Множитель интенсивности атомный

В результате экспериментальных исследований установлено, что наиболее чувствительные в поглощении линии часто не совпадают с наиболее интенсивными атомными линиями элементов в эмиссионном спектральном анализе, в том числе и в пламенной фотометрии. Объясняется это тем, что интенсивность излучения резонансных линий зависит не только от Л/ ,- и f, по к от участка спектра. Изменение интенсивности при температурах пламени или дугового разряда практически обусловлено экспоненциальным множителем, определяющим участок спектра, поэтому интенсивность излучения быстро падает в короткую область [c.514]

Отметим, что в действительности амплитуда лучей, рассеянных единичным атомом, пропорциональна не числу электронов, а некоторой функции, убывающей по мере увеличения sin QiX п табулированной для каждого элемента. Часто в более простых исследованиях величину этой функции, называемой атомным множителем интенсивности, принимают без большой погрешности равной Z. [c.154]

Остановимся подробнее на п. 1 и 2. В случае нейтронов вместо атомной функции рассеяния принятой в рентгенографии, пользуются значениями амплитуды Ь когерентного рассеяния, не зависящей от Z, а вместо атомного множителя интенсивности р— эффективным сечением когерентного рассеяния. Изотопы одного и того же элемента могут иметь разные эффективные сечения рассеяния. Каждому изотопу присуще свое характерное значение амплитуды рассеяния Ь, в более общем случае — наличия спина — свои характеристические значения и Ь . Например, амплитуды рассеяния Ь для изотопов железа Fe и Ре (с нулевым спином ядра) равны 0,42-10" см и соответственно 1,01 X X10-12 см. [c.215]

Под А понимают те множители интенсивности, которые не зависят от угла и температуры Л = СР [см. в обозначениях формулы (1) работы № 10], /С( й ) определяет зависимость интенсивности от угла дифракции ( ) = /(д)7 ( О )], fx и /а — средние функции атомного рассеяния [c.136]

I-—структурный множитель интенсивности, включающий атомный множитель рассеяния электронов и температурный фактор. [c.242]

В книге приведены справочные данные, необходимые для расчета интенсивности линий на рентгенограммах монокристаллов и поликристаллов, в том числе вычисления угловых, атомных, структурных, температурных, абсорбционных и других множителей интенсивности. [c.328]

Формулы интенсивности рассеяния представляют произведения ряда множителей. Вывод этих формул требует использования сведений из атомной и ядерной физики, знания классической и квантовой теории рассеяния, а также основ физики твердого тела (динамики решетки, структурных дефектов, понятий о реальном, мозаичном и идеальном кристаллах и др.). [c.10]

Для регистрации выделенной монохроматором резонансной линии обычно применяют электронные умножители. Поскольку измеряемой величиной в атомно-абсорбционной спектрофотометрии является относительное изменение в интенсивности сравнительно яркой резонансной линии, от электронных у.множителей не требуется высокой чувствительности, что дает возможность пользоваться одним фотоумножителем, регистрирующим излучение в ультрафиолетовой и синей областях спектра (например, ФЭУ-18). В ряде работ для регистрации резонансных линий применены фотоэлементы и фотосопротивления [80, 89]. [c.33]

Рефлекс 111. Структурная амплитуда должна быть близка к нулю, поскольку атомные амплитуды рассеяния близки. Интенсивность рефлекса 111 должна быть еще меньше, чем рефлекса 100, ввиду значительно меньшего углового множителя. [c.204]

В котором п — главное квантовое число, характеризующее заданный уровень перехода, X — атомный помер элемента, а (7 — так называемый экранирующий множитель. Интенсивность же линий, подсчитываемая по формуле (35), как уже указывалось выше, тем меньше, чем больше значение главного квантового числа, отвечающего данному уровню перехода, и зависпт от величины заряда, который несет на себе поглощающий атом в молекуле. [c.138]

Рис. 11.43. Атомная. функция рассеяния f рентгеновых лучей А1 и атомный множитель интенсивности для А1 по [12]

Атх)мный множитель интенсивности. 4-6. Вспомогательная таблица для вычисления атомных множителей. 4-7. Атомные множители рассеяния для атомов и ионов. 4-8. Поправка на аномальную дисперсию, аначения Д/ , значения, значения для некоторых элементов. [c.321]

Как видно из формулы, интенсивность и положение соответствующего максимума на кривой интенсивности рассеяния определяются двумя факторами атомными номерами рассеивающих атомов и тригонометрической функцией от межатомных расстояний. Множитель sin К8гц1К8гц — периодическая функция с амплитудой максимумов, убывающей по мере увеличения расстояний Гц или S. Таким образом, в случае больших расстояний эта функция меньше сказывается па общей интенсивности рассеяния и величина и положение максимума интенсивности для группы больших расстояний довольно мало чувствительны к изменениям в больших расстояниях. Благодаря этому факту становится понятным, почему, несмотря на то, что изме-непия молекулярной структуры, происходящие при этерификации целлюлозы, должны сказаться в первую очередь на изменении положения первого максимума (dj), соответствующего группе больших расстояний, мы все же и на теоретической и на экспериментальной кривых рассеяния триацетилцеллюлозы не получили заметного смещения первого максимума. [c.48]

В величину /С входят все факторы, влияющие на амплитуду (или интенсивность), за исключением фазовых углов, обусловленных положениями отдельных атомов и функцией атомного рассеяния ( у) атомов, находящихся в этих положениях. Эги величины входят в члзн (называ мый структурным множителем) [c.46]

Физика дифракционных методов 5.1. Основные определения и формулы (определения символов, формулы для рассеяния электронов, атомного мнг жителя рассеяния). 5,2. Интенсивность излучения, дифрагированного кристаллом (структурный мксжитель, температурный множитель, интегральное отражение, угловые множителн интенсивности, мнсшители Лоренца и поляризационный). 5,3, Поправки на поглощение (малый кристалл в узком пучке, большой кристалл или поликристаллический обра-еец, пересекающий узкий пучок отражение узкого пучка от плоскостей, параллельных вытянутой грани кристалла при отсутствии и наличии пропускания, отражение от кристаллических плоскостей, наклоненных к вытянутой грани поглощающего блока поглощение при перпендикулярном и наклонном расположении поверхности кристаллического блока по отношению к отражающим плоскостям поглощение в цилиндрическом кристалле, омываемом однородным пучком рентгеновских лучей, нормальным к оси кристалла, поглощение сферой, поглощение кристаллом произвольной формы, поправки на поглощение при исследовании преимущественней ориентировки в листовых образцах), 5.4, Мозаичная теория (различия между совершенным и идеально несовершенным кристаллом, первичная и вторичная экстинкция). 5,5. Сводка формул интегральной интенсивности, [c.323]