Определение расстояния между параллельными прямыми

Определение высоты волны. Существует несколько методов определения высоты волны в зависимости от формы полярографической кривой [55]. В наиболее точном методе снимают полярограмму чистого фона и затем фона с деполяризатором и при одном и том же потенциале в области предельного тока деполяризатора определяют высоту волны как разность между током фона и предельным током деполяризатора. Для серийных анализов определяют, однако, высоту волны к на одной полярограмме, проводя через точку на кривой, соответствующую потенциалу полуволны, прямую параллельно оси ординат расстояние между точками пересечения этой прямой с продолжениями прямых ветвей полярографической кривой до и после волны определяет высоту волны (рис. 4.7). [c.131]

Определение расстояния между параллельными прямыми [c.79]

Более строгий подход к решению этого вопроса был разработан японскими исследователями. Так, Фуками [63, 137] указывает на следующие два способа экспериментального определения разрешения реплик 1) измерение закругления на микрофотографии реплики с объекта, имеющего в действительности острые углы и 2) измерение на снимках реплик минимального расстояния между двумя прямыми параллельными линиями, которые еще различимы в отдельности. [c.113]

Остаточный ток должен определяться при тех же самых условиях, в которых получена полярограмма самого вещества (рис. 22). При Определении высоты второй волны проводят касательные к наклонной части волны, к площадке между первой и второй волнами, и к части кривой, соответствующей предельному току. Высота второй волны определяется как расстояние между двумя прямыми, проведенными через точки пересечения касательных параллельно оси абсцисс. Потенциал полуволны еч, — это расстояние между нулевым потенциалом и точкой пересечения с осью абсцисс [c.75]

По нашему мнению, наиболее точным методом определения переходного времени является графический метод, предложенный Драчкой [86]. Сущность метода понятна из построения на рис. 5-1. Прямая 1 является касательной к точке в конце начального участка ф — -кривой, прямая 2 — касательной к точке перегиба, прямая 3—касательной к точке на конечном участке ф — -кривой, перпендикуляр 4 опущен на ось времени из точки пересечения линий I а 2, перпендикуляр 5 — из точки пересечения прямых 2 и 3, расстояние между ними равно переходному времени т. Эта величина переходного времени является неточной. Для внесения поправки на заряжение двойного слоя проводят линию 6, параллельную оси времени, которая проходит через точку пересечения перпендикуляра 4 с ф — -кривой, и линию 7, параллельную касательной 1 и проходящую через точку пересечения перпендикуляра 5 с кривой ф — 1. Искомой величиной переходного времени является величина Xfd [c.116]

В любом кристалле через атомы можно провести прямые и плоскости. Параллельные друг другу плоскости составляют семейства. Ввиду трехмерной периодичности можно получить неограниченное число таких семейств. Каждое семейство будет характеризоваться определенным расстоянием с ,- между двумя соседними плоскостями и ориентацией данного семейства плоскостей относительно выбранной системы координат. Для каждой сингонии выбирают свою систему координат. [c.324]

В соответствие определенные наборы параллельных плоскостей. Индексы узлов обратной решетки кЫ соответствуют таким же индексам плоскостей прямой решетки. Важно ясно представлять себе, что параметром, определяющим расстояние между узлами обратной решетки, является межплоскостное расстояние в прямой решетке, а не расстояние между ее узлами. На рис. 6 показана связь между прямой двухмерной решеткой и соответствующей ей обратной решеткой. Трехмерная решетка состоит просто из слоев двухмерных решеток, а связь между этими слоями определяется системой кристалла. [c.23]

Наличие свободных ионов в большинстве случаев подтверждается прямыми измерениями электропроводности, которые в последнее время применяли для определения выхода ионов [6]. Удельная электропроводность а была найдена обычным способом определением Ы/5У, где 5 — площадь поверхности, параллельной плоскому электроду Ь — расстояние между электродами / — ток в измерительной ячейке V — приложенное напряжение. Величина а связана с концентрацией с и подвижностью ц свободных ионов уравнением [c.251]

В первую группу входят методы центробежный, согласно которому пленка под действием центробежных сил срывается с субстрата, установленного в центрифуге пневматический — под покрытие подается под давлением воздух и по давлению, при котором происходит отслаивание, определяют прочность связи пленки с основой баллистический, по которому покрытие отрывается от субстрата выстреливаемой пулей, расположенной под покрытием решетчатого надреза, в котором мерой адгезии является участок покрытия, не отслаивающийся при прорезании покрытия рядом прорезей, параллельно расположенных под прямым углом друг к другу метод штифтов, по которому покрытие срезается при кручении штифтов, расположенных заподлицо с поверхностью субстрата и изготовленных, как правило, из того же материала, что и субстрат метод срезания покрытия резцом (отслаивания к.тином). Большинство из этих методов не нашли широкого применения из-за технических сложностей и трудности определения адгезионной прочности покрытия. Наиболее прост метод решетчатого надреза, который включен в ряд стандартов на испытания лакокрасочных покрытий (в зависимости от типа п толщины покрытия расстояние между прорезями составляет от 0,5 до 2 мм). Однако это испытание— скорее технологическая проба, поскольку результат измерений трудно интерпретировать в терминах прочности. При определенных ограничениях вполне пригоден и метод штифтов [9], хотя для этих испытаний необходимо изготавливать до- [c.20]

Основным и наиболее прямым методом определения структуры являются дифракционные методы, использующие рентгеновские лучи или же нейтронные или электронные пучки. Эти методы обычно применяются для исследования кристаллических образцов. Дифракция возникает тогда, когда излучение (в частности, это может быть видимый свет) проходит через узкую щель или через решетку, состоящую из параллельных близко расположенных щелей. При этом пучок отклоняется (дифрагирует), и дифрагированные пучки создают интерференционную картину светлых и темных полос. Характер интерференционной картины определяется длиной волны излучения и шириной щели или расстоянием между щелями в дифракционной решетке. Для получения интерференционной картины необходимо, чтобы длина волны излучения была сравнима с шириной щели или шагом решетки. Расстояния между атомами в кристаллической решетке того же порядка, что и длина волны рентгеновских лучей, поэтому кристаллы могут служить дифракционной решеткой для рентгеновских лучей. Техника рентгеноструктурного анализа кристаллов была впервые развита в 1912 г. М. Лауэ, а теоретическое обоснование этого метода было сделано В. Г. Брэггом и В. Л. Брэггом. [c.51]

Часто нитевидные разрушения до определенного расстояния от центра идут по прямой и затем поворачиваются резко в сторону. Если головная часть нитевидного разрушения подходит близко к ранее образованному следу или встречается со следом, идущим из другого центра, направление растущего нитевидного разрушения изменяется либо резко под углом, либо дальнейшее развитие разрушения продолжается параллельно старому следу, не соприкасаясь с ним почти никогда нитевидные разрушения не пересекаются между собой [c.456]

Сила диффузионного тока, обусловленного электрохимическим процессом, происходящим на капельном ртутном электроде, пропорциональна концентрации реагирующего вещества в растворе. Поэтому определение концентрации сводится к измерению высоты полярографической волны. Это измерение практически принято проводить по способу Хона так, как показано на рис. 10. Высоту волны находят, продолжая линии АВ, ВС и СВ до пересечения и проводя через точки пересечения О и Р (Прямые линии, параллельные оси абсцисс. Расстояние между этими линиями определяет высоту Рис. 10. Графический метод опре- полярографической вол-деления высоты волны. -Ы п. [c.22]

Синусные линейки. Синусная линейка (фиг. 83, а) представляет собой стальной брусок 2 с точно обработанными и отшлифованными плоскостями, на котором жестко закреплены два цилиндрических ролика / и <3 одинакового диаметра, на строго определенном расстоянии друг от друга. Оси роликов должны быть параллельны измерительной поверхности линейки. Если линейку установить так, как показано на фиг. 83, б, и высоту Н определить точно с помощью блока концевых мер, то, зная расстояние между роликами L, можно определить угол а. На фиг. 83, б видно, что в прямоугольном треугольнике AB катет (катетами называют стороны прямоугольного треугольника, образующие прямой угол) ВС равен Я, т. е. высоте блока концевых мер. Гипотенуза АВ (сторона треугольника, лежащая против прямого угла) тоже известна — она равна длине L. Обычно линейки изготовляются с расстоянием L, равным 100 или 200 мм. Отношение длины катета, лежащего против острого угла прямоугольного треугольника (т е. катета ВС), к гипотенузе называется синусом этого острого угла и обозначается sin. В нашем случае синус угла а будет равен отношению катета ВС (который равен Н) к гипотенузе [c.170]

На рис. 144 показано влияние расстояния к от дефекта цилиндрической формы до плоской поверхности контролируемого изделия на рассеивание отраженных лучей. При значительном расстоянии Н дефекта от поверхности изделия искатель принимает энергию только центрального луча, а начиная с некоторого расстояния /11 и бокового. На направленность рассеянных лучей оказывает влияние не только расстояние от дефекта до граничной поверхности, но и ее форма (рис. 145). Если условно представить себе поверхность усиления сварного шва в виде части цилиндра с центром О, то при определенном положении дефекта она будет играть роль фокусирующего отражателя. В случае плоской граничной поверхности боковой отраженный луч не попал бы на искатель, а при отражении от цилиндрической поверхности он изменил бы свое направление на угол 7, равный значению угла между касательной в точке падения и плоскостью, параллельной поверхности изделия. Например, когда дефект обнаруживается прямым [c.204]

Определение потенциала полуволны. Линейные части полярографических кривых продолжают до и после волны и проводят параллельную прямую, делящую расстояние между ними пополам. Точка пересечения ее с кривой даст значение потенциала полуволны (рис. 4.7). Этот потенциал измерен по отношению к потенциалу неполяризуемого электрода сравнения, часто донной ртути. Для получения сравнимых данных определяют потенциал это о электрода по отношению к определенному электроду сравнения или к полярографируемому раствору добавляют раствор и снова снимают [c.130]

Совершенно ясно, что тонкая структура спектров ЯМР жидкостей не обусловлена прямым магнитным взаимодействием через пространство спиновых магнитных моментов (диполей) ядер, хотя подобное взаимодействие играет важную роль при исследовании спектров твердых тел [5, стр. 152 и сл.]. Теоретически показано, что благодаря тепловому хаотическому движению молекул составляющая локального поля у любого ядра, параллельная внешнему полю и возникающая в результате прямого взаимодействия диполей, усредняется до нуля [5, тр. 118]. Это эмпирически подтверждается тем, что резонансные спектры жидкостей, обусловленные только магнитноэквивалентными ядрами, ни при каких условиях не расщепляются. Например, наличие в метильной группе трех протонов сказывается на площади резонансной кривой, но не на ее множественности (см. рис. 5,6). В настоящее время считается, что тонкая структура обусловлена косвенным взаимодействием ядерных спннов через валентные электроны. Хотя суммарный спиновый магнитный момент электронов в ковалентной связи или заполненной оболочке благодаря спариванию электронных спинов равен нулю, ядерный диполь вызывает слабую магнитную поляризацию валентных электронов [32—34]. Электронная спиновая плотность, не равная нулю, появляется в других облястях связи и в зависимости от степени делокализации электронов, возможно, на более далеких расстояниях. Соседний ядерный диполь взаимодействует со спиновой плотностью в этой области, и (квантованная) энергия системы зависит от относительной ориентации обоих спиновых моментов ядер, а также от их ориентации во внешнем магнитном поле. Подобное косвенное взаимодействие не усредняется в жидкостях до нуля за счет хаотического движения молекул и вызывает расщепления, не зависящие от внешнего поля, имеющего определенный порядок величины [32]. Кроме того, как будет показано далее, постулированное взаимодействие таково, что взаимодействие между полностью эквивалентными ядрами не приводит к появлению таких эффектов, которые можно было бы установить экспериментально. [c.289]

Линейная шкала (по Баушу и Ломбу),, наиболее подходяп] ая для работы с высокой точностью представляет собой тонкую металлическую или стеклянную пластину, на которую нанесен ряд параллельных штрихов. На темном фоне светлые штрихи кажутся широкими, что благоприятствует точным измерениям. Шкала имеет двадцать интервалов но 100 мк каждый, а слева имеется еш е двадцать интервалов по 10 мк. Калибровка мoя eт быть проведена в пределах от (),5 до 1 мк при измерении вдоль оси, которая разделяет концы двух последних штрихов. Это обеспечивает стандартное расстояние, определенное с точностью 0,05%. Отдельные интервалы нельзя считать равными, и их следует измерять с помо-ш ьго дополнительной калибровки. Дополнительную калибровку интервала в 100 мк проводят, применяя объектив с 45—65-кратным увеличением с измеряющим окуляром. Производится измерение каждого интервала, увеличенного до получения максимального изображения измеряемого промежутка. Абсолютная величина расстояния прямо пропорциональна известному расстоянию между конечными штрихами. Также измеряют интервал в 10 мк, но такая калибровка необязательна при измерении размеров зерен ионита. Результаты измерений при дополнительной калибровке приведены в табл. 6.1, [c.343]

В США для определения чувствительности бризантных В. В. к трению применяют прибор типа маятника (рис. 14). Он состоит из наковальни и качающейся части— башмака. На наковальне лежит испытуемое В. В. При прохождении над наковальней башмака В. В. испытывает косой удар, который может вызвать его воспламенение или взрыв. Башмак прикреплен к прочному стальному стержню, который соединен с горизонтальной осью качания. Концы ос лежат на двух рамах, прочно связанных между собой. Нижняя часть рамы на одной половине прибора укреплена болтами в бетонно.м фундаменте. На другой она может подниматься или опускаться при помощи особых приспособлений, что дает возможность поднять или опустить ось качания маятника и таки.м образом установить надлежащим образом положение башмака над поверхностью наковальни. Наковальня—стальная плита, размерами 12X31/ дюйма, толщиной 11/2". соединенная с большой металлической массой, забетонированной в фундаменте. Верхняя часть наковальни гладкая, полированная. В центре под прямым углом к длинной оси идут три параллельные бороздки, 2 Дб" длиной и глубиной при расстоянии между [c.658]

Метод экспериментального определения жесткости при изгибе, удобно применимый для резино-текстильных изделий (плоских и клиновых ремней, рукавов, технической пластины), предложен Штекертом [24]. Прямой участок испытываемого изделия изгибают и-образно по схеме рис. 159 в приспособлении, состоящем из двух параллельных планок пантографа. Усилие Р (в ЮН) и расстояния а (в см) измеряют расстояние между нейтральными поверхностями Ь (в см) рассчитывают, исходя из геометрических размеров [c.265]

Определение потенциала полуволны. Линейные части полярографических кривых продолжают до и после волны и проводят параллельную прямую, делящую расстояние между ними пополам. Точка пересечения ее с кривой даст значение потенциала полуволны (рис. 4.7). Этот потенциал измерен по отношению к потенциалу неполяризуемого электрода сравнения, часто донной ртути. Для получения сравнимых данных определяют потенциал этого электрода по отношению к определенному электроду сравнения или к полярографируемому раствору добавляют раствор Т12504 и снова снимают полярограмму. Так как потенциал полуволны таллия независимо от состава раствора равен —0,49 В по отношению к нормальному каломельному элект- [c.130]

При изучении влияния олигонуклеотидов на спектры поглощения ряда красителей в видимой области было получено доказательство, подтверждающее тот факт, что плоскости пуриновых и пиримидиновых оснований в этих полимерах расположены друг над другом. Широко изучено связывание нуклеиновыми кислотами некоторых плоскостных основных красителей и аминоакридинов [35— 51]. Основные красители, проявляющие метахроматизм при взаимодействии с полиэлектролитами, характеризуются тем, что их водные растворы не подчиняются закону Ламберта — Бера. Это отклонение обусловлено агрегацией молекул красителя в концентрированных растворах. Долгое время считали, что агрегация происходит за счет того, что молекулы ароматического соединения укладываются друг над другом так, что их плоскости параллельны, причем нити агрегатов удерживаются вместе за счет лондоновских дисперсионных сил, возникающих между я-электронными системами, вследствие чего появляются изменения в спектре поглощения в видимой области. Связывание таких красителей нуклеиновыми кислотами в разбавленном растворе приводит к аналогичным эффектам (рис. 8-2). Прямая корреляция метахроматичности красителей (за счет определенной упаковки молекул) с гипохромизмом олигонуклеотидов вытекает из тех наблюдений [52, 53], которые показывают, что силы, действующие между циклами соседних ионов в агрегатах красителей в концентрированных растворах, характеризуются равновесным расстоянием 3—4 А. Отрицательный дихроизм окрашенных волокон ДНК (при использовании толуидинового голубого) в видимой области указывает на то, что в таких случаях плоскостные поглощающие группировки красителя расположены в основном под [c.528]

При любом числе компонентов в основу изображения составов берется равнобедренный прямоугольный треугольник, хотя принципиально воз-М0Ж1Ю применение треугольников и другой формы. Сумма содержаний всех компонентов состава принимается постоянной, нанример равной 100, и геометрически приравнивается длине катета треугольника. Отрезки, пропорциональные содержаниям компонентов, откладываются в определенном постоянном порядке от вершины прямого угла в направлениях, попеременно параллельных катетам треугольника. Так, при наличии четырех компонентов откладываем содержание а в горизонтальном нанравлении вправо от вершины О (фиг. 29), затем содержание Ь — кверху от конца отрезка а, а содержание с — горизонтально вправо от конца отрезка Ь. Расстояние полученной точки до гипотенузы треугольника как в горизонтальном, так и в вертикальном направлениях будет равно содержанию (1, поскольку сумма содержаний всех четырех компонентов приравнена длине катета основного треугольника. Отложенный нами горизонтальный отрезок с и служит вектором, изображающим четырехкомпонентный состав М (фиг. 29). Таким обра-. зом, в диаграмме четырехкомпонентной системы все векторы состава параллельны между собою. Чистый компонент А изобразится, очевидно, правой координатной точкой треугольника, чистый компонент В — верхней вершиной, а чистый компонент В — вершиной прямого угла. Чистый компонент С изобразится вектором, совпадающим с нижним катетом треугольника. Соответственно расставлены буквы А, В, С, О на фиг. 29 (см. также стр. 67—68). [c.66]

Однако, несмотря на сравнительно больщое количество работ, посвященных этим вопросам, до сих пор нельзя со всей определенностью сказать, что является причиной, а что следствием процесса некрозообразова-ния. Пока ясно, что как при образовании самого некроза, так и на значительном расстоянии от него повыщается активность фермента пероксидазы и это увеличение активности идет параллельно с формированием приобретенной устойчивости [Vegetti et al., 1975]. Чтобы понять, какой из трех ферментов играет наиболее важную роль в некрозогенезе, эти исследователи провели опыты с бобовыми растениями, инфицируя их вирусом мозаики люцерны. Авторы пришли к выводу, что, вероятно, пероксидаза в клетках устойчивых растений играет гораздо больщую роль, а не только участвует в локализации вирусной инфекции. Активизация полифенолоксидазы в местах образования некрозов является вторичным эффектом, так как нет прямой зависимости между образованием некрозов и повыщением активности этого фермента. [c.92]

Несмотря на то, что определение произведения АР в общем случае требует интегрирования зависимости, такой как (4-6), существует ряд задач теплообмена между поверхностями, для ре- щения которых возможно прямое алгебраическое вычисление этой величины. Рассмотрим бесконечные в одном направлении поверхности, образованные прямой, передвигающейся параллельно самой себе все поперечные сечения, перпендикулярные бесконечному размеру, одинаковы. Над верхней излучающей стороной поверхности А] (рис. 4-6) проводятся все возможные прямые линии, представляющие касательные к парам точек и образующие нпьую поверхность А, , которая не имеет положительной кривизн-,I, а потому не может видеть саму себя. Чтобы завершить построение замкнутой системы, добавляем воображаемую поверхность А2, равную по форме и поверхности размерам А/ и смещенную вверх от нее на бесконечно малое расстояние. Ахр12 = А2Р21, но поверхность Лг видит только поверхность Ль поэтому 7 г1 — 1. Следовательно, [c.97]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология