Кристаллиты расчет

Рис. 12.1.5. Зависимость от изотопического состава частоты (а) и ширины (б) рамановской моды алмаза. Символами обозначены экспериментальные данные. Сплошные линии — расчёт по модели когерентного потенциала, пунктирная линия — модель виртуального кристалла (по работам [89,90])

Необходимость создания методов расчёта коэффициента распределения микропримеси при фазовом равновесии расплав — кристалл определяется, главным образом, практическими потребностями, связанными с широким распространением кристаллизационных методов глубокой очистки веществ. Рассмотрение современных статистических теорий конденсированного состояния [1—6] приводит к выводу о предпочтительном применении с этой целью полуэмпирических теорий, основанных на моделях строения вещества. Однако прямое вычисление коэффициента распределения, связанное со сравнением химических потенциалов микропримеси в жидкой и кристаллической фазах, даёт, ввиду грубости модели, большие погрешности. Этот недостаток можно в значительной мере устранить, применяя так называемую косвенную методику расчёта, связанную с выбором определенного уровня отсчета химического потенциала. [c.47]

Исходные физико-химические данные и результаты расчёта коэффициента распределения при равновесии жидкость -- кристалл в системах ОеС — примесь, ВС1, — примесь [c.49]

Подчёркнуто выраженный химизм в трактовке центров оказался, однако, и наиболее слабым местом теории. Он отвлёк внимание от чисто физических факторов, которые могли бы служить основой для правильной количественной оценки энергетического обмена в кристалле. В попытках наглядно представить строение центров было предложено много условных структурно-химических формул. Возможные и вероятные химические связи между э.тементами использовались в них для объяснения отдельных особенностей свечения. Большинство таких формул носило спекулятивный характер, часто без должного соответствия элементарным законам физики и химии кристаллов. В результате, связь наблюдаемых явлений с предполагаемой структурой центров была чисто качественной и не давала оснований для количественных энергетических расчётов. Особенно трудно было объяснить всё многообразие законов затухания, их количественный ход и связь люминесцентного процесса с фотопроводимостью или из.ме-нением диэлектрической константы. [c.269]

Ввиду большого числа измерений и особенно расчётов, необходимых для построения трёхмерного ряда Фурье, часто прибегают к измерению отражения всех порядков от данной плоскости кристалла, изучая распределение рассеивающего вещества перпендикулярно выбранной плоскости. Тогда приходится иметь дело уже с одномерным рядом Фурье (см. приведённую литературу). [c.206]

Рис. 7. К расчёту взаимодействия диполя с ионами решётки кристалла-адсорбента.

Рассмотрим в этом параграфе расчёты Орра [37], который занимался адсорбцией неполярных газов (аргона н других) на адсорбентах с ионной решёткой (кристаллы галогенидов щелочных металлов КС1 и sJ). [c.94]

Вычислим энергию изолированного атома аргона на поверхности такого кристалла, разбив этот расчёт на три части расчёт дисперсионной энергии, расчёт электростатической энергии и расчёт отталкивательной энергии. [c.94]

О различных тинах химичёской связи и разных тинах структур кристаллов. Расчёт энергии решётки на базе электростатйческих представлений [c.156]

Оптические измерения, дающие информацию о некоторых оптических модах колебаний кристалла, были выполнены для высококачественных монокристаллов алмаза во всей области изотопических составов от чистого С до чистого С [89-93], для изотопически обогащённых кристаллов германия [64,94,95]. Частоты колебаний решёток в изотопических смесях (а большинство элементарных кристаллов как раз являются таковыми) хорошо описываются в приближении виртуального кристалла формулой и ОС где в качестве массы фигурирует средняя изотопическая масса смеси. Точные измерения, однако, обнаруживают дополнительный сдвиг частот и уширение фо-нонных линий, которые, как показывает более реалистичная модель — приближение когерентного потенциала, являются прямым следствием рассеяния фононов на флуктуациях массы в смесях. Такой эффект был обнаружен в алмазе [90], Се [64,94-96], о -8п [97] и кремнии [98]. Теоретический анализ эффекта, основанный на расчётах из первых принципов, имеется в работе [99]. На рис. 12.1.5 [c.73]

Квантовые кристаллы. При исследовании изотопических эффектов в теплопроводности твёрдых тел на первом этапе наибольшее внимание было уделено гелию, поскольку его изотопы имеют большую разность в массах и могут быть относительно легко получены в химически очень чистом виде. Кроме того, изменяя давление, можно в широких пределах менять молярный объём гелия и, соответственно, изменять квантовые вклады в равновесные свойства. В экспериментальных работах [151-157] было продемонстрировано, что изотопические примеси сильно подавляют теплопроводность твёрдого гелия. Особенно впечатляющие данные получили Д. Лоусон и Г. Фейер-банк [156], которые сумели получить очень чистые (изотонически и химически) и совершенные монокристаллы Не. Добавление очень небольшого количества Не — десять миллионных частей — привело к значительному, примерно двукратному, уменьшению теплопроводности в максимуме. Анализ уже первых экспериментов на гелии показал, что скорость рассеяния фононов на флуктуациях массы, расчитанная по формуле (12.1.17), является недостаточно сильной, чтобы описать наблюдаемое подавление теплопроводности изотопическими примесями. Дж. Каллауэй [158] предложил, что добавочное сопротивление обусловлено рассеянием фононов на поле деформаций решётки около изотопической примеси. В рамках простой модели П. Клеменс и А. Ма-радудин [159] нашли, что масштаб этого эффекта может быть действительно достаточно большим. Более детальные расчёты [160-163] подтвердили это и показали, что в определённых условиях рассеяние на поле деформаций в гелии может быть в несколько раз сильнее, чем рассеяние на флуктуациях массы. [c.81]

Рис. 12.1.7. Температурная зависимость теплопроводности алмаза. Данные для природного изотопического состава (1,1% С) показаны закрашенными квадратами, для обогащённого кристалла (0,1% — незакрашенными квадратами [183]. Представлены также данные из работ [184] (кружки) и [182] (кресты). Сплошные линии — результаты подгонки модели Каллауэя [173] под экспериментальные данные. На вставке показаны результаты модельных расчётов х Т) для алмаза с разным содержанием С

Зависимость яркости свечения от концентрации активатора ещё не поддаётся теоретическому расчёту. Наличие плоского максимума на концентрационной кривой сначала приписывалось поглощению излучения поверхностными слоями активатора, атомы которого по той или другой причине лишены способности излучать, но в полной мере сохраняют свою поглощательную способность. Основанное на этом принципе уравнение удовлетворяет катодолюминесценции марганца в фосфате кальция, но не оправдывается на других люминофорах [38, 40]. Позже предполагалось, что в случае близкого расположения двух атомов активатора поля их перекрывают друг друга и взаимно понижают излучательную способность [214]. На основе обеих идей было дано уравнение, удовлетворительное для люминесценции уранила во фторидах кальция и натрия [184]. Оба уравнения, однако, в равной мере не обладают универсальностью и не приложимы к любым концентрационным кривым. Взаимоотношение между активатором и трегером усложнено рядом привходящих, трудно контролируемых в эксперименте факторов. Для определения эффективного радиуса действия атома активатора в каждом частном случае необходимо учитывать форму внедрения чуждых атомов в решётку, равномерность их распределения и степень взаимодействия энергетического спектра включения с потенциальньш полем кристалла. [c.53]

Для обозначения кристаллофосфоров принят следующий порядок краткой записи их состава на первом месте пишется основание, на втором— активатор, на третьем—плавень. В случае надобности при активаторе и плавне указывается их процентное содержание. Если фосфор обладает несколькими полосами излучения, то после символической записи химического состава указывается наименование исследуемой полосы излучения. Запись ZnS-2-10 u обозначает цинк-сульфидный фосфор, активированный медью количество меди составляет 0,02% по отношению к весу сернистого цинка. Расчёт состава даётся по весу его компонентов в шихте до прокаливания. Запись ZnS (80%) dS (18%) MnS (2%) обозначает фосфор со сложным основанием из смешанных кристаллов ZnS и dS, активированный марганцем. При записи должнд быть оговорено, берутся ли части фосфора в весовом или молекулярном отношении. [c.287]

Следует иметь в виду известную условность любых ионных радиусов в том смысле, что они пе являются строго ио1шыми. Так, расчёт по данным электронной плотности показывает, что в кристалле Na I эффективные заряды частиц (в е-единицах) равны приблизительно 0,85, т. е. уже заметно отличаются от нх значностей ( 1). По мере роста последних такие расхождения увеличиваются. Например, в кристалле MgO эффективные заряды частиц гораздо ближе к 1, чем к 2, т. е. они фактически не являются двухзарядными ионами Mg и О ", как мы их считаем, говоря о радиусах. [c.151]

Волномеханические теории химической связи в первую очередь занимались двуатомными, а затем многоатомными молекулами. Образование же кристалла, как проблема расчёта очень сложной системы, стало предметом всесторонних исследований значительно позже. [c.188]

Здесь мы оставляем в стороне вопрос о том, как прп сопоставлении теоретической работы смачивания с экспериментально наблюдаемой теплотой погружения кри-стал.ла в жидкость (имея в виду возможность хемсорбции) выделить в последней теплоту адсорбции жидкости (это же замечание относится и к расчётам по адсорбции ОН-грунпы кристаллом Na l). [c.92]

Если желательно производить измерения при высоких температурах, то пользуются составным стержнем, состоящим из трёх частей. Первая часть — колеблющийся кристалл, вторая — стержень из плавленого кварца, передаюидий колебания третьей части стержня, изготовленной из исследуемого вещества. Передающий стержень необходим, поскольку при температуре 570° кварц переходит из а-модификации в -модификацию, не обладающую пьезоэлектрическим эффектом. Для стержня, состоящего из трёх частей, можно получить уравнения для расчёта собственной частоты, аналогичные (2.12). [c.103]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология