Данные по свободной энергии переноса

Для определения вклада бокового радикала из этой величины вычитается свободная энергия переноса молекулы глицина, не имеющая бокового радикала. В зависимости от величины и знака аминокислотные остатки делятся на гидрофильные и гидрофобные. Данный подход имеет развитие и в настоящее время. Например, метод, основанный на сопоставлении энергии Гиббса переноса эталонной АК (объем которой равен среднеарифметическому значению молярных объемов рассматриваемых АК) и алифатического углеводорода (молярный объем которого равен объему бокового радикала эталонной кислоты) [20], позволяет дать раздельную оценку слагаемых, соответствующих переносу полярных групп и гидрофобных участков радикалов. Данные по свободным энергиям переноса коррелируют с тенденцией отдельных ами- [c.190]

При расчете концентрации ионов Н+ по обе стороны границы использовали способы расчета профилей концентрации ионов в граничных слоях и представления об ионном переносе в активном слое мембраны для обратного осмоса. Можно дать следующее объяснение наблюдаемой корреляции е и АрН. Ионы Н+ и ОН оказывают различное структурирующее воздействие на воду причем избыток ионов Н+ упрочняет структуру воды больще, чем избыток ионов ОН-, поскольку обладает большей свободной энергией гидратации. Поэтому при ДрЯ <0 (ионов Н+ больше в порах активного слоя) градиент структурированности воды на границе исходного раствора и мембраны больше, чем при АрН >0 (в порах активного слоя больше ионов ОН-, чем в разделяемом растворе на границе с мембраной). Это, в свою очередь отражается на значении е, связанном с энергией перестройки вторичной гидратной оболочки иона. Более конкретное объяснение, наверное, можно получить из целенаправленных экспериментов по изучению свойств граничных слоев воды на гидрофильных поверхностях в растворах электролитов. [c.128]

Найденным закономерностям, по-видимому, можно дать следующую молекулярную интерпретацию. Флуктуации плотности в переохлажденных расплавах полимеров будут замораживаться при температуре, при которой выигрыш объемной свободной энергии системы за счет образования зародышей кристаллизации превысит энергетические потери на формирование границы раздела расплав—кристалл. Последующий процесс осаждения сегментов роста на растущую грань зародыша будет протекать быстрее в полимерах первой группы, обладающих высокими значениями доли свободного объема Va-—VK)jva, в то время как аналогичный процесс в полимерах второй группы должен развиваться значительно медленнее. Изложенные представления находятся в полном качественном согласии с механизмом переноса в расплавах полимеров, обсуждающимся в [143]. [c.61]

Исследование поведения функции N (Е) вблизи границы между занятыми и свободными состояниями представляется весьма существенным для прогнозирования свойств катализатора. Действительно, в каталитическом акте главную роль, по-видимому, играют электроны и дырки с энергией, близкой к уровню Ферми, так как они наиболее лабильны и в наибольшей степени ответственны за перенос заряда в системе катализатор-субстрат. Плотность состояний характеризует относительное число таких частиц. " Исследование функции N (Е) может дать прямое указание на то, как сдвинуть уровень Ферми, например, вводя промоторы, чтобы максимально увеличить их концентрацию (рис. 11.4), а следовательно, и [c.40]

Часто говорят, что металл отличается от полупроводника радикальным образом, поскольку в металле электронов много, а в полупроводнике мало. В такой примитивной форме это просто неверно. В полупроводнике электронов столько же, сколько и в металле (а может быть, и больше), но они находятся в основном в составе замкнутых оболочек и потому едва ли могут принимать активное участие в адсорбционных явлениях. Стало быть, дело в числе активных электронов (или дырок). Говорят также, что в металлах много свободных электронов. Но и это не очень ясно, ведь электроны в металле сильно взаимодействуют друг с с другом. Стало быть, совершенно свободных электронов в металле тоже нет. Есть свободные носители тока, и от теории металлов требуется, чтобы она объяснила, что это за свободные носители тока. Сейчас еще трудно дать окончательный ответ на этот вопрос, однако кое-что уже можно сказать. В металлах, несмотря на наличие взаимодействия между электронами, могут появляться особые состояния (например, локальные изменения электронной плотности), которые перемещаются в кристаллической решетке и переносят энергию, импульс, а может быть, и заряд. Короче говоря, эти образования обладают многими из тех основных свойств, которыми характеризуются электроны. В частности, они могут взаимодействовать с поверхностью, т. е. могут выполнять те функции, которые теорией полупроводникового электронного катализа возлагаются на свободные электроны. [c.148]

В другом подходе рассматривается так называемый адиабатический перенос электрона, в котором для описания электрона, совершающего переход, используется представление о поверхности потенциальной энергии. Взиамо-действие между орбиталями в окислителе и восстановителе (например, образование слабой формальной связи), рассматривается при этом как малое, но достаточное для того, чтобы снизить энергетический барьер и дать возможность электрону свободно проходить через него. И здесь также энергии выравнивания связей, сольватационных оболочек и т. д. являются необходимыми вкладами в свободную энергию активации. [c.191]

Оценивая роль мембран в биоэнергетических процессах, следует принять во внимание интересную химио-осмотическую гипотезу Митчелла (8,Д). Митчелл [1280, 1282] предположил, что окислительно-восстановительная система переноса протона и обратимо переносящая протон АТФаза могли возникнуть независимо друг от друга как разные способы выработки градиента pH и мембранного потенциала, необходимого для приема питательных веществ и ионной регуляции... у примитивных прокариотических клеток, и что случайная встреча обеих систем в одной -клетке могла дать средство для появления свободной энергии окисления—восстановления в АТФ, синтезированном при обращении АТФазы, или в каком-то другом ангидриде, например пиро-фоофате..., вырабатывавшемся при помощи сходного механизма . Но сейчас, видимо, еще рано обсуждать эти гипотетические события более подробно. [c.103]

Дефекты кристалла оказывают на теплопроводность двоякое влияние. Прежде всего они могут способствовать увеличению теплопроводности. Это происходит в том случае, когда дефекты, перемещаясь в температурном градиенте, в той или иной форме переносят энергию. Эффекты такого типа наблюдались как в металлах, так и в полупроводниках, где свободные электроны и дырки переносят избыточную кинетическую энергию. Так, например, было обнаружено, что теплопроводность PbS и РЬТе растет с увеличением концентрации свободных электронов [100]. Очень большой эффект наблюдается, если электроны и дырки возникают в результате собственного возбуждения, двигаясь вместе в температурном градиенте. В этом случае переносится не только кинетическая энергия, но и энергия собственного возбуждения [101]. Вместе с тем часть тепла, переносимая колебаниями решетки (фононы), может умень-ишться вследствие рассеяния фононов на дефектах. Этот эффект преобладает при низких температурах, причем рассеяние на каждом виде дефектов имеет типичную температурную зависимость. Поэтому изучение температурной зави-силюсти теплопроводности может дать ценные сведения, касающиеся как атомных, так и электронных дефектов [102]. [c.180]