Интегральное испарение конденсация

Обозначим через интенсивность перехода массы (испарение, конденсация, химические реакции) из у-й фазы в г-ю фазу или наоборот. В последнем случае J,i < 0. Тогда уравнение неразрывности для i-я фазы в интегральной форме имеет вид [c.65]

ИНТЕГРАЛЬНОЕ (ОДНОКРАТНОЕ) ИСПАРЕНИЕ (КОНДЕНСАЦИЯ) [c.670]

Интегральное испарение и конденсация 671 [c.671]

Принцип получения интегральных структур методом ротационного формования позволяет, как уже говорилось, устранить существенный недостаток данных материалов — неравномерность толщины и плотности поверхностной корки. Такая неравномерность объясняется тем, что в зависимости от того, смочена или нет поверхность стационарной формы исходной композицией, механизм образования корки ИП на соответствующих участках различен [225]. Например, при использовании ФГО более толстая нижняя корка образуется, во-первых, за счет интенсивного снижения температуры расплава холодными стенками формы и, во-вторых, за счет подавления процесса испарения ФГО. Образование более тонкой верхней корки в той части формы, которая не смачивается расплавом (или раствором), происходит по существенно иному механизму — за счет конденсации паров ФГО, выделяющихся в процессе вспенивания композиции (подробнее см. ниже с. 80). Соответственно равномерность толщины и плотности корки может быть достигнута, если на первом этапе образования интегральной структуры — при формировании поверхностной корки — поверхность формы покрыта слоем исходной композиции. Это, в свою очередь, достигается либо вращением формы, либо опрыскиванием ее внутренней поверхности с помощью специальных устройств. [c.38]

При образовании полимера, в частности полиуретана, могут выделяться газообразные продукты. Поэтому, в полной модели процесса, по крайней мере в некоторых случаях, необходимо учитывать такие явления, как локальное испарение и конденсацию растворителя. Такая комплексная модель применительно к процессу образования интегральных пенополиуретанов рассмотрена в работе [65] для стационарной формы (ячейки). Суть модели состоит в анализе тепловых явлений, происходящих в каждой ячейке, в которой содержится как олигомер, так п (растворитель. При повышении температуры в ячейке развивается давление, влияющее на температуру кипения растворителя кроме того, оно приводит к увеличению объема ячейки. [c.42]

На рис. 21 кривая 1 показывает изменение температуры в зависимости от степени конденсации при сжижении технического хлоргаза, содержащего 88 объемн. % I2, под давлением 2,3 ат в конденсаторе с непосредственным испарением фреона при—57 °С. Концентрация хлора в абгазах 20,4 объемн. %, т. е. коэффициент сжижения составляет 96,5%. Кривая 2 отвечает изменению температуры, рассчитанной как среднеарифметическая разность, кривая 3 — как среднелогарифмическая разность. Соответственно этому средняя интегральная разность температур равна 31,4 °С (среднеарифметическая разность равна 20,75, среднелогарифмическая— лишь 18°С). [c.67]

Только что рассмотренный процесс конденсации, при котором весь полученный конденсат остается в соприкосновении с оставшимся паром и считается находящимся с ним в фазовом равновесии, будет называться интегральной конденсацией по аналогии с соответствующим процессом испарения. Максимально возможное обогащение пара более летучим компонентом, которого можно достигнуть с помощью такого процесса, соответствует для рассматриваемого случая составу jj. [c.663]

Интегральные пленочные микросхемы предусматривают изготовление всех схемных элементов в виде чередующихся в определенной последовательности тонких пленок различных материалов, осажденных на диэлектрическую подложку. Технология изготовления таких пленок может быть самой различной, однако в большинстве случаев это конденсация пленок при испарении в вакууме. [c.149]

Теплообмен возможен, если линии Са=Фа( ) и Qв=необходима такая проверка, если в процессе теплообме,-на происходит изменение агрегатного состояния одного из веществ — его конденсации или испарения. Построенная диаграмма Q-T может быть использована для определения средней интегральной разности температур в процессе теплообмена и потерь на неравновесный теплообмен методом графического интегрирования. [c.196]

О получении пленок методом испарения и конденсации. Этот метод позволяет образовать на плате как пассивные, так и активные элементы схем. Его называют иногда методом напыления. Подчеркнем, что широко распространенный термин напыление правилен, лишь если речь идет о нанесении пленки путем получения зародышей кристаллизации уже в объеме сосуда (роста поликристаллического вещества в виде дыма в аэродисперсной системе и его осаждения в виде пыли на подложке). Если же пленка образуется путем конденсации пара на подложке, то термин напыление недопустим и правилен термин конденсация . Тот же путь ведет к прогрессивным интегральным схемам. [c.629]

Специфические свойства поверхности эффективно используются в тонкопленочной технологии получения, например, фотодиодов, интегральных магнитных элементов вычислительной техники, приемников и ИК-излучения, радиопоглощающих и радиоотражающих покрытий, тензодатчиков, преобразователей солнечной энергии и др. Для нанесения пленок используют следующие процессы диффузионное насыщение, плазменное (или иное) напыление, испарение —конденсация, электрохимическое осаждение, электрофорез, ионную имплантацию, химический транспорт. [c.53]

Испытание на активность образцов катализаторов проводили на лабораторной установке (рис. 3) в проточном интегральном реакторе с неподвижным слоем катализатора. Установка включает электронагревательную печь с реактором из стали Х25Т, узлы дозирования сырья и воды, испарения воды и перегрева водяного пара, конденсации и охлаждения продуктов реакции [c.9]

Теплота смачивания связана с теплотой адсорбции Саде и теплотой испарения жидкости Qu n- Чтобы найти связь между этими величинами, рассмотрим систему, которая состоит из сухого твердого тела (адсорбента), газа и жидкости. Слой жидкости на поверхности твердого тела можно создать двумя способами. Один из них заключается в том, что адсорбент помещают в газ, в котором находятся пары жидкости. При повышении давления пара на поверхности адсорбента растет адсорбционный слой и при насыщении образуется полимолекулярный жидкий слой (см. 1.4). Общая (интегральная) теплота этого процесса равна теплоте адсорбции <Эадс (здесь и далее все теплоты отнесены к единице поверхности адсорбента). Другой путь состоит в том, что сначала в отсутствие твердого тела осуществляют конденсацию пара в жидкость. На этот процесс нужно затратить работу, равную теплоте испарения < исп. Далее твердое тело погружают в образовавшуюся при конденсации жидкость, при этом выделяется теплота смачивания Q m. Из закона Гесса о независимости теплового эффекта от пути перехода системы из начального состояния в конечное следует Q m = Саде — Qn n [41]. [c.39]