Кристаллографический фактор

Неравномерность распределения деформационного микрорельефа и соответственно запасенной энтальпии деформации в разных точках вызывает значительную деформационную микро-электрохимическую гетерогенность в масштабах как одного зерна так и всей поверхности вследствие действия кристаллографического фактора. На электрохимическую неоднородность, обусловленную различиями в кристаллографической ориентации зерен, вышедших на поверхность металла, накладывается деформационная микроэлектрохимическая неоднородность, вызванная неравномерным распределением деформации внутри зерен и между различными зернами, имеющими различную ориентацию относительно направления приложенного напряжения. [c.173]

Традиционный кристаллографический фактор Е определяют как [c.412]

Действительно, при термодинамическом описании равновесия и фазовых превращений I рода в твердом теле, сопровождающихся большим скачком мольных объемов, возникают определенные трудности, связанные с наличием гистерезиса в параметрах перехода при прямом и обратном превращениях, а также с необходимостью создания и, следовательно, учета конечного пересыщения для образования критического (жизнеспособного) зародыша новой фазы. Величина гистерезиса определяется наряду со скачком в объеме, а также различиями в модулях упругости фаз и кристаллографическими факторами, связанными со сложностью их структур. Поскольку характерной особенностью твердых тел является возникновение и развитие в них значительных градиентов напряжений, то становится понятным физический смысл моио-тропности многих типовых фазовых переходов I рода в твердом теле (например, графит — алмаз). [c.303]

Само по себе понятие равновесия, как выше обсуждалось, может иметь различный физический смысл при фазовых превращениях, тем более протекающих в твердых телах. Действительно, поскольку деформационный член зависит от степени когерентности межфазных границ и времени релаксации т, а также от кристаллографических факторов обеих фаз, то в общем случае без дополнительных допущений нельзя его нормировать ни на объем (т. е. включить в AGv), ни на площадь поверхности (т. е. включить [c.304]

Известно также, что кристаллографический фактор определяет и стабилизирует форму частицы с этапа ее зарождения до определенного размера, при котором нарушается условие когерентности поверхности раздела фаз. Этот размер обычно мал и превышает размер критического зародыша не более чем на один порядок. Кроме того, кинетика поверхностных процессов стаби-лизи.рует форму частицы до тех пор, пока она не достигает размера, при котором происходит переход от роста, лимитируемого кинетическими явлениями, к росту, лимитируемому диффузией. Причем этот стабилизирующий механизм действует независимо от анизотропии удельной свободной поверхностной энергии. Таким образом, кинетические явления эффективно стабилизируют форму кристалла, пока они лимитируют скорость его роста. В приближении сферической формы кристалла и послойного механизма его роста можно определить порядок величины критического размера кристалла Rkp, соответствующего переходу к росту, лимитируемому диффузией, из следующего выражения [c.373]

Приведенные экспериментальные данные иллюстрируют некоторые теоретические положения, касающиеся морфологической устойчивости кристаллов. Одним из условий, определяющих гран-ную форму кристалла, является минимальная величина его удельной свободной поверхностной энергии (кристаллографический фактор). В алмазе наименьшим значением этой энергии обладают грани 111 , поэтому преимущественное или абсолютное образование октаэдрических плоскостей на этапе зарождения и первоначального роста кристаллов в этом случае закономерно. 372 [c.372]

Переход от активного растворения к транспассивному сопровождается изменением состояния поверхности обработанного образца. При этом играют роль кристаллографические факторы. [c.184]

Здесь То — равновесная температура, N — число мест на поверхности и — число занятых мест. Параметр а ( / 7 о)/й зависит от скрытой теплоты процесса Ь и кристаллографического фактора (fгl< l), величина которого показывает, какая часть всех близлежащих соседей данного атома расположена в плоскости, параллельной рассматриваемой кристаллической [c.379]

Активность частиц, занимающих такие положения, в которых они оказываются ненасыщенными, зависит также от чисто физических и кристаллографических факторов. Участки с высокой активностью рекристаллизуются (что обычно невыгодно для каталитических процессов) при более низких температурах, а при одних и тех же температурах — с большей скоростью, чем менее активные участки на поверхности твердого катализатора. [c.6]

Методы направленной кристаллизации легированных расплавов приводят (за исключением случая, когда /С=1) к закономерной макронеоднородности распределения примеси по длине слитка. Распределение примеси по сечению кристалла перпендикулярно оси роста зависит от большого числа технологических и кристаллографических факторов, не поддающихся точному учету. [c.327]

Полученные результаты для имидов малеиновой кислоты с различными заместителями у азота показывают, что структура мономерного имида, рассматриваемая с точки зрения электронных представлений, по-видимому, не является ответственной за его способность к твердофазной полимеризации. Возможно, более существенными являются какие-то другие, вероятнее всего кристаллографические факторы. [c.200]

РОЛЬ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ В КОРРОЗИИ [c.335]

Если угловая разница между атомными слоями в двух соседних зернах известна, то можно вычислить теоретическое расстояние между дислокациями. Фогель нашел, что на германии, протравленном в смеси азотной, фтористоводородной и уксусной кислот с небольшим количеством брома, расстояние между ямками травления хорошо согласуется с вычисленным расстоянием между дислокациями. Эта работа, оставляющая глубокое впечатление, несомненно говорит о том, что ямки травления в этом случае образуются в местах дислокаций, хотя остается неопределенным, является ли ответственной за коррозионные язвы дислокация сама по себе или же наличие посторонних атомов (может быть железа), ассоциированных с дислокацией. Каким бы оно ни было, явление достойно изучения как способ доказательства влияния кристаллографических факторов на коррозию [38]. [c.351]

РОЛЬ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ Б КОРРОЗИИ [c.352]

РОЛЬ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ в КОРРОЗИИ [c.356]

Обобщая приведенные выше результаты, можно заключить, что этап зарождения алмазной фазы завершается образованием микрокристалла, октаэдрическую форму которого определяет и стабилизирует кристаллографический фактор в течение всего периода его роста до размера, при котором нарушается когерентность поверхности раздела фаз. Причем на данном этапе скорость роста алмаза лимитируется кинетикой поверхностных процессов, что продолжает обеспечивать образовавшуюся гранную форму кристалла вплоть до его размера порядка м, когда происходит смена механизма, лимитирующего скорость роста алмаза. В условиях диффузионного механизма переноса вещества в растворе и относительно низкой скорости роста кристаллов дестабилизирующими их исходную гранную форму роста факторами могут быть анизотропия адсорбции примесей и других структурных дефектов различными гранями, а также химизм и симметрия питающей среды. Наблюдаемое экспериментально резкое падение величины коэффициента а при увеличении размера кристаллов от минимального до 10 м и является следст- [c.373]

Обратимся к данным, касающимся термической (следовательно, радикальной) иолимеризации параацетамидостирола (АС) и парабензамидостирола (ЕС). Это кристаллические вещества с т. пл. 147 и 178° соответственно. Их термическая полимеризация, которую недавно исследовал Моравец [18], интересна как пример ориентированного роста цепи при полимеризации винильных мономеров в твердом состоянии. Для обоих мономеров установлена кристаллическая структура,благодаря чему наблюдаемые нри полимеризации эффекты могут быть приведены в соответстие с чисто кристаллографическими факторами. [c.461]

Модель Джексона. Модель Джексона [42, 43] поверхностной шероховатости кристалла, контактирующего с собственным расплавом, уже была изложена в гл. II и дополнительно обсуждалась в разд. 16, посвященном структуре фазовой границы. Основной параметр этой модели а определяется в виде (Ь1кТо)1к, где То — равновесная температура (температура плавления при росте из расплава), Ь — скрытая теплота плавления, а кристаллографический фактор /й 1 (в модели ближайших соседей это есть доля общей энергии связей, приходящаяся на взаимодействие молекулы с другими молекулами во вновь образующемся слое, параллельном рассматриваемой плоскости). Если а < 2, то фазовая граница шероховата и, следовательно, кристалл для своего роста не нуждается в ступенях при а > 2 имеем гладкую фазовую границу, что делает ступени необходимыми для роста (см. фиг. 7). [c.466]

Ряд таких моделей обсуждался в многочисленных работах по теории кинетики топохимических реакций и в первую очередь в работах, относящихся к закономерностям образования ядер твердого продукта. При обсуждении этого вопроса следует иметь в виду, что ядра обычно представляют собой трехмерные образования конечных размеров. Это означает, что для образования ядра необходим ряд последовательных актов реакции. Поскольку молекулярные объемы твердых фаз рёагента и продукта в общем случае различны, реакция в доядерный период и само образование ядер должны сопровождаться деформацией кристаллической решетки твердого реагента (соответствующие конкретные расчеты приведены, например, в работах [8, 9])., Этот факт имеет значение в двух аспектах. Во-первых, скорость процесса образования ядер определяется не только химическими, но и кристаллографическими факторами. В соответствии с этим изменяется и физический смысл кинетических параметров, определяемых из экспериментальных данных. Во-вто-рых, образование ядер фазы твердого продукта происходит, очевидно, в тех местах, где энергетические затраты минимальны. Такими местами могут являться различные поверхностные дефекты, выходы дислокаций на поверхность кристалла, Р-цент-ры и др. Поскольку концентрация этих мест ограничена, возникли представления о потенциальных центрах зародышеобра-зования, постепенно исчерпывающихся по мере протекания реакции. Такие представления, применимые, естественно, лишь к неравновесным дефектам, требуют учета уменьшения количества дефектов в ходе реакции в результате их поглощения растущими ядрами. [c.39]

Исключительный интерес представляет глава X, посвященная влиянию кристаллографических факторов на коррозию. В ней сделана попытка рассмотреть вопросы структурной коррозии с точки зрения современных представлений о металлическом состоянии поведение отдельных граней кристаллов, накопление примесей у границ, роль напряжений и пленок, электрохимические свойства структурных составляющих, применение теории дисло- каций к явлениям коррозии. [c.6]

Вероятность воздействия на границы зерен, особенно в растворах кислот, зависит как от кристаллографических факторов, так и от чистоты металла. Лакомб и Яннаки показали, что в результате действия 10%-ной соляной кислоты на очень чистый алюминий коррозии подвергаются те границы соседних зерен, между направлениями которых имеется большая разница. Вопрос сложный, и будет ли разъедаться отдельная граница или нет — зависит от угла наклона плоскости границы по отношению к рядам плотно упакованных атомов, а также от относительной ориентировки этих рядов в двух кристаллах таким образом, иногда одна часть границы пострадает, в то время как другая часть той же границы останется незатронутой на одном образце прямая часть границы, разделяющая два двойниковых кристалла, оставалась неизмененной, а искривленная часть разъедалась так как атомные ряды в двойниковых находятся в положениях зеркального отражения, то разрыв структуры, благоприятный для разъедания при прямой границе, будет отсутствовать [34]. [c.349]

Так как алюминий, использованный в работе Лакомба, был исключительно чистым, то его опыты одновременно подтверждали, что воздействие определялось только кристаллографическими факторами, а не примесями. [c.349]

Работа Гуотми по растворению медных шаров является противоположной опыту Наккена. Медный монокристалл был выточен в форме шара и подвергнут анодному травлению в фосфорной кислоте, катодом служила сфера большего размера, помещ,енная концентрически вокруг него. Ясно, что если бы скорость коррозии управлялась не кристаллографическим фактором, а каким-то другим, то анод оставался бы сферой, становясь постепенно меньше. В действительности же контроль оказался кристаллографическим и появились кристаллические грани. [c.353]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология