Арсениды, структура

Кристалл арсенида галлии имеет алмазоподобную структуру. Определить тип и механизм гибридизации орбиталей в атомах галлия и мышьяка и характер образующейся связи. [c.57]

Проведенные расчеты показывают, что этот новый материал является полупроводником с запрещенной зоной с прямыми оптическими переходами, подобный арсениду галлия. В кристаллической структуре все его атомы занимают определенные положения. Однако в отличие от арсенида галлия атомы бакиболов колеблются хаотично. Это беспорядочное поведение в определенной степени делает их похожими на аморфный кремний - компонент недорогих солнечных батарей. Специфический беспорядок в упорядоченной структуре С50 еще предстоит исследовать, но ожидается, что на нем может быть основан соверщенно новый тип полупроводников. [c.152]

Структура арсенида никеля. Наиболее часто встречающимся типом структуры рассматриваемых веществ является структура Ы1А (рпс. 17.1), которая характерна также для многих других фаз МХ, где М — переходный металл, а X — одии из элементов Б-подгрупп IV—V групп (5п, Ав, 5Ь, В1, 5, 5е, Те). Как уже отмечалось в гл. 4 (т. 1), эта структура представляет собой гексагональную плотнейшую упаковку атомов X с атома- [c.500]

Наблюдение картин каналирования электронов полезно для идентификации выделений в кристаллах, определения плоскостей габитуса, изучения взаимной кристаллографической ориентации выделившихся фаз и матрицы, при изучении механизма двойни-кования, дефектов кристаллической структуры и ориентации зерен. Впервые каналирование электронов было установлено при изучении монокристаллов кремния, германия и арсенида галлия. [c.210]

Арсенид галлия (njHpoKo применяемый полупроводник) имеет структуру типа сфалерита (см. рис. 52, а). Об1.ясните строение GaAs, пользуясь методом валентных связей. [c.99]

Кристаллы со структурой алмаза (германий, кремний, арсенид галлия и др.) как при естественном росте, так и прн искусственном выращивании стремятся принять октаэдрическую форму. Это стремление проявляется в том, что при выращивании кристаллов вытягиванием из расплава монокристалл растет не в форме правильного цилиндра с гладкой поверхностью, а имеет на ней более или менее широкие полосы, распределенные по периметру поперечного сечения строго в соответствии с ориентировкой. Если монокристалл ориентирован по осп роста параллельно направлению (III), то хорошо просматриваются три вертикальные полосы, расположенные сим-ме рично через 120°. При направлении роста (100) образуются четыре вертикальные полосы, расположенные на цилиндрической поверхности через 90°. Внешние признаки такого рода могут быть использованы при определении кристаллографической [c.59]

Кристаллохимия арсенидов и антнмонидов (стибидов) скзегдия и иттрия почти не изучена. Во всех остальных случаях реализуются те же кристаллические структуры. В рядах, где катионообразователи— -элементы, сохраняются тетраэдрические структуры. Если катионообразователи — s-элементы I и II групп (Са, Sr, К, Rb), то реализуются структуры типа Na l. [c.52]

В кубической структуре кристаллизуются и нитриды ЭМ. Они очень тугоплавки, например S N плавится при 2900 С. Нитриды гидролизуются уже во влажном воздухе с выделением аммиака. Известны также фосфиды типа ЭР, имеющие структуру Na I. При сплавлении компонентов легко образуются изоморфные фосфидам арсениды, стибиды и висмутиды. Напомним, что элементы подгруппы галлия висмутидов не образуют. [c.175]

Физико-химические свойства арсенида индия. Арсенид индия кристаллизуется в кубической структуре цинковой обманки (сфалерита), аналогичной структуре алмаза, с тем отличием, что в решетке чередуются атомы индия и мышьяка. Атомы каждого сорта образуют свои куби-ческиетранецентрированные подрешетки, каждая из которых смещена относительно другой на четверть диагонали куба. При обычных условиях арсенид индия достаточно устойчив. Окисление на воздухе начинается при 450°С, диссоциация в вакууме — около 720° С. Арсенид индия хорошо растворяется в кислотах, являющихся окислителями, причем процесс идет интенсивнее в присутствии комплексообразователей. [c.69]

Остановимся на примерах образования различных структур вычитания. Если нагревать в вакууме оксид цинка ZnO, то некоторая часть атомов кислорода покидает кристалл, и состав фазы становится другим ZnOi.j . Если нагревать GaAs в замкнутом пространстве, то атомы As покидают кристалл до тех пор, пока над арсенидом установится давление, равное равновесному давлению паров мышьяка при данной температуре над фазой GaAsj. ,. Число вакансий в структуре арсенида галлия зависит от Г и от объемов кристалла и окружающего пространства. Равновесная система [c.136]

Если число атомов в молекуле всегда целочисленное, то и состав молекулярных кристаллов должен выражаться химическими формулами с целочисленными индексами. Иное наблюдается при образовании твердых веществ с координационными решетками. В этих случаях при огромном количестве взаимодействующих атомов А может оказаться другое число атомов В. Отсюда возникает нецелочисленность стехиометрических индексов в формулах таких веществ. Это легко выполняется, если характер связи в решетке близок к ковалентному или металлическому. В типично ионных решетках отклонение от целочисленного значения индексов затрудняется необходимостью полной компенсации зарядов ионов противоположных знаков. Это значит, что если в твердом состоянии соединение не имеет молекулярной структуры, то в зависимости от строения атомов, строения возникающей фазы и характера связи атомов в ней состав соединения и его свойства могут сильно зависеть от путей синтеза, т. е. могут образовываться соединения переменного состава в пределах гомогенности фазы. Такими оказались многие ранее считавшиеся постоянными соединения фосфиды, арсениды, селениды, сульфиды, оксиды, галиды и др. В случае веществ с координационными решетками следует пользоваться термином формульный вес вместо молекулярный вес, так как молекул в таких соединениях нет. [c.137]

Новый диод представляет собой меза-структуру диаметром 5 мкм, изготовленную обычными методами литографии. Поверхность подложки из арсенида галлия вокруг меза-структуры покрывают слоем двуокиси кремния. При таком размере перехода наибольший диапазон изменения эффективного сопротивления диода составляет 100 1. Для обеспечения наиболее эффективной работы смесителя наибольший диапазон изменения сопротивления должен составлять 1000 1. Для этого достаточно уменьшить диаметр перехода до 2 мкм, [c.528]

Другим направлением проводимых исследований является изучение процессов дефектообразования при ионной имплантации пластин арсенида галлия. Прямые экспериментальные исследования с привлечением современных методов дополнялись расчетами по модельным компьютерным программам. Было изучено влияние режимов имплантации, типа и режимов постимплантационного отжига на структуру имплантированных слоев. Установлено влияние поверхности подложки на концентрацию и тип точечных дефектов, образующихся при имплантации. Показано, что в процессе активирующего отжига происходит пространственное разделение межузельных атомов и вакансий и обогащение поверхностного слоя последними. Изучены механизмы влияния дислокационной структуры подложек на характер распределения имплантированной примеси и радиационных дефектов по площади подложек. Результаты исследований представляют практический интерес при разработке процессов импланта-ционного легирования полупроводников. [c.158]

Силициды, германиды и т.п. из-за больших атомных радиусов неметалла, как правило, не образуют фазы внедрения, одиако и среди них имеются соед. с металлоподобными структурами (типа P-W). Низшие сульфиды, селениды,. арсениды переходных металлов (в частности, со структурами типа Na l или NiAs) часто обладают металлич. св-вами. Близкий к фазам внедрения характер имеют бронзы оксидные. [c.42]

П. кристаллизуется в кубич. сингонии а = 5,4175, z = 4, пространств, группа РаЪ крист, решетка построена по типу решетки Na l, в к-рой атомы Fe занимают положения Na, а гантелеобразные пары Sfположения С1, и сосгоит из координац. октаэдров FeSg, соединенных вершинами с образованием гантелей S . Такая структура характерна также для сульфидов и арсенидов Fe(III), Со(II) и N1(11) (т.е. катионов с йР р -гибридизацией). [c.531]

Пленки высокоупорядоченного углерода Сбо можно легко наращивать на кристаллических подложках, таких как арсенид галлия. Это свойство открывает возможность использования таких пленок в производстве микроэлектронных устройств. Можно получать также пленки сверхпроводящего соединения СбоКз с исключительно регулярной структурой. Установлено, что поверхность раздела между кристаллической пленкой Сбо И материалом СбоКз очень [c.152]

Арсениды рубидия и цезия почти не изучены. Арсенид руби-дия КЬзАз — фиолетового цвета, кристаллизуется в гексагональной сингонии структура черного арсенида цезия окончательно еще не выяснена. [c.110]

Фазы А2В2 со структурой арсенида никеля. Металлы типа Аг с элементами первых Б-подгрупп (В ) образуют электронные соединения, обсуждавшиеся выше. С металлами последних Б-подгрупп металлы типа Аз (так же, как А ) склонны давать интерметаллические фазы, приближающиеся по свойствам к простым гомеополярным соединениям структуры этих фаз имеют мало общего со структурами исходных чистых металлов. Для арсенида никеля, подобно типичным сплавам, характерно существование областей гомогенности (твердых растворов) со значительным избытком переходного металла. Из табл. 29.12 Таблица 29.12. Соединения с кристаллической структурой типа NiAs [c.490]

Среди материалов, обладающих электрическими свойствами, обычно рассматр йвают проводники, полупроводники и диэлектрики. Различия между ними определяются характером химической связи и структурой энергетических зон, возникающих в результате взаимодействия атомов или ионов, составляющих кристаллическую решетку. Энергетическая диаграмма полупроводникового кристалла в отличие от диэлектрика характеризуется более узкой полосой запрещенных энергий. Некоторые важнейшие полупроводниковые материалы для электронной техники уже были рассмотрены (германий, кремний, арсенид галлия). В то же время существует много перспективных соединений типа А В (А —Оа, 1п В -8Ь, Аз, Р) и А В1 (А11-2п, Сс1, Hg В -5, 8е, Те). Первые из них обладают исключительно высокой подвижностью носителей заряда, а вторые позволяют в широком интервале изменять ширину запрещенной зоны. Среди диэлектриков со специальными свойствами в первую очередь следует выделить сегнето- и пьезоэлектрические материалы для квантовой электроники, включая активные среды лазеров и мазеров. Первые из них склонны к поляризации только пол влиянием внешних механических воз- [c.164]

СН20Ме). При восстановлении литием или калием в диметоксиэтане происходит ступенчатое присоединение двух электронов. Сначала образуется сине-зеленый анион-радикал (398), спектр ЭПР которого не имеет тонкой структуры, затем — красно-фиолетовый арсенид (396) (схема 168). [c.400]

Смотреть страницы где упоминается термин Арсениды, структура: [c.432] [c.317] [c.426] [c.470] [c.49] [c.227] [c.365] [c.366] [c.303] [c.170] [c.256] [c.388] [c.378] [c.204] [c.204] [c.55] [c.58] [c.509] [c.601] [c.489] [c.288] [c.509] [c.601] [c.489]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология