронов ф в вакууме при Г=2500 К для поликристаллов реиия ф=4,99 эВ для монокристаллического рения по кристаллографическим плоскостям [c.453]

МОЖНО, что на острие происходит поверхностная миграция атомов металла, которая вследствие тенденции кристалла приобрести равновесную форму приводит к образованию микроскопических кристаллических граней [213]. Если на эмитирующее острие, нагретое до температуры 1000—1500° С, конденсировать атомы вольфрама, то удается наблюдать [2116, 213] поверхностную миграцию этих атомов, которая происходит в определенных предпочтительных направлениях. Аналогичные явления наблюдаются при конденсации атомов никеля на никелевом эмитирующем острие [214], и поэтому, следуя Гомеру, можно принять, что монокристаллическое острие обладает сферической формой имеет небольшие кристаллические грани с малыми индексами, отделенные одна от другой промежуточными областями без острых ребер. Естественная шероховатость поверхности, по-видимому, оказывает довольно малое влияние на эмиссию электронов [215]. Все эти наблюдения, вероятно, указывают на то, что изменение работы выхода с переходом от одного кристаллографического направления к другому не обязательно связано с фактическим присутствием соответствующих этим направлениям граней на поверхности кристалла. Отсюда, вероятно, можно сделать вывод, что работа выхода завиоит от направления, в котором электрон покидает металл. В частности, в случае монокристалла вольфрама направлению [111], перпендикулярному грани 111 , соответствует более низкая работа выхода, чем направлению [ПО]. [c.123]

Джонсон И Шокли [224] нашли, что на поверхности монокристаллической нити вольфрама, ориентированной гранью 110 перпендикулярно оси нити и испускающей электроны при 2000° К, видны грани 111 и 100 . Это наблюдение находится в согласии с величинами работ выхода, приведенными в табл. 5. Если нагревать вольфрам до более низких температур в парах цезия, то на люминесцентном экране появляются другие грани, кристаллографический тип которых зависит от температуры. Например, при 900° С видны грани 211 , а при 850° С — грани ПО . Грани 211 адсорбируют цезий более прочно, чем грани ПО . При 700° К количество цезия, адсорбированного на этих двух гранях, уже превышает его количество, необходимое для получения максимальной эмиссии, и поэтому максимальной эмиссией Б этих условиях обладают другие окружающие их грани. Однако грани 100 и 111 еще не появляются, что, по-видимому, объясняется тем, что они не адсорбируют цезий при данной температуре и данном давлении паров цезия. Эти результаты полностью соответствуют значениям работ выхода, приведенным в табл. 5. Таким образом, чем выше работа выхода, тем сильнее адсорбируется цезий. Аналогичные,результаты были получены иа сферических монокристаллах вольфрама [225]. [c.125]

Измерено на монокристаллических проволоках методом цилиндрических конденсаторов. Работа выхода увеличивается при адсорбции на поверхности остаточных газов [c.131]

Очевидно, что загрязнение поверхности может серьезно влиять на поверхностные реакции и что выяснение глубокого механизма этих реакций требует проведения их на поверхностях, свободных от загрязнения. Поскольку чаще всего твердые тела, на которых протекают поверхностные реакции, являются кристаллическими, возникает дополнительный вопрос о влиянии расположения атомов в поверхностном монослое, причем на поверхности расположение может быть не таким, как в объеме. Однако, учитывая огромный интерес, проявляемый сейчас к изучению дефектов твердого тела, и весьма успешное применение этих понятий для объяснения многих наблюдений, можно ожидать, что в большинстве поверхностных реакций определяющим фактором являются дефекты кристаллической решетки. Таким образом, необходимо раздельно оценить роль дефектов поверхности и значение кристаллографических характеристик плоскостей поверхности в какой-либо определенной реакции. При этом для выяснения механизма требуется нечто большее, чем простое количественное определение их индивидуального вклада. Нужно, очевидно, чтобы эксперименты проводились на атомночистых монокристаллических поверхностях с известной структурой и плотностью дефектов. Эти требования налагают строгие ограничения на экспериментальные методы, которые могут быть использованы для получения необходимых сведений. Хотя никакой метод в отдельности не может обеспечить получения всей нужной информации, основную роль безусловно будет играть метод дифракции электронов низкой энергии (ДЭНЭ) в сочетании с определением работы выхода и другими методами, так как он наилучшим образом отвечает необходимости прежде всего убедиться в чистоте поверхности и определить ее структуру. [c.318]

Эйзингеру удалось связать наблюдавшиеся изменения работы выхода с числом молекул СО [78] и атомов N2 [79], адсорбированных на монокристаллической вольфрамовой ленте, поверхность которой была перпендикулярна к направлению (113). Величины ф для чистой и заполненной поверхностей вольфрама получали нз фаулеровских графиков или путем сравнения фототоков, образующихся при облучении вольфрамовой ленты монохроматическим светом с длиной волны от 1900 до 28С0 А. Число [c.109]

Приведенные в таблицах значения поверхностных потенциалов указывают на необходимость более тщательных экспериментов с использованием современных высоковакуумных методов и более соверщенных способов получения чистых металлических поверхностей, например ионной бомбардировкой с последующей проверкой чистоты поверхности методом дифракции электронов. Тем не менее результаты, полученные различными методами, включая эмиссионную электронную микроскопию, дают в общем согласующиеся сведения относительно знака и примерной величины поверхностных потенциалов. Важным достижением в области эксперимента явилась работа Эйзингера [78], который использовал метод вспыщек [137] для определения заполнения (числа молекул на 1 смР ) монокристаллической вольфрамовой лампы, поверхность которой нормаль-на к направлению [113], и фотоэлектрическим методом измерил работу выхода. Таким образом ему удалось связать изменение поверхностного потенциала с плотностью металлических атомов в данной плоскости кристалла. [c.147]

Другим способом исследования работы выхода электронов является метод холодной эмиссии в приложенном электрическом поле. Металлический адсорбент в виде тонкого острия с радиусом кри--визны порядка 500 А находится в электрическом поле напряженностью 10 в см. При этом поле вызывает такое уменьшение энергетического барьера на границе металл—вакуум, что электроны могут выходить наружу (туннельный эффет). Таким путем можно определять работу выхода электрона с разных плоскостей решетки, находящихся на поверхности монокристаллического острия. При адсорбции на острие различных газов можно наблюдать изменение работы выхода на различных участках поверхности [26]. Этот метод требует предварительного прокаливания острия в сверхвысоком вакууме при возможно более высокой температуре и поэтому применим лишь к тугоплавким металлам. Этим методом исследовали адсорбцию на вольфраме, молибдене, платине и никеле. [c.139]

При адсорбции заполняется не только внешняя, о и внутренняя поверхность металла, что придает ему способность потеть после контакта с ПАВ и удаления продукта с внешней поверхности металл снова способен выделять на свою внешнюю поверхность часть маслорастворимых ПАВ. После заполнения внутренней поверхности идет образование последующих внешних слоев. Первые внешние слои адсорбированных ПАВ весьма точно повторяют микрогеометрический профиль поверхности металла (эффект То-ланского). В дальнейшем благодаря ослаблению влияния поля металла углы между кристаллографическими осями в слоях ПАВ -сглаживаются до нуля, и дальнейший рост этих слоев осуществляется в монокристаллическом виде. При адсорбции физическое и химическое состояние поверхностей металла меняется на границе раздела фаз. Работу адсорбции в общем случае можно выразить 1как разность стандартных химических потенциалов ПАВ на поверхности раздела и в объеме среды (нефтепродукта) [40]. Адсорбция изменяет работу выхода электрона и свободную поверхностную энергию (поверхностное натяжение) металла. Скачок потенциала, связанный с адсорбцией ПАВ на металле, может быть подсчитан по формуле [c.22]

Эти данные для (111) эпитаксии серебра можно сопоставить с результатами работы Йегера [41], который исследовал серебро, напыленное на расщепленную грань (100) поваренной соли с последующим отжигом при 670 К, и получил довольно совершенную эпитаксиальную монокристаллическую (100) пленку серебра с такой же или несколько большей плотностью дислокаций, дефектов упаковки и когерентных границ двойников, чем у эпитаксиальных (111) пленок на слюде. Выход дефектов упаковки на поверхность приводил к появлению углублений [41]. [c.148]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология