Образование зародышей кристаллизации

Скорость образования зародышей кристаллизации (йУз) проходит через максимум при температуре, лежащей между температу- [c.188]

Механизм кристаллизации полимеров аналогичен механизму кристаллизации ннзкомолекулярных веществ. Он включает два этапа образование зародышей кристаллизации (нх называют также ядрами) и рост кристалла на этих зародышах, [c.268]

Рис. VI. 21. Зависимость скоростей образования зародышей кристаллизации (/) и роста кристаллов (2) от температуры.

Образование зародышей кристаллизации сопровождается увеличением поверхностной энергией Гиббса [c.354]

Оптимальные условия для получения нефтяного углерода создаются при средних температурах коксования (450—480°С), когда скорости реакций деструкции и уплотнения, обусловливающие образование зародышей кристаллизации, соизмеримы с кинетикой роста мезофазы (см, с, 174). Повышение давления в системе и коэффициента рециркуляции сырья обычно способствует увеличению выхода, а также размеров кристаллитов сырых нефтяных [c.148]

При одном и том же содержании углеродных атомов в молекуле наиболее высокой температурой плавления обладают нормальные алканы, где дисперсионному взаимодействию подвергаются все углеродные атомы соседних молекул. С разветвлением структуры молекул такая возможность вследствие их иной ориентации понижается, что объясняет более низкую температуру кристаллизации. В твердом состоянии молекула алкана расположена упорядоченно, образуя кристаллы различной структуры, преимущественно большие агрегаты достаточно гибких кристаллов. Процесс кристаллизации складывается из двух стадий стадия образования центров кристаллизации (или зародышей) и стадия роста этих центров. Вторая стадия кристаллизации — многоступенчатый процесс, который по различным причинам (например, вследствие возникновения механических напряжений) может останавливаться на любой промежуточной стадии. Монокристаллы образуются только в особых условиях. Обе стадии кристаллизации сильно зависят от температуры. Понижение температуры благоприятствует образованию зародышей кристаллизации, но в то же время уменьшает молекулярную подвижность, а вместе с ней и скорость роста кристаллов. Поэтому температурная зависимость скорости кристаллизации проходит через максимум. Большинство алканов имеет несколько аллотропических модификаций, кристаллизуясь в гексагональной, триклинной, моноклинной и орторомбической формах. Некоторые [c.190]

Затвердевание цилиндрических выдувных изделий происходит при преимущественной молекулярной ориентации в 0-направлении. Если ориентация слишком велика, то можно ожидать образования зародышей кристаллизации в 2-направлении. В толстостенных выдувных изделиях из кристаллизующихся полимеров ориентация может быть обнаружена только в пристенном слое. [c.583]

Еще до образования зародыша кристаллизации — частицы размером Го — проявляется характерное свойство твердого вещества — образовать твердые тела, которые могут существовать в метастабильном состоянии, т. е. при положительном значении функции (Х.2). Но знак этой функции, как мы видели, зависит от соотношения величин ее первого и второго членов. Чем прочнее межатомные связи в строении образующегося твердого тела, больше его размеры и меньше свободная поверхностная энергия, тем больше при данных условиях первый и меньше второй члены, тем выше стабильность данного твердого тела. Таким образом, о стабильности твердого тела можно судить по величине отношения объемного и поверхностного членов уравнения (Х.2) [c.149]

Так как возникновение -поверхности раздела фаз сопровождается затратой энергии, то для образования зародыша кристаллизации необходимо преодоление определенного энергетического барьера. Местное увеличение свободной энергии, обусловливающее возможность образования областей новой фазы, может происходить вследствие появления в гомогенной системе флуктуаций, т. е. сгустков с иным значением свойств и степени упорядочения в результате непрерывного движения ионов или молекул жидкости. [c.220]

Для образования зародыша кристаллизации первое слагаемое уравнения является превалирующим. Увеличение этого члена вызывает общее увеличение свободной энергии. При дальнейшем росте кристалла основное значение приобретает второе слагаемое, что приводит к уменьшению свободной энергии. [c.220]

Кристаллизация полимеров протекает по механизму, в основном сходному с механизмом кристаллизации низкомолекулярных веществ. Процесс включает две стадии — образование зародышей кристаллизации (зарождение новой фазы внутри исходной) и рост кристаллов. [c.187]

Скорость роста кристалла будет определяться следующими факторами 1) скоростью образования зародышей кристаллизации и 2) скоростью отвода тепла от фронта кристаллизации так, чтобы температура в нем не превышала температуры плавления растущего центра кристаллизации. Практически в любом расплаве присутствуют примеси, которые влияют на скорость роста и чистоту кристалла. Реальные процессы кристаллизации всегда связаны с относительно большими скоростями роста так, что равновесие между расплавом и растущим кристаллом не успевает устанавливаться, т. е. оттесняемая от фронта кристаллизации в расплав примесь (при < 1) не успевает равномерно распределяться по всему объему жидкости, и концентрация примеси у границы раздела возрастает (рис. 47). Таким образом, кристалл растет из слоя расплава, обогащенного примесью, причем это обогаще- [c.84]

В соответствии с конкретизацией требований к обратимому электроду можно сделать несколько дополнений к сведениям, изложенным в разд. IX. 6—IX. 8. У электродов 1-го рода, кроме названных причин, ответственных за поляризацию (замедленность стадий переноса в растворе или собственно электрохимической стадии), может возникнуть еще одна — замедленное образование зародышей кристаллизации на металлах. Например, для реакции Ад + е —> Ад значение Д вблизи равновесных потенциалов серебряного электрода определяется замедленностью стадии кристаллизации. При работе с металлическими электродами и в кинетических, и в потенциометрических опытах [c.545]

Величина частиц осадка зависит от соотношения скорости образования зародышей кристаллизации и скорости ориентации ионов в кристаллической решетке, определяющей образование кристалла. Если скорость образования зародышей кристаллизации велика, то [c.128]

Процесс образования осадка распадается в основном на две стадии а) образование зародышей кристаллизации, которые вследствие своих малых размеров находятся в броуновском движении б) рост зародышей кристаллов. Поверхность зародышей заряжена адсорбированными на ней ионами. Заряд способствует гидратации. В дальнейшем увеличиваются зародыши вплоть до размеров, видимых невооруженным глазом. Это сопровождается образованием больших агрегатов кристаллов. [c.309]

Сухая А.к. протекает по механизму низкотемпературного окисления, включающему след, стадии хемосорбция Oj и HjO на пов-сти металла с их диссоциацией образование зародышей кристаллизации оксидов и гидроксидов металла, тангенциальный рост кристаллов, слияние и образование сплошной, частично гидратированной оксидной пленки. При толщине пленки 2-5 нм дальнейшее окисление металла в чистой (без примесей) атмосфере прекращается. [c.213]

Рис. 111.12. Влияние степени молекулярной ориентации, определяемой по величине двулучепреломления, на скорость образования зародышей кристаллизации. Числа на кривых — температура кристаллизации.

Например, если смешать равные объемы 1 М раствора и 1 М раствора 3 , результирующие концентрации каждого из этих ионов в момент смешения будут равны 0,5 моль/л, что приблизительно в 10 раз превышает концентрации данных ионов в насыщенном растворе РЬ8. Образуются зародыши кристалликов РЬ8 роль таких зародышей могут играть также случайно присутствующие в растворе частицы, например пыль, или специально вводимые в раствор частицы, называемые затравками . Скорость образования зародышей кристаллизации приблизительно пропорциональна степени пересыщения раствора. Если вначале в растворе присутствовали лишь отдельные зародыши или затравки , они могут вырасти до больших размеров по мере того, как растворенное вещество будет выводиться из раствора. При наличии в растворе большого числа зародышей кристаллизации, каждый из них в процессе образования насыщенного раствора вырастает лишь до сравнительно малых размеров. [c.280]

Процесс кристаллизации складывается из двух стадий стадия образования центров кристаллизации (или зародышей) и стадия роста этих центров. Вторая стадия кристаллизации многоступенчатый процесс, который по различным причинам (например, вследствие возникновения механических напряжений) может останавливаться на любой промежуточной стадии. Монокристаллы образуются только в особых условиях. Обе стадии кристаллизации сильно зависят от температуры. Понижение температуры благоприятствует образованию зародышей кристаллизации. [c.45]

Таким образом, условия стеклообразования весьма сложны и разнообразны. С одной стороны, они включают требования к самому веществу, в частности к электронному строению атомов и характеру сил взаимодействия между ними. С другой стороны, включает требования к технологическому процессу превращения исходного вещества в стекло, главным из которых является создание в процессе охлаждения расплавов условий, исключающих кристаллизацию. Поскольку скорость образования зародышей кристаллизации не бесконечна, увеличение скоростей охлаждения становится фактором, ответственным за реализацию потенциальных возможностей, заложенных составом и строением вещества, обеспечивающих превращение последнего в стеклообразное состояние. [c.130]

Центры кристаллизации (зародышей кристаллов) возникают в результате тепловых флуктуаций, устойчивость которых, а также скорость образования зависят от температуры расплава. При высоких температурах (близких к Тил) образующиеся флуктуационные структуры быстро разрушаются в результате интенсивного теплового движения, тогда как при низких температурах их образование затруднено малой подвижностью молекул. Оптимальная температура образования зародышей кристаллизации должна иметь среднее значение между Гс и Гпл- [c.82]

Хотя образование зародышей кристаллизации является одним Время [c.357]

Не только затравочные кристаллы, но и многие другие твердые вещества ускоряют образование зародышей кристаллизации. Если контактный угол между кристаллическим осадком и поверхностью твердой частицы меньше 180°С, работа образования кристаллического зародыша на примеси меньше работы образования зародыша в объеме раствора и, следовательно, механические примеси будут увеличивать вероятность образования зародышей, [c.363]

Скорость кристаллизации полимеров зависит от скоростей двух процессов образования зародышей кристаллизации и роста кристаллов. Зависимость степени кристаллизации от времени при постоянной температуре выражается уравнением Аврами [c.252]

Рнс. 1. Скорость кристаллизации и образования зародышей кристаллизации (правая часть диаграммы температур подлинной кристаллизации). [c.289]

При одном и том же содержании углеродных атомов в молекуле наиболее высокой температурой плавления обладают нормальные алканы, где дисперсионному взаимодействию подвергаются все углеродные атомы соседних молекул. С разветвлением структуры молекул такая возможность вследствие их иной ориентации понижается, что объясняет более низкую температуру кристаллизации. В твердом состоянии молекула алкана расположена упорядоченно, образуя кристаллы различной структуры, преимущественно большие агрегаты достаточно гибких кристаллов. Процесс кристаллизации складывается из двух стадий стадия образования центров кристаллизации (или зародышей) и стадия роста этих центров. Вторая стадия кристаллизации — многоступенчатый процесс, который по различным причинам (например, вследствие возникновения механических напряжений) может останавливаться на любой промежуточной стадии. Монокристаллы образуются только в особых условиях. Обе стадии кристаллизации сильно зависят от температуры. Понижение температуры благоприятствует образованию зародышей кристаллизации, но в то же время уменьшает молекулярную подвижность, а вместе с ней и скорость роста кристаллов. Поэтому температурная зависимость скорости кристаллизации проходит через максимум. Большинство алканов имеет несколько аллотропических модификаций, кристаллизуясь в гексагональной триклинной, моноклинной и орторомбической формах. Некоторые изоалканы, преимущественно с симметричным и компактным расположением боковых цепей в молекуле, при охлаждении застывают в стекловидную массу. Все нормальные алканы с нечетным числом атомов углерода (нечетные), начиная с С9, и с четным (четные), начиная с С36, относящиеся к полиморфным соединениям, могут кристаллизоваться во всех четырех формах. [c.112]

Скорость образования зародышей кристаллизации [c.156]

В соответствии с представлениями Хофмана скорость образования зародышей кристаллизации определяется выражением [c.156]

Отношение скорости образования зародышей кристаллизации в ориентированном расплаве N к скорости образования зародышей в неориентированном расплаве определяется соотношением [c.156]

Как было показано в работе Лиза и др. [40], нри проведении полимеризации в среде хлористого метилена во время индукционного периода реакции образуются центры кристаллизации, подобные описанным выше, однако категорический вывод этих исследователей о том, что индукционный период обусловлен процессом образования зародышей кристаллизации, представляется недостаточно обоснованным. [c.288]

Кинетика кристаллизации. Кристаллизация полимеров (возникновение координационного и ориентационного дальнего порядка) включает две стадии образование зародышей кристаллизации (зарождение новой фазы внутри исходной) и собственно рост кристаллической фазы. Кинетика изотермической кристаллизации полимеров приблизительно описывается уравнением Колмогорова - Аврами, выведенным для низкомолекулярных веществ с учетом двухстадийности процесса кристаллизации [c.145]

В свете полученных данных вполне объяснимы результаты, опубликованные Кантцем [38], Кларком [39] и другими авторами, исследовавшими кристаллическую структуру полимеров, перерабатывавшихся литьем под давлением. В поверхностном слое молекулярные цепи, вытянутые в направлении продольного течения, образуют зародыши кристаллизации, на которых растут ламели в плоскости, перпендикулярной направлению потока. В слое, лежащем непосредственно под поверхностным, продолжается образование зародышей кристаллизации, но растущие здесь ламели перпендикулярны поверхности формы и по отношению к направлению течения ориентированы случайным образом. Морфология образующейся при этом структуры определяется, по-видимому, совместным влиянием ориентации за счет сдвигового течения и значительного перепада температуры. Напомним, что как сдвиговое течение, так и растяжение расплава способны привести к значительной ориентации цепей, вызывающей зародышеобразование (см. разд. 3.6). В центре изделия наблюдается сферолитная морфология, характеризующаяся отсут- [c.539]

Задание. Определить индукционный период кристаллизации сопоставить значения к для двух температур кристаллизации, различающихся на 1° наблюдается ли такое изменение констайты скорости при кристаллизации низкомолекулярных веществ Описать морфологию образующихся структур, приняв механизм образования зародышей кристаллизации а) гомогенный, б) гетерогенный. [c.198]

В реальных вяжущих системах процесс образования зародышей кристаллизации происходит на границах раздела фаз (поверхности исходных минералов, гидратов), поэтому значения удельной межфазной энергии уменьшаются, а скорость образования и рост зародышей кристаллизации возрастает. Уменьшение удельной межфазной энергии максимально, если поверхность границ фаз велика и энергетически ненасыщена, а создающий эти границы материал по своим кристаллохимическим характеристикам изоморфен выделяющейся фазе. В предельном случае, когда а=0, образование трехмерного зародыша новой фазы практически исключается, так как энергетически более выгодным становится рост кристаллов путем присоединения к готовым центрам кристаллизации плоских двухмерных зародышей, приводящий к срастанию отдельных кристаллов в прочный кристаллический сросток. [c.355]

Жидкость пе имеет тенденции кристаллизоваться, пока она не охлаждена до точки замерзания. Чем температура жидкости пи/ке точки замерзания ее, т. е. чем больше степень переохлаждения, тем больше тенденция нiидкo ти к кристаллизации. Процесс кристаллизации проходит в две совершенно независимые стадии 1) образование зародышей кристаллизации и 2) рост кристаллов из образовавшихся зародышей. В качестве зародышей кристаллизации в жидкости могут быть твердые посторонние частички, но в гомогенных н идкостях зародыши возникают из самой жидкости. Как скорость самопроизвольного образования зародыша, так и скорость его роста — функции степени переохлаждения. Как та, так и другая имеют нулевое значение в точке замерзания, увеличиваются с увеличением переохлаждения, проходят через максимум и постепенно падают до нулевого значения при низких температурах. Обычная форма кривых показана на рис. 1, но значения ординат одной жидкости сильно отличаются от величины ординат другой жидкости. Некоторые переохлажденные жидкости почти не обнаруживают тенденции к кристаллизации, в то время как другие могут быть переохла кдены только с большим трудом. [c.288]

Явление самопроизвольного зарождения центров кристаллизации впервые наблюдал Тамман [7]. Некоторые авторы [8, наблюдавшие, что кристаллизация быстрее протекает на стенках сосуда, высказывали сомнение вообще в возможности снонтапного зарождения кристаллов. Однако нри детальном изучении процесса кристаллизации, особенно Даниловым и его школой [9], было показано, что кристаллизация может протекать спонтанно. Существующие теории спонтанной кристаллизации [10 — 16] базируются на представлении, что возникновение новой фазы происходит через образование зародышей кристаллизации. [c.167]

В первую очередь останозиэдся на гибкости макромолекул. Гибкие молекулы очень чутко реагируют на изменения температуры. Поэтому при высоких температурах гибкие макромолекулы интенсивно изменяют свою конформацию, тем самым затрудняя образование зародышей кристаллизации. При очень низких температурах, ниже Тс. даже очень гибкие молекулы не могут перестраиваться из-за низкой подвижности элементарных звеньев и образовывать упорядоченные кристаллические структуры. Следовательно, даже в случае гибких макромолекул процесс кристаллизации надо проводить в ошределенном оптимальном интервале температур. [c.83]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология