Структура вычитания

Если вакансии образуются преимущественно только в одной под-решетке соединения, то возникает структура вычитания , схема которой такова [c.136]

И. Структуры вычитания и внедрения 1) упорядоченные, 2) неупорядоченные, [c.51]

В структуре могут отсутствовать ионы того или иного вида или одновременно обоих видов в неравных и переменных количествах — структура вычитания. [c.109]

Структура деления возникает, когда в одной из подрешеток соединения постоянного состава больше узлов, чем соответствующих атомов в формуле соединения. При этом часть узлов оказывается не занятой постоянными заместителями (рис. 71, д). Атомы в подрешетке распределяются статистически между большим числом узлов. Структура имеет постоянный состав, но отличается от структуры вычитания. [c.220]

Соединения, в которых может быть недостаток атомов только в одной подрешетке металла или неметалла, мы относим к односторонним фазам (рис. 1Л .6, а). Так, например, у сульфида цинка обнаружены вакансии в подрешетке серы, у сульфида меди — в подрешетке меди. Соединения, у которых может быть недостаток атомов как п подрешетке металла, так и в подрешетке неметалла, мы относим к двусторонним фазам [19] (рис. 1.6, Ь). Формулы структур вычитания мы условимся записывать так [c.381]

ПОЛУПРОВОДНИКИ со СТРУКТУРОЙ ВЫЧИТАНИЯ. ЗАВИСИМОСТЬ lg P=f( gа) [c.385]

Классические lg /> = / (1 о) -диаграммы, связывающие электропроводность полупроводников с равновесными условиями синтеза соединений, образующих структуры вычитания, в последние годы [c.387]

Если сульфид имеет структуру вычитания и разрыхления, т. е. содержит и не связанные с зарядом [c.392]

В обоих случаях но уравнениям (VI.37) и ( 1.37 ) возникает электронный сульфид с максимальной проводимостью в точке 2, вызванной максимальной концентрацией связанных с зарядом вакансий структуры вычитания. [c.393]

В заключение отметим, что в чисто теоретическом плане вторая важная проблема ширины областей гомогенности структур вычитания нашла освещение в рамках статистической физики. Здесь же мы [c.396]

О СУПЕРПОЗИЦИИ СТРУКТУР ВЫЧИТАНИЯ И ВНЕДРЕНИЯ ИЛИ СТРУКТУР ВЫЧИТАНИЯ, ЗАМЕЩЕНИЯ И ДЕЛЕНИЯ И НЕКОТОРЫХ СВОЙСТВАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ [c.398]

Суперпозиция структуры вычитания и структуры внедрения. Вхождение атомов А или В в решетку АВ мы рассматривали в свете модели структуры вычитания, например на примере сульфида свинца. Но отдельными авторами выдвигался и иной механизм реакции образо- [c.398]

Состав многих кристаллических оксидов d-элементов является переменным из-за дефектов кристаллической структуры отсутствия нужного атома на своем месте (структура вычитания) оккупации места, предназначенного для атома данного элемента, атомом элемента-партнера (структура замещения) или заполнения пустот (междоузлий) кристалла атомами одного из элементов, образующего соединение (структура внедрения). Все это приводит либо к обогащению оксида кислородом по отношению к его стехиометрическому содержанию (например, от UOj до UO2 3), либо к его обеднению кислородом (например, от FeO до FeOo 9). Дробные индексы говорят не об осколках атомов кислорода, а показывают отношение числа его атомов к числу атомов металла (т. е. на 10 атомов и приходится 23, а на 10 атомов Fe— 9 атомов кислорода). [c.311]

Остановимся на примерах образования различных структур вычитания. Если нагревать в вакууме оксид цинка ZnO, то некоторая часть атомов кислорода покидает кристалл, и состав фазы становится другим ZnOi.j . Если нагревать GaAs в замкнутом пространстве, то атомы As покидают кристалл до тех пор, пока над арсенидом установится давление, равное равновесному давлению паров мышьяка при данной температуре над фазой GaAsj. ,. Число вакансий в структуре арсенида галлия зависит от Г и от объемов кристалла и окружающего пространства. Равновесная система [c.136]

Недостаток атомов одного сорта в кристаллах ABi обычно обусловливается структурой вычитания. Однако это всегда требует доказательства, так как неполностью исключена возможность структуры [c.136]

По [49], структуры вычитания делятся на односторонние и двусторонние. К односторонним относится, например, сульфид кадмия, в котором вакансии возникают только в подрешетке серы ( dSi ), или оксид меди (I) ua-jfO, в котором вакансии возникают только в подрешетке меди. К двусторонним фазам вычитания относятся такие, в которых вакансии могут быть в обеих подрешетках, например оксид титана, сульфид свинца и др. (см. гл. IX, 2). Оксид титана изменяет состав в пределах области гомогенности от TiOo,, до TiOj 3. Нецело-численность индексов, например в составе ТЮо, , указывает на то, что на каждые 100 узлов, занятых в подрешетке титана, приходится 70 узлов, занятых в подрешетке кислорода и 30 незанятых. [c.137]

ТЮ, Zr , ШС, С, Nb , ТаС — формулы предельного насыщения углерохюм. Эти К. снособ1н т образовывать структуры вычитания , т. е. решетки с дефицитом части углеродных атомов, что создает иек-рые области гомогенности, ирплегахо- щие к предельному составу МеС. [c.213]

Структура вычитания (рис. 71, е) характерна для фаз переменного состава. При составе В или АВ1 у соединение АВ может кристаллизоваться так, что часть узлов в подрешетке компонента А или В либо одновременно в подрешетках обоих компонентов окажется незанятой. При этом образуются односторонние структуры (недостаток атомов в подрешетке одного компонента) или двухсторонние (вакансии появляются в подрешетках обоих компонентов). [c.220]

Структура внедрения образуется при размещении атомов в междуузлиях кристаллической решетки. Позиции в междуузлиях могут занимать атомы, входящие в состав соединения (рпс. 71, ж) или примесные атомы (рис. 71, з). Состав твердых фаз первого рода выражается формулами А1+ В и АВ1+у. Отличие ее от структуры вычитания доказывается сопоставлением рентгеновской плотности с пикнометрической атомы внедрения в междуузлиях [c.220]

Знание физической химии позволяет использовать ее закономерности для синтеза полупроводников с заданными свойствами. Являясь в большинстве случаев соединениями переменного состава, полупроводники обусловливают биварпантный характер равновесия, что приводит к необходимости регламентировать условия синтеза как по температуре, так и по давлению. При этом возникают полупроводники с донорными или акцепторными уровнями не только за счет примесей, как обычно рассматривается в физике полупроводников, но и за счет незанятых атомами узлов решетки, вакансий, связанных с размазанным в решетке зарядом. Ничтожные концентрации вакансий, например в структурах вычитания, изменяют электропроводность на много порядков и резко влияют на другие полупроводниковые свойства веществ. Существуют и многие другие физикохимические задачи в этой области, на которых мы остановимся ниже. [c.6]

Таким образом, возникает структура Feg04 типа шпинели, структура вычитания и деления. [c.173]

Но рентгенографические исследования в течение 1925 — 1935 гг. показали, что многие химические соединения образуют структуры вычитания (см. рис. 11.2, с), нанример АВ , как в случае Т1С1 ТаС5 ,, и т. д. С геометрическо и кристаллографической точек зрения проблема выглядит крайне просто часть узлов в подрешетке, допустим металла или неметалла, не занята, возникли вакансии. [c.245]

С химической же точки зрения положение весьма осложнилось. Пока такие фазы обнаруживались среди интерметаллических соединений, соедине1гий неопределенных (по Менделееву), факты не шли вразрез со стехиометрическпми законами химии. Но оказалось, что структуры вычитания образуют оксиды, сульфиды, селениды, теллуриды, нитриды, фосфиды, карбиды, силициды, гидриды и другие классы соединений, издавна причислявшиеся к определенным. А это значит, что либо состав определенных соединений мо кет быть переменным, тогда как будто теряют смысл законы постоянства состава, простых и кратных отношений и т. д., либо такие соединения теряют право именоваться соединениями. [c.245]

При этом были введены формулы типа PbS dS.. ( ii. S. . для структур вычитания, где х — дробь. Если можно указать точные значения X, например TiOf, то общая формула типа TiO . не может полностью удовлетворить, ибо в этой системе возникает ряд фаз и обо-зпаченпе TiO,. не позволяет представить, о какой фазе идет речь TiO , TiOg пли иной. [c.379]

Вакансии могут быть связанными с зарядом и несвязанными. Не связаны с зарядом (хотя и влияют на распределение электронного облака) вакансии в структурах разрыхления и деления. Когда в решетке растворяются нейтральные атомы А (или В) с образованием структур вычитания пли внедрения, этп атомы приобретают заряд. Одновременно такой же заряд противоположного знака должен появиться в решетке либо на вакансии, либо па междуузлии (условно, ибо в действительности этот заряд вполне может быть размазан в решетке). [c.379]

Вопрос о возмои ности образования тепловых вакансий (структуры разрыхления) или связанных с зарядом (структуры вычитания) требует термодинамического расчета. С нагреванием, как это описывал Я. И. Френкель, вакуум растворяется в решетке кристалла, образуя вакансии, причем последние не связаны с зарядами, донорные и акцепторные уровни при этом не возникают. [c.380]

Крпсталлохимические формулы соединений со структурой вычитания. Эти формулы представляют особый интерес, ибо вакансии в [c.381]

Полупроводники СО структурой деления представляют собой интереснейший класс веществ, проникновению в который мы многим обязаны советским исследователям [28], [29], [30]. В этом классе полупроводников открыты необычные и важные факты. К сожалению, остался в тени важный для понимания их полупроводниковых свойств вопрос, не налагается лп на структуру деления структура вычитания иначе говоря, действительно ли являются соединениями постоянного состава GajSeg, GajT g и т. п. Ниже мы к этому вернемся. [c.382]

Структуры вычитания открывают новую страницу физической химии полупроводников, хотя исследование этого рода явлений на полупроводниках началось еще 30 лет назад в работах Вагнера, Шотткп п их сотрудников. В настоящее время это одна пз самых увлекательных глав физической химии полупроводников. [c.386]

Смотреть страницы где упоминается термин Структура вычитания: [c.137] [c.169] [c.169] [c.494] [c.313] [c.488] [c.181] [c.186] [c.116] [c.103] [c.103] [c.104] [c.379] [c.383] [c.384] [c.385] [c.385] [c.392] [c.394] [c.395] [c.396]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология