Зародышеобразование зависимость от пересыщения

Опишем процесс массовой кристаллизации из растворов и газовой фазы с учетом контактного вторичного зародышеобразования. Контактное зародышеобразование [30, 33, 38—41] осуществляется посредством маточных кристаллов, если они сталкиваются с другой поверхностью, которой может быть поверхность других кристаллов или стенок кристаллизатора и мешалки. Контактное зародышеобразование вызывает у исследователей значительный интерес, так как вклад его в образование кристаллов наибольший среди всех других видов зародышеобразования [35, 33, 39]. В опубликованных исследованиях для этого типа зародышеобразования контакт достигался или скольжением кристалла вдоль наклонной стеклянной поверхности, погруженной в пересыщенный раствор того же самого вещества [30], или столкновением с мешалкой, или же контрольным ударным контактом между кристаллической затравкой и прутком, сделанными из различных материалов [33, 40]. Существует непосредственная корреляция между числом образовавшихся зародышей и энергией удара при постоянной площади соприкосновения. Авторы работ [33, 42] отмечают сильную зависимость скорости контактного зародышеобразования от пересыщения и предлагают объяснение этого механизма новые центры образуются в жидкой фазе около кристалла или происходят из затравочного кристалла в результате истирания при соударении, при котором от поверхности кристалла откалываются маленькие кусочки, но выживают и получают право на дальнейший рост только те, размер которых больше критического для данного пересыщения. Изучению влияния на контактное зародышеобразование размеров затравочных кристаллов и интенсивности перемешивания посвящены работы [40, 43]. [c.47]

В системах с малым пересыщением важное место занимает вторичное зародышеобразование. Оно происходит вследствие столкновения кристаллов друг с другом либо с поверхностями стенок аппарата, мешалки. Установлена сильная зависимость скорости вторичного зародышеобразования от пересыщения. Для количественного описания скорости вторичного зародышеобразования можно использовать соотношение [c.346]

Установленная зависимость скорости зародышеобразования от пересыщения А Г приводит к двум разным точкам зрения на механизм этого явления. [c.109]

Говоря о гомогенных системах, следует подчеркнуть, что имеются в виду системы, практически не содержащие примеси других фаз, или системы, ведущие себя в отношении кристаллообразования как гомогенные. Для них характерна четкая зависимость скорости зародышеобразования от пересыщения. Кроме того, следует отметить, что образование новой фазы в гомогенной системе может происходить в лабильном и частично в метастабильном состояниях. В первой части метастабильной зоны самопроизвольное зародышеобразование исключается. [c.46]

С увеличением переохлаждения растет как относительное пересыщение, так и количество образующихся одновременно зародышей У (рис. 7.5.2.8). При этом наблюдаются устойчивые колебания У во всем диапазоне начальных температур и переохлаждений (при малых начальных температурах они не столь заметны). Наиболее явно колебания наблюдаются при построении зависимости отношения числа молекул в зародыше N к их средним значениям в контрольном объеме (рис. 7.5.2.9) от переохлаждения. При больших переохлаждениях ярко проявляется регулярность этих колебаний, и с изменением начальной температуры вид их несколько меняется. С уменьшением начальной температуры амплитуда колебаний скорости зародышеобразования уменьшается. [c.680]

Такая зависимость скорости роста от пересыщения подтверждена экспериментально на примере роста кристалла из пара. Что касается роста из раствора, то, хотя подобные зависимости и встречаются, по ним обычно нельзя однозначно сказать, что рост происходил двумерными зародышами. Дело в том, что в присутствии некоторых примесей и при дислокационном механизме роста получаются сходные зависимости ( 1.7). По наблюдению за поверхностью грани, ее морфологией также трудно установить, имеется ли рост двумерными зародышами, поскольку толщина их равна периоду повторяемости в данной решетке. В. Косселем и И. Странским было показано, что для ионных кристаллов наиболее энергетически выгодно образование двумерных зародышей у ребер гладкой грани. Атомарные слои, образовавшиеся за счет этих зародышей, могут сливаться в макроскопические слои благодаря особенностям диффузионного поля около кристалла ( 1.6). Поэтому наблюдающееся образование слоев у вершин и ребер обычно считается признаком роста по механизму двумерного зародышеобразования. Однако образование видимых слоев у ребер [c.36]

На рис. 3.30 приведены расчетные зависимости при различных условиях выгрузки продукта из аппарата. Как видно, чем ближе Ф(1) к значению функции выгрузки, соответствующей полной классификации, тем однороднее становится состав продукта на выгрузке. Это объясняется тем, что при классификации вероятность попадания мелких частиц на выгрузку значительно меньше, чем крупных, поэтому в аппарате происходит накопление твердой фазы (рис. 3.31). Повышенное содержание кристаллов небольшого размера приводит к значительному увеличению поверхности растущих частиц и, следовательно, к наиболее полному снятию пересыщения раствора. Низкое пересыщение, в свою очередь, способствует снижению величины вторичного зародышеобразования и созданию наиболее благоприятных условий для роста кристаллов. Более полное снятие пересыщения раствора при селективной выгрузке приводит к увеличению удельной производительности по сравнению со случаем полного перемешивания суспензии (рис. 3.32). Но следует отметить, что при этом возрастает время выхода кристаллизатора на установившийся режим работы. При выборе значений функции Ф(0. которая обеспечит получение продукта необходимого гранулометрического состава, нужно учитывать то обстоятельство, что содержание твердой фазы в аппарате не должно превышать 10%, в противном случае происходит ухудшение условий классификации и [c.210]

Природа и свойства пересыщенных растворов предопределяют ход образования осадка, поэтому знание тонкой структуры растворов в метастабильном или лабильном состоянии имеет большое значение. В этой связи возникает ряд вопросов, требующих своего решения. Одним из них является вопрос о фазовом составе пересыщенных растворов. Он тесно связан с представлением о зародышеобразовании. В зависимости от взглядов на механизм возникновения новой фазы по-различному трактуется и природа пересыщенных растворов. [c.77]

Грань кристалла, содержащая кромки, при контакте с пересыщенным паром растет до тех пор, пока отдельные слои не будут полностью заполнены. Скорость пропорциональна степени пересыщения, и это означает, что все присутствующие в начале процесса кромки быстро исчезают. После этого дальнейший рост кристалла определяется возникновением новых кромок, зарождение которых может происходить по механизму вторичного зародышеобразования (разд. 5.2). Поскольку для достижения наблюдаемых скоростей роста (см. рис. 5.36) по механизму вторичного зародышеобразования требуются значительно большие пересыщения, этот процесс может стать стадией, лимитирующей скорость роста. Регулируемая вторичным, а также молекулярным (разд. 5.3.4) зародышеобразованием скорость роста характеризуется ехр [1/(ГД7 )1-зависимостью от температуры, которая наблюдается для кристаллизации макромолекулярных расплавов (см. рис. 5.37) и растворов (см. рис. 6.42). [c.167]

По виду зависимости от начального пересыщения выражение (19) совпадает с выражением, полученным для продолжительности индукционного периода в [6] из других соображений. Однако уравнение (19) отличается большей общностью, так как получено в результате решения уравнения материального баланса и, следовательно, в нем учтен не только процесс зародышеобразования, но и процесс роста кристаллов во время индукционного периода. [c.39]

Проблемой номер один в области изучения кинетики образования зародышей являются, таким образом, создание надежных методик определения числа возникающих зародышей во времени и проверка ранее выведенных зависимостей скорости зародышеобразования от степени пересыщения раствора. [c.7]

Как видно из рис. 5.18, зависимость скорости роста от переохлаждения при разориентации выше критической (примерно Г) почти линейна, даже при малых пересыщениях. Это подтверждает предположение, что зародышеобразование в этом случае практически отсутствует. [c.192]

Наконец, лабильное состояние раствора характеризуется тем, что кристаллизация при нем наступает сразу. Ему отвечают концентрации, превышающие с, относящиеся к кривой 2. В зависимости от того, при каких пересыщениях начинается и проходит кристаллизация, наблюдаются те или иные свойственные ей явления. Например, для лабильной области характерно гомогенное зародышеобразование, появление сростков и дендритов. Напротив, в метастабильной области, особенно в первой ее части, при очень низких пересыщениях, кристаллизация возможна только при введении затравки. Наблюдается в основном вторичное зародышеобразование. [c.17]

Кроме описанного, возможны и другие пути установления зависимостей, относящихся к зарождению новой фазы. Они основаны на кинетических представлениях о возникновении и росте кристаллов. В этом случае скорость зародышеобразования определяется как непосредственная функция концентрации или абсолютного пересыщения раствора [15, 17]. А именно [c.48]

В заключение остановимся еще на одном вопросе, связанном с механизмом гомогенного зародышеобразования. Как уже отмечалось, гомогенное зародышеобразование возможно и тогда, когда система не гомогенна по фазовому составу. Дело заключается в том, что при сравнительно больших пересыщениях оказывается справедливой зависимость (Н1.9) и другие аналогичные ей зависимости, несмотря на то что в растворе содержатся твердые частицы. Наблюдаемое явление обусловлено несколькими причинами. Назовем две из них, по нашему мнению, наиболее существенные. [c.52]

Математическое описание гетерогенного зародышеобразования пока разработано крайне слабо. Зачастую оно относится к фазо-образованию в пересыщенных парах, а не в растворах. Правда, специфические для конденсации паров явления иногда используют для объяснения сущности гетерогенного образования зародышей в растворах. Например, для объяснения снижения работы зародышеобразования при переносе центра кристаллизации из объема на поверхность используются представления о зависимости удельной энергии на границе раздела от природы соприкасающихся фаз [2, 26]. По сути дела речь идет о явлении смачиваемости. Для случая зародышеобразования в растворах такое представление не совсем приемлемо, потому что ни краевых углов смачивания, ни самой картины смачивания мы здесь не наблюдаем. [c.55]

Общим ВО всех описанных опытах является сильная зависимость N от АТ. Особенно ярко эта зависимость выражена в случаях, когда причиной зародышеобразования являются прямые соударения В перемешиваемом растворе и простые касания затравочным кристаллом стеклянного стержня. Причины такого явления обсуждались при описании механизмов контактного зародыше-образования. Они связаны с зависимостью от степени пересыщения или переохлаждения раствора, рельефа поверхности кристаллов и способности вновь возникших частиц к дальнейшему росту. [c.65]

До сих пор мы в основном касались зависимости зародышеобразования от степени пересыщения илн переохлаждения раствора. Но скорость возникновения центров кристаллизации опре- [c.66]

Ультразвук также ускоряет зародышеобразование. Эффективность его действия на пересыщенные растворы зависит в первую очередь от мощности излучения [39]. Так, лавинное зародышеобразование в переохлажденных растворах алюмокалиевых квасцов наблюдалось при 30 и 700 кГц. Чем выше была интенсивность излучения, тем ниже предельные пересыщения, при которых начиналось зародышеобразование [39]. Существенной зависимости скорости зародышеобразования от частоты излучения в данном случае обнаружено не было. [c.70]

На скорость зародышеобразования оказывают влияние также магнитные поля, радиоактивные и рентгеновские излучения [2[. Изучение комплекса влияний имеет двоякий смысл. С одной стороны, поля и излучения могут быть использованы для решения практических задач, скажем, для снятия устойчивых пересыщений в водных растворах труднорастворимых соединений с целью водоочистки. С другой стороны, исследование зависимости N от действия различных факторов служит одним из средств раскрытия природы пересыщенных растворов, механизма образования зародышей, элементарных актов перехода частиц из одной фазы в другую. [c.70]

Кинетика образования кристаллических осадков обусловливается рядом факторов. Она включает в себя образование пересыщений или переохлаждений, зарождение новой фазы, рост частиц и изменение распределения их по размерам в ходе перекристаллизации. Изучение кинетики осаждения связано с установлением зависимостей скоростей зародышеобразования и роста кристаллов от степени отклонения системы от состояния равновесия, температуры, химического состава, перемешивания жидкой фазы, действия различных излучений и полей. При этом, естественно, рассматривается механизм сопровождающих фазообразование явлений. [c.85]

Итак, кристаллизация бикарбоната натрия в карбонизационной колонне представляет собой сложный процесс, идущий в политермических условиях. Его особенностью является то, что образование зародышей новой фазы происходит и в объеме жидкой фазы и на границе раздела фаз. Следовательно, мы имеем дело со смешанным гомогенно-гетерогенным механизмом зародышеобразования и должны учитывать зависимость N как от степени пересыщения и температуры, так и от физических свойств границы раздела фаз. Здесь имеются в виду удельная поверхностная энергия, состояние растворителя вблизи гюверхности и т. п. При кристал- [c.224]

Из задач, решение которых связано с кристаллизацией, отметим отыскание оптимальных вариантов создания пересыщения, выяснение возможностей вторичного зародышеобразования и регулирование этого процесса, дальнейшее изучение кинетики кристаллизации и зависимости физико-химических характеристик продукта от условий проведения процесса и присутствия в системе тех или иных примесей. Представляют также большой интерес вопросы соосаждения примесей с кристаллами сахарозы. Кстати сказать, соосаждение примесей с кристаллами органических веществ пока еще почти совсем не изучено. [c.296]

Основным условием кристаллизации сульфата кальция в фосфорнокислых растворах является растворение фосфатного сырья в присутствии большого числа затравочных кристаллов. При этом зародышеобразование и рост кристаллов происходят параллельно. Получение крупных кристаллов в таких условиях возможно при сравнительно малых пересыщениях абсолютное пересыщение не должно превышать 20—40% [58—60]. Скорость кристаллизации сульфата кальция также находится в зависимости от пересыщения. [c.60]

Зависимость скорости зародышеобразования от времени (рис. 2-2) характеризуется кривой с максимумом [41, с. 44]. Если вследствие испарения при постоянной температуре возрастает концентрация кристаллизанта или при постоянной концентрации снижается температура раствора, то система должна последовательно переходить границы метастабильных зон Ма и Мз. При этом концентрация зародышей должна изменяться с течением времени следующим образом. В зоне Ма концентрация зародышей равна нулю и в течение времени прохождения системой этой зоны на графике М=Цг) наблюдается инкубационный период (рис. 2-2). В зоне Мз начинается образование зародышей, причем чем ближе к верхней границе зоны, тем быстрее. В результате существенно снижается концентрация ассоциатов и раствора (если пересыщение не поддерживается на высоком уровне путем интенсивно- [c.47]

Помимо степени пересыщения растворов или переохлаждения расплавов на скорость возникновения центров кристаллизации существенно влияет температура, гидродинамические условия кристаллизации, электрические и магнитные поля и др. [41, с. 67]. Изменение температуры раствора или расплава приводит к изменению их вязкости, растворимости кристаллизанта, коэффициента диффузии ионов и ассоциатов, структуры растворителя, сдвигает равновесие между ассоциатами и раствором, влияет на процессы сорбции примесей, плотность и распределение поверхностных дефектов зародышей. В связи с этим однозначной зависимости скорости зародышеобразования от температуры нет, в большинстве случаев она увеличивается при нагревании. [c.48]

Свойства кристаллических продуктов плазмохимических реакций во многом зависят от процесса формирования их структуры при конденсации и кристаллизации. Если новое вещество синтезируется в газофазной реакции, то через некоторое время парциальное давление слаболетучего вещества Р превышает его равновесное давление Ро, в результате чего возникают зародыши конденсированной фазы. Пересыщение пара снижается вследствие зародышеобразования или роста кристаллов. При достаточно быстром охлаждении системы пересыщение увеличивается и, как следствие, происходит спонтанная объемная конденсация. Решение кинетической задачи конденсационного роста (испарения) микрочастицы в собственном паре при произвольном перепаде температур приведено в работах 39, 40]. В зависимости от степени пересыщения и вязкости системы будет изменяться положение максимумов скоростей появления двумерных и трехмерных зародышей. На графике (рис. 2.18) можна выделить две метастабильные области, в которых спонтанная кристаллизация невозможна. В области малого пересыщения С< С ) трехмерные зародыши не возникают в силу большой работы их образования. Здесь возможен лишь рост имеющихся зародышей. Высокой степени пересыщения соответствует большая вязкость системы лимитирующей стадией процесса является диффузия вещества к центрам кристаллизации. В связи с этим рост кристаллов затруднен и вещество преимущественно расходуется на зарождение центров кристаллизации без дальнейшего их роста (С>С2). В области С < С <. С2 происходит одновременное протекание двух процессов образование новых центров кристаллизации и рост возникших прежде полученный продукт имеет полидисперсную структуру. Распределение частиц по размерам отличается от нормального закона ввиду различного характера их возникновения при малых и больших величинах пересыщения. [c.118]

Составим алгоритм решения уравнений математической модели. Для данного аппарата мы полагаем известными все параметры исходного раствора йиси Си , а также остаточное давление в аппарате, расход воздуха на перемешивание, размеры аппарата, физико-химические свойства среды, находящейся в кристаллизаторе, зависимости скоростей роста и зародышеобразования от пересыщения и других критериев. [c.184]

Обработка данных таблицы 1 по указанным уравнениям в логарифмической форме с использованием метода наименьших квадратов дает значения порядка процесса ш = 1,1 и константы скорости к = 1,56 час . Относительно слабая зависимость скорости зародышеобразования от пересыщения экспериментально подтверждается тем, что в незначительно пересыщенных, неперемешиваемых растворах при естественном охлаждении во многих случаях не наблюдается самопроизвольного выделения кристаллов даже после 15—20 часовой выдержки. [c.280]

Графическая иллюстрация уравнения (3.2) представлена на рис. 3.2, из которого следует, что увеличение степени пересыщения раствора приводит к очень значительному возрастанию числа образующихся зародышей, что подтверждается имеющимися экспериментальными данными. Опыты показывают также сильную зависимость скорости зародышеобразования (нуклеа-ции) от температуры процесса [5]. Однако количественный расчет по уравнению (3.2) требует информации о численных значениях величин k и о, определить которые теоретически оказывается затруднительно. [c.151]

В более сложном случае, когда зависимость /(П) можно принять в виде квадратичного одночлена /(П) =/o(П/Пo) , приближенное решение системы (3.10), (3.11) дает [8] еще более узкий фракционный состав кристаллического продукта г = 0,824гт, что объясняется физически, поскольку при более крутом падении интенсивности зародышеобразования по мере уменьшения пересыщения большая часть зародышей образуется в самые начальные моменты периодического процесса. [c.158]

Переменные электрические поля, магнитные поля, ультразвук, радиоактивное излучение в большинстве случаев вызывали значительное сокращение времени индукционных периодов, а следовательно, и устойчивости растворов. Но в отдельных случаях наблюдалась и обратная картина. Например, в работе Горского и Башуна [17], изучавших влияние переменного электрического поля па кристаллизацию пересыщенных растворов виннокаменной кислоты, было установлено, что в зависимости от температуры поле увеличивает или снижает стабильность. Опыты проводились при напряжении 700 в и частоте 1500 гц нри одной и той же исходной концентрации растворов. Оказалось, что при 40° С поле ускоряет появление центров кристаллизации, а при 20° замедляет. Дело, конечно, в данном случае не только в температуре, но и в исходном пересыщении. Оно было разным при различных температурах в связи с соответствующим изменением растворимости. Не разбирая здесь механизма влияния полей, который пока слабо изучен, подчеркнем еще раз факт влияния. Он указывает на связь устойчивости пересыщенных растворов с механизмом процесса зародышеобразования. Подробное рассмотрение его является делом сложным и входит в задачу специальной монографии. Сам же факт наличия связи очень важен с точки зрения раскрытия природы пересыщенных растворов. Механизм влияния полей, конечно, различен. Б его основе могут лежать как изменение структуры раствора, так и явления, сходные с его перемешиванием или механическим воздействием вообще. Все это, разумеется, требует детального исследования с учетом особенностей поведения метастабильных фаз. Но практическое использование отмеченных в.лияиий возможно и на данной стадии изученности. Особенно это относится к пересыщенным растворам труднорастворимых веществ, операции с которыми накладывают отпечаток на ряд технологических процессов. [c.75]

Из уравнений (П1.10) и (П1.11) следует, что зависимость скорости зародышеобразования от коценнтрации раствора или абсолютного пересыщения определяется порядком процесса который для одного и того же вещества должен оставаться постоянным при любых пересыщениях. Отметим сразу, что значения [c.50]

Если зародышеобразование целиком идет по гетерогенному механизму, между скоростью образования частиц новой фазы и пересыщением раствора обычно нет четкой зависимости [51. Это служит одним из критериев механизма, по которому идет фазообразование. Другим критерием служит отношение пересыщенного раствора к термической обработке. Если предварительный его перегрев существенно сказывается на скорости зародышеобра-зовапня, значит заметную роль в формировании новой фазы играют примеси твердых веществ. [c.54]

Кроме соударений такого типа к образованию вторичных зародышей приводят и более мягкие контакты, не вызывающие появления заметных дефектов на поверхности кристаллов. К тому же приводят касания поверхностей и скольжение кристалла вдоль какой-либо поверхности [32]. Подобные виды вторичного зародышеобразования интересны тем, что скорость появления центров кристаллизации оказывается зависимой от пересыщения раствора. Такая зависимость, вообще говоря, исключает простое истирание кристаллов как причину появления новых зародышей. Скорее всего мы имеем дело с микротрением, приводящим к откалыванию от поверхности кристалла мельчайших кристаллических частиц. [c.59]

При образовании осадков нитрата калия наблюдаются периоды индукции, зависимость которых от степени пересыщения хорошо описывается уравнением (V.7). На величину и скорость образования зародьиией KNOg оказывают влияние различные примеси [12]. К ним, например, относятся ионы Со " , Сг " , метилен-диамин и др. [18]. В кинетике кристаллизации азотнокислого калия примеси вообще играют большую роль. Кроме зародышеобразования о)ш влияют и на скорость кристаллизации и на форму кристаллов [19]. [c.209]

Кристаллизация сульфата калия может происходить из лабильных и метастабильных растворов. Образование зародышей Кг504 может проходить и по гомогенному и по гетерогенному механизму. Возможно также и вторичное зародышеобразование [25], что нашло экспериментальное подтверждение [26]. При этом изучена роль затравочных кристаллов в процессе зародышеобразования и формирования осадка. Зависимость скорости кристаллизации сульфата калия от абсолютного пересыщения отвечает кинетическому уравнению второго порядка. Рост кристаллов происходи г сравнительно медленно, так как, согласно экспериментальным данным, константа скорости роста равна 0,004 кг м ч при 30 °С. [c.245]

Итак, в основе твердения гипсовых вяжущих веществ лежит процесс кристаллизации гипса. В связи с этим исследования образования и роста кристаллов Са504-2Н20 имеют прямое отношение и к производству гипсовых вяжущих веществ, где закладываются условия будущего кристаллообразования. Эти условия определяются фазовым составом вяжущего и характером содержащихся в ней примесей. От содержания кристаллизационной воды в сульфате кальция зависит степень пересыщения, при которой кристаллизуется гипс, и от примесей — почти все параметры кристаллизационного процесса. В зависимости от природы и концентрации добавок могут быть различными степень пересыщения, скорости зародышеобразования и роста, форма и размеры кристаллов. Причем многие из перечисленных параметров сами зависят от пересыщения, но могут быть разными в присутствии примесей и при одном и том же пересыщении. [c.305]

Изучение медленной кристаллизации карбоната кальция показало [13], что для начальной стадии осаждения характерен гетерогенный механизм зародышеобразования. Подобная картина наблюдается при низких пересыщениях. При увеличении s, начиная с некоторого критического значения коэффициента пересыщения, становится возможным гомогенное зародышеобразова-ние. Степень пересыщения, при которой начинается фазовое превращение, регулируется скоростью сливания реагентов. При гетерогенном зародышеобразовании, протекающем при медленном сливании взаимодействующих друг с другом растворов, как число образующихся кристаллов, так и их конечные размеры возрастают пропорционально скорости смешения, взятой в некоторой степени п. Причем для числа кристаллов п 0,9, а для их размеров п = 0,3. В случае гомогенного зародышеобразования сохраняются те же зависимости, но гг = 1,8 и 0,6 соответственно. [c.316]

Анализ задаваемой формулами (5.29) и (5.34) зависимости скорости процесса от степени переохлаждения показывает, что из-за действия противоположно направленных факторов обе функции проходят через максимумы. При этом различие зависимости АСкр от переохлаждения в случаях трех- и двумерного зародышеобразования приводит к тому, что максимум скорости первого процесса отвечает большим степеням переохлаждения, чем второго (рис. 5.5). Из формул (5.28) и (5.33) также следует, что скорость зародышеобразования увеличивается с ростом пересыщения значительно быстрее, чем скорость роста кристаллов (в первом случае под экспонентой стоит во втором — А ). [c.193]

В зависимости от степени пересыщения относительно минеральных фаз. Хороший пример — закалочные приконтактные габбро в этом интрузиве, в которых многочисленные мелкие кристаллы плагиоклаза и оливина заключены в виде пойкилитовых образований в относительно редких кристаллах пироксена и ильменита. Внедрившаяся магма была быстро закалена при сопрнкос-новенир с окружающими породами и перенасытилась оливином п плагиоклазом, в результате чего образовалось и стало растрг множество зародышей этих минералов (участок В на рис. 8.9). Магма не достигла в этот момент насыщения по отношению к пироксену и ильмениту. Оно создалось при дальнейшем охлаждении, но так как окружающие породы к этому времени прогрелись интрузией, температура падала гораздо медленнее. Эти условия привели к понижению скорости зародышеобразования (участок А на рис. 8.9), и медленное охлаждение сопровождалось образованием редких зародышей пироксена и ильменита, развивавшихся в большие пойкилитовые кристаллы. [c.203]