Потенциал диффузный

Интегрируя уравнение (П. 95) от б до л и соответственно от потенциала диффузного слоя фй до фх, получим [c.57]

При очень высоких потенциалах (фв> ЮО мВ) коэффициент Y= 1. Интересно, что в этом случае потенциал ф перестает зави- сеть от потенциала диффузного слоя ф . Выражения (П. 96), [c.57]

Принимая во внимание, что коагуляция происходит в результате уменьшения потенциала (нейтрализационная) и сжатия диффузной части двойного электрического слоя (концентрационная), можно считать, что при введении электролита меняются только потенциал диффузного слоя и величина обратная толщине его Икр. Подставляя соотношение (VI. 115) в (VI. 113), найдем [c.334]

Из уравнения (ПГ 15) следует, что за толщину диффузной части слоя принято расстояние, на котором потенциал диффузной части слоя Фй уменьшается в е раз. [c.78]

Постройте график энергии взаимодействия плоскопараллельных пластин большой толщины в водном растворе одно-одновалентного электролита по следующим данным потенциал диффузного слоя сз = = 1-10-2 со=1 ммоль/л, константа Гамакера И = 1,25-10- Дж, диэлектрическая проницаемость среды 80,1. Значения энергии взаимодействия рассчитайте для расстояний между поверхностями пластин 5, [c.184]

Если потенциал электрода в данных условиях находится в отрицательной области относительно потенциала нулевого заряда, т. е. ф = е — < О, поверхность электрода заряжена отрицательно и адсорбция анионов будет затруднена. Наоборот, при потенциале электрода, расположенном в положительной области относительно нулевой точки, когда ф = е — елг > О, адсорбция анионов на его поверхности вполне возможна. Поэтому условия, способствующие сдвигу потенциала электрода в положительную область от нулевой точки металла, значительно облегчают адсорбцию анионов на катоде. Это достигается, например, прибавлением к электролиту посторонних положительных ионов, которые сами не восстанавливаются, но смещают потенциал диффузной части двойного слоя в сторону положительных значений. [c.341]

Влияет ли потенциал диффузной части двойного электрического слоя на концентрацию ионов в плотной части [c.229]

Задача 4. Определив а при различных значениях е, найти величину потенциала диффузного слоя в 0,01 н. растворе NaF пр 25° С. [c.241]

Сплошные кривые рассчитаны по формулам (VI. Зв)—(VI. 38) пунктирные — во формулам (VI.48), (VI.49). Потенциал диффузного слоя, мВ — 12,5 2 — 25 3 — 150 [c.158]

Сплошные кривые рассчитаны по формулам (VI.41)—(У1.43) пунктирные — по формулам (VI.48), (VI.50). Потенциал диффузного слоя. мВ 1 — 25 2 — 75 3 — 50 [c.158]

Изменится ли вид критерия при переходе к другому механизму образования заряда поверхности, когда потенциал диффузного слоя не остается постоянным при сближении частиц (Это легче всего может быть выяснено в противоположном предельном случае постоянства плотности заряда поверхности а.) [c.265]

Л 1Я фактического использования формулы (VII.56), т.е. для выражения П,, в функции толщины прослойки //, в общем случае необходимо проинтегрировать уравнение (VII.45) с учетом граничных условий, например значений потенциала, заданных на границах диффузного ионного слоя вблизи поверхностей пластины. Решение этой задачи сопряжено не только с математическими трудностями, но и с физическими. Физической основой должна служить теория формирования заряда поверхностей и нахождение с ее помощью значения потенциала диффузной части двойного слоя. Трудность здесь заключается в необходимости сшивать уравнение, описывающее ход потенциала в плотной и диффузной частях двойного слоя. Задача, как увидим, может упрощаться, если мы знаем, что безразмерные потенциалы у обеих поверхностей весьма велики или у одной поверхности велик безразмерный потенциал, а у другой поверхности заряд равен нулю. [c.85]

В сочетании с (VII.68) эта формула определяет параметрически зависимость Д6" от расстояния между пластинами. Впервые такая зависимость при произвольных значениях потенциала Фо была найдена Фервеем и Овербеком [11], которые применили с этой целью один из вариантов метода заряжения. Путем соответствующих преобразований можно показать, что формула (VII.76) и ее аналог, полученный Фервеем и Овербеком, полностью совпадают. Однако ввиду громоздкости найденного выражения Фервей и Овербек ограничились графическим исследованием задачи об устойчивости, тогда как выражение (VII.76) позволяет решить эту задачу аналитически (см. ниже 8). Кроме того, как было показано Муллером [13], формула (VII.76) значительно упрощается в случае высоких и даже средних потенциалов, рассмотрение которых представляет особый интерес. Известно, что пороговая концентрация электролита слабо зависит от валентности побочного иона и, напротив, сильно зависит от валентности противоиона. Этот факт можно легко объяснить, предположив, что потенциал диффузного двойного слоя частиц достаточно высок. [c.87]

Рис. XI. 7. Зависимость коагулирующей концентрации от потенциала диффузного слоя Фг при разных значениях константы Гамакера

Рис. 3. Зависимость безразмерного потенциала диффузной части электрического двойного слоя от радиуса ионов [22].

Влияние потенциала диффузной части двойного слоя на суммарную энергию взаимодействия частиц. Для получения информации о влиянии величины [Зй-потенциала на энергию взаимодействия прежде всего примем, что заданы концентрация электролита и постоянная Ван-дер-Ваальса — Гамакера. До тех пор, пока двойные диффузные слои частиц перекрываются слабо, можно рассчитать ионно-электростатическую энергию отталкивания по уравнению (29), согласно которому сомножитель, зависящий от потенциала, имеет вид [c.46]

Электростатическое расклинивающее давление и потенциал диффузного электрического слоя [c.55]

Рис. 2. Рассчитанные величины потенциала диффузного слоя при заданных значениях толщины штерновского слоя Д

Обычно ренюине уравнения Пуассона — Больцмана проводят применительно к конкретным граничным условиям. Ниже приводится его решение ири условии малости потенциала диффузного слоя (фв <С 25 мВ). [c.56]

Специфическая адсорбция может вызвать и уменьшение С-но-тенциала, если специфически адсорбируются противоионы, так как они имеют заряд, противоположный заряду поверхностп. Такая адсорбция может привести к перезарядке поверхностп, т. е. к такому положению, когда потенциал диффузного слоя и -потенциал будут иметь знаки, противоположные знаку межфазного потенциала. Знач тельное влияние на -потенциал оказывает pH среды, поскольку ионы Н+ н ОН обладают высокой адсорбционной способностью. Особо велика роль pH среды в тех случаях, когда а контакте с водным раствором находится амфотерное вещество. Прн изменении кислотности среды можно перезарядить фазы. [c.219]

Определяемые с помоьцью электрокинетических явлений знак и зиачепие -потенциала ишроко используются для характеристики электрических свойств поверхностей при рассмотренпа адсорбции, адгезии, агрегативной устойчивости дисперсных систем, структу-рообразования в материалах и других важных процессов. В этом случае обычно потенциал диффузной части двойного электрического слоя ирпиимают приблизительно равным -потенциалу. [c.219]

Рассчитайте и постройте графическую зависимость энергии. электростатического отталкивания двух плоскопараллельных пластнн от концентрации Na I в водном растворе, изменяющейся от 1 до 10 ммоль/л. При расчете примите расстояние между пластинами 20 нм потенциал диффузного слоя фд ==3-10-2 В температура 298 К, диэлектрическая проницаемость среды 78,2. [c.184]

Рассчитайте энергию отталкивания сферических частиц диоксида кремния диаметром 20 нм в водных растворах Na I при j)a -стояниях между поверхностями частиц 1, 2, 5, 10 и 15 нм. Постройте график зависимости иэ = Ц1г) при концентрациях электролита в растворе С(=5-10- и 2 = 5-10- моль/л. Примите равными потенциал диффузного слоя фд = 4-10-2 В, температуру раствора 293 К, диэлектрическую проницаемость 80,1. [c.184]

Завиюит ли по Штерну потенциал диффузной части электрического двойного слоя от концентрации ионов в растворе [c.229]

Это уравнение иногда называют уравнением 4>румкина, иногда Фрумкина — Фольмв ра. Дело в том, что Фольмером был рассмотрен частный случай — случай нонцентрированных растворов, для которых 1 )1 = 0. Фрумкин проанализировал более общий случай — с учетом потенциала диффузной части двойного электрического слоя. [c.248]

Наилучшим способом расчета свободной энергии взаимодействия плоских двойных слоев Vg является, несомненно, прямое интегрирование расклинивающего давления П по расстоянию к. Относительная ограниченность применения этого метода связана, по-видимому, со следующим обстоятельством. Еще в монографии [ ] было высказано мнение, что даже в простейшем случае постоянства потенциала диффузных слоев = onst точное интегрирование Hg по к для произвольного значения невозможно. Получив методами Дерягина и Ленгмюра уравнение для расклинивающего давления пластин [c.159]

Многие коллоидно-дисперсные системы, имеющие большое практическое значение, представляют собой смеси частиц разной природы. Естественно, что расчеты их электростатического взаимодействия в растворах электролитов сопряжены с большими трудностями, чем аналогичные расчеты для одинаковых поверхностей раздела. Для таких, несимметричных систем вместо одного параметра — потенциала диффузного слоя 1 — появляются два потенциала и которые могут не только отличаться друг от друга по своей величине, но даже при определенном составе дисперсионной среды иметь противоположные знаки (рис. VI.10). Причина этого заключа- [c.166]

Рис. 24. Зависимость потенциала диффузной части двойного слоя в прослойке Пены от концентрации Na-додецилсульфата-1 в растворе КС1 при постоянной ионной силе 1 Ю MOAb/j.

Для экспериментальной проверки теории необходимо знать ионную силу раствора, потенциал диффузного слоя, постоянную Л, толщину слоя Ло и лапласовский перепад давления в пленке. Ионную силу раствора сравнительно просто вычислить, исходя из концентраций электролита и концентрации ПАВ при условии, что последняя не превышает критической концентрации мицеллообразования. Лапласовский перепад давления определяют независимым методом. Часто поверхностный потенциал фо находят, полагая 100%-ную диссоциацию молекул ионогенного ПАВ, адсорбированных на межфазной границе. При этом его значение, как правило, оказывается сильно завышенным по сравнению с величиной фб-потенциала, полученной на основании опытных данных о равновесной толщине пленки. Например, для пенных пленок, стабилизированных На-додецилсульфатом (площадь, приходящаяся на одну молекулу в поверхностном слое, равна 52А ), при ионной силе 5-10 моль1л г зо = 224 мв, в то время как из результатов измерения равновесной толщины слоя следует, что = 39 мв [130]. Однако такое различие не вызывает существенного изменения расчетной величины постоянной взаимодействия А, поскольку влияние потенциала на толщину равновесных пленок не очень велико. [c.71]

Одно время предполагали, что плотность Q заряда двойного слоя можно получить из -потенциалов посредством применения теории Гуи — Чэпмена [см. уравнение (5)], что отождествляет -потенциал и г 7. Если бы это было справедливо, то можно было бы определять -потенциал по адсорбционной плотности. Однако экспериментально доказано, что значения Q, вычисленные по -потенциалу, прогрессивно уменьшаются по сравнению с ионными, адсорбционными плотностями при увеличении плотности заряда, и при высоких плотностях заряда расхождение является десятикратпым (Хейдон, 1960 Салиб и Китченер, 1964). Другими словами при этих условиях большая часть противоионов, присутствующая в адсорбированном слое, является электрокинетически инактивной. Наиболее вероятное объяснение заключается в том, что противоионы, сильно связанные со слоем Гельмгольца (т. е. противоионы, находящиеся в слое Штерна), являются действительно неподвижными. Конечно, альтернативно можно доказать, что высокий потенциал может привести к толстому слою неподвижного растворителя. Салиб и Китченер показали как, в принципе, этот вопрос может быть решен путем точных измерений отрицательной адсорбции ко-понов но попытка выполнить такие измерения с порошком графита, имеющим физически адсорбированный слой ионного поверхностно-активного вещества, оказалась неудачной по техническим причинам. Простейшая гипотеза заключается в том, что С-нотенциал — потенциал в жидкости за слоем Штерна. Это выполнимо, если плотность заряда низка и противоионы слабо ассоциированы. Для высокой плотности заряда можно предположить, что t-потенциал — потенциал диффузной части [c.102]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология