Зависимость от пересыщения

Решение. Радиус г равновесного зародыша в зависимости от пересыщения системы определяется по уравнению Кельвина (I. И) [c.33]

Известно [430—431 ], что в зависимости от пересыщений дисперсионной среды могут образоваться различные кристаллические формы гидрата окиси кальция, а концентрация Са (ОН)а определяет основность и дисперсность кристаллогидратов — гидросиликатов и алюминатов кальция. Снижение энергии образования зародышей на подложке по сравнению со свободным объемом жидкости увеличивает число зародышей новых фаз и, следовательно, число контактов в дисперсии именно на ранней стадии структурообразования (рис. 90), что в свою очередь способствует упрочнению конденсационно-кристаллизационной структуры и оптимальному ускорению ее образования. Fla размер, габитус, направ- [c.181]

При росте по дислокационному механизму число точек роста возрастает с увеличением пересыщения (витки спиральных ступеней имеют тенденцию располагаться более плотно и переходят, как уже упоминалось, от полигональной к округлой форме). В результате для скорости процесса характерна нелинейная зависимость от пересыщения, причем эта зависимость типа степенной [c.34]

Рис. 1.9. Численная концентрация капель при адиабатическом расширении газа в зависимости от пересыщения в конце расширения /—рассчитана по формуле Френкеля 2—рассчитана по формуле Беккера И Деринга.

Рис. 1.7. Численная концентрация капель при адиабатическом расширении газа в зависимости от пересыщения в конце расширения

Моделирование одномерных кристаллов подтвердило правильность проведенного Черновым [259] анализа роста одномерной цепочки в разбавленном бинарном растворе. Для двумерного случая был исследован порядок распределения частиц по узлам решетки в зависимости от пересыщения для кристалла с составом 50/50. [c.499]

Ход процесса химической десублимации в общем виде определяется тремя стадиями химической реакцией, нуклеацией, ростом твердой фазы. В зависимости от пересыщения в системе может иметь значение и стадия коагуляции. [c.91]

В настоящее время экспериментальные данные еще не позволяют определить, происходит ли последовательная смена структур по типу аллотропических превращений из одного типа выделений к другому нли путем независимого образования зародышей. Не исключено, что в зависимости от пересыщения возможны оба механизма. Хотя в большинстве случаев появлению Г. П. [2] предшествует Г. П. [1], имеются примеры, когда Г. П. [c.352]

Рис. 16. Индукционные периоды растворов карбамида т в зависимости от пересыщения 5, температуры насыщения и скорости охлаждения в (в град/ч)

Изменение скорости роста массы кристалла в зависимости от пересыщения выражается уравнением вида [c.58]

Основным условием кристаллизации сульфата кальция в фосфорнокислых растворах является растворение фосфатного сырья в присутствии большого числа затравочных кристаллов. При этом зародышеобразование и рост кристаллов происходят параллельно. Получение крупных кристаллов в таких условиях возможно при сравнительно малых пересыщениях абсолютное пересыщение не должно превышать 20—40% [58—60]. Скорость кристаллизации сульфата кальция также находится в зависимости от пересыщения. [c.60]

При замещении А на 51 в структуре эттрингита образуется то-мазит. Возможен твердый раствор этой фазы с эттрингитом. Непрерывный твердый раствор с эттрингитом могут образовывать его аналоги, содержащие Ре и С1, возможно замещение анионных позиций 504 на ионы С1 с образованием фазы СзА-ЗСаСЬ-ЗОНгО. Кристаллы эттрингита в зависимости от пересыщения могут быть представлены длинными иглами, призмами, толстыми брусками. [c.309]

Эта связь была установлена лишь после того, как в 1934 г. Странским и мной было введено понятие средней работы отрыва , учитывающее отклонения от положения на половине кристалла , которые появляются в начале и в конце каждого ряда при растворении верхних слоев кристаллических граней. Этими отклонениями нельзя пренебрегать в случае кристаллов малых размеров. При помощи этого понятия стал возможен молекуляр-но-кипетический вывод основных термодинамических зависимостей, использованных в теории Фольмера, какими являются уравнения Томсона — Гиббса о давлении паров малых кристаллов уравнение Гиббса — Вульфа о равновесной форме кристаллов работы образования двумерных и трехмерных зародышей и другие. Мною и Странским, а впоследствии в более строгом — в математическом отношении — виде Беккером и Дёрипгом была дана молекулярно-кинетическая трактовка кинетики образования кристаллических зародышей и линейной скорости кристаллизации. Полученные при этом выражения содержат экспоненциальный член, в показателе которого фигурирует работа образования соответствующих зародышей в ее зависимости от пересыщения, [c.5]

Из уравнений (3.23) и (3.24) можно определить то значение а, которое необходимо для образования островков со скоростью Г, составляющей несколько микрометров в месяц. Как следует из кинетической теории газов, даже при заметных давлениях скорость Z не может значительно превышать 10 с . Для кристалла миллиметровых размеров отношение S/sq не может быть больше 10 , составляя, как правило, 10 . Отсюда легко вычислить, что предэкспоненциальный множитель в уравнении (3.23) должен быть порядка 10 —10 следовательно, чтобы скорость роста Г составляла около I мкм/мес, Ina должен быть равен хотя бы (ф/й7 )2/90. Отсюда видно, что при разумных значениях кТ отношение pIpo должно быть не менее 25—50% ). Фольмер и Шульце [5] показали, что при пересыщениях выше 1% скорость роста иода возрастает пропорционально пересыщению и измеряется десятыми долями миллиметра в час. Такие же высокие скорости роста с их линейной зависимостью от пересыщения [c.116]

Хорошее совпадение наблюдается между экспериментальными данными для продолжительности индукционного периода и выражением (19) для малых пересыщений. При этом авторы [7, 8] аппроксимируют экспериментальные данные зависимостью от уо вида О1+611п уо, что является хорошей аппроксимацией для 1 п у+ 1) в некотором узком диапазоне пересыщений. Влияние перемешивания, как следует из большинства экспериментальных данных [8], приводит к смещению аппроксимирующей зависимости на постоянную величину, т. е. к изменению коэффициента То же самое следует и из выражения (19), в рсотором перемешивание может изменить только значение толщины пограничного слоя б, не влияя на характер зависимости от пересыщения. [c.39]

Целью настоящей работы было изучение особенностей ристаллизации из водных растворов ароматических кис-от (бензойной, салициловой, антраниловой, фталевой, икриновой) с различными функциональными группами зависимости от пересыщения и температуры. Эти кис- [c.17]

Кроме соударений такого типа к образованию вторичных зародышей приводят и более мягкие контакты, не вызывающие появления заметных дефектов на поверхности кристаллов. К тому же приводят касания поверхностей и скольжение кристалла вдоль какой-либо поверхности [32]. Подобные виды вторичного зародышеобразования интересны тем, что скорость появления центров кристаллизации оказывается зависимой от пересыщения раствора. Такая зависимость, вообще говоря, исключает простое истирание кристаллов как причину появления новых зародышей. Скорее всего мы имеем дело с микротрением, приводящим к откалыванию от поверхности кристалла мельчайших кристаллических частиц. [c.59]

Ингибитор СНПХ-5301,М эффективно предотвращает образование отложений сульфата кальция, карбоната кальция и сульфата бария при концентрациях реагента 30-50 г на тонну обрабатываемой воды в зависимости от пересыщения промысловых вод. [c.291]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология