Кристалл идеально несовершенный

Так как в этой главе будет обсуждаться общая теория строения идеальных кристаллов, следует отметить, что такие кристаллы в природе встречаются крайне редко. Количественные исследования интенсивности отражений при дифракции рентгеновских лучей (этот вопрос обсуждается ниже) показали, что в большинстве кристаллов совершенная решетка может формироваться только в очень небольшой области, после чего она как бы прерывается. Для объяснения наблюдаемых явлений Дарвин [9] ввел понятие идеально несовершенного кристалла, состоящего из мозаики небольших блоков, причем каждый блок является совершенным кристаллом, но соседние блоки не совсем точно прилегают друг к другу . [c.30]

Диффузионная теория не дает удовлетворительного объяснения многих явлений, связанных с ростом кристаллов, и уступает более современным теориям. К последним относятся молекулярно-кинетическая теория идеально совершенного роста и теория идеально несовершенного роста кристаллов (теория дислокаций). [c.64]

Интересно отметить, что так называемые винтовые и краевые дислокации приводят к образованию спиральных фронтов роста на поверхности кристалла [110]. Этот процесс интерпретируется на базе дислокационной теории роста кристалла или теории идеально несовершенного роста [111]. [c.65]

Дислокационная теория значительно лучше соответствует действительности. В отличие от рассмотренных выше теорий, разработанных для роста идеальных кристаллов, который наблюдается только в исключительных случаях [103], дислокационная теория описывает рост реальных кристаллов, имеющих несовершенную кристаллическую решетку. Нарушения в строении решетки, которые могут встречаться в кристаллах, подразделяются [104, 105] на точечные (места с более высокой энергией, вакансии [106], избыточные частицы [107], посторонние атомы), винтовые (дислокации) и плоские (системы дислокаций). [c.56]

В несовершенных кристаллах в отличие от идеальных имеются нарушения порядка расположения атомов или ионов в решетке [21]. Для стехиометрических кристал.лов известны два тина дефектов [c.242]

Образование отложений на поверхности металлов и осадков определяется не только реакционной способностью, фи-зико-химическими свойствами гетероорганических соединений и углеводородной среды, но и внешними факторами (температура, время), химической природой контактирующих металлов, в частности, дефектами их кристаллических решеток. Большинство металлов образует несовершенные кристаллы, в которых, в отличие от идеальных кристаллов, имеются нарушения порядка расположения атомов или ионов в решетке. Для стехиометрических кристаллов известны два типа дефектов а) просто незанятый узел решетки, б) атомы из одного угла решетки смещаются в другой [46]. Оба эти дефекта кристаллов стехиометрического состава являются причиной смещения соседних атомов или ионов решетки это смещение будет определяться зарядом атома или иона. [c.166]

В действительности, как было указано выше (см. разд. 8-5), адсорбция ионов решетки отличается от идеальной, так как поверхности совершенных и несовершенных кристаллов далеко неравноценны, а также вследствие мешающего действия ионов, не входящих в состав решетки, которые могут быть потенциалопределяю-щими. [c.187]

Результаты опытов при температуре 300° для несовершенных кристаллов с начальной эманирующей способностью, равной около 30%, дали величину >з,, о =2.3 10 см /сутки и для кристаллов с поверхностью, приближающейся к идеальной, Z>3g o =2.8-10 см /сутки. [c.268]

Все углероды и угли органического происхождения, в которых обнаружен заметный электронный спиновый резонанс, по-видимому, представляют собой очень несовершенные графиты (ср. [15, 145, 492, 951, 1066]). Из исследований Ингрэма вытекает, что наблюдаемые эффекты быстро убывают до нуля, когда содержание гетероатомов в углероде или в других углях падает ниже 6%. Это указывает на то, что релаксационные явления определяются дефектами, присутствую-шими в кристалле. Для почти идеального графита следует ожидать гораздо более коротких времен релаксации. [c.105]

Теория идеального роста кристаллов не может также объяснить и тот факт, что в практических условиях заметная линейная скорость роста кристаллов наблюдается уже при пересыщениях около 1%, в то время как, согласно теоретическим расчетам [33], для этих условий пересыщение должно составлять не менее 150—200%. Это несоответствие хорошо объясняется разработанной позднее теорией несовершенного роста кристаллов или теорией дислокаций [179—183]. Согласно этой теории, при росте реального кристалла образуются дислокации, т. е. искажения кристаллической решетки, и на поверхности граней появляются ступеньки размерами от молекулярных до микроскопических. Такие дефекты могут возникать из-за колебания температуры, наличия примесей, одновременного разрастания по одной грани нескольких зародышей и т. д. Наличие подобных террас и ступенек на грани кристалла устраняет необходимость двухмерных зародышей для его роста и рост кристалла может происходить при ничтожно малом пересыщении. [c.90]

В действительности же в природе и технике мы встречаемся с реальными кристаллами, которые лишь в весьма несовершенном виде отражают типичные черты идеального кристалла это объясняется огромным числом отдельных стадий, необходимых для построения кристалла видимых размеров, изменениями условий во время процесса образования кристалла и нарушением процесса завершения его роста. [c.289]

И не представляют ценности как кристаллы-анализаторы. Степень несовершенства естественного и синтетического кристалла различна. Идеальный несовершенный кристалл должен содержать небольшие мозаичные блоки размером порядка 10" см, отклонения от правильной ориентировки этих блоков не более нескольких дуговых минут относительно друг друга. Интенсивность дифракционных максимумов таких кристаллов значительно больше. Примерами таких несовершенных кристаллов являются кристаллы галоидов щелочных металлов, таких, как LiF или Na L Кристалл кварца более совершенен, но количество мозаики можно увеличить легкой шлифовкой его поверхности. Как отмечено в табл. 8, интенсивность дифракционных максимумов для жесткого излучения можно удвоить полировкой поверхности кристалла. Бирке [15] утверждает, что умышленное введение упругих или пластических напряжений в данный кристалл обычно увеличивает интенсивность дифракционных максимумов без заметного уширения линии . YafiT [23], например, показал, что интенсивность максимумов кристалла кварца с упругими напряжениями увеличивается в 12 раз. Бирке и Сил [22] увеличили интенсивность линий кристалла LiF в 4—10 раз. [c.226]

Физика дифракционных методов 5.1. Основные определения и формулы (определения символов, формулы для рассеяния электронов, атомного мнг жителя рассеяния). 5,2. Интенсивность излучения, дифрагированного кристаллом (структурный мксжитель, температурный множитель, интегральное отражение, угловые множителн интенсивности, мнсшители Лоренца и поляризационный). 5,3, Поправки на поглощение (малый кристалл в узком пучке, большой кристалл или поликристаллический обра-еец, пересекающий узкий пучок отражение узкого пучка от плоскостей, параллельных вытянутой грани кристалла при отсутствии и наличии пропускания, отражение от кристаллических плоскостей, наклоненных к вытянутой грани поглощающего блока поглощение при перпендикулярном и наклонном расположении поверхности кристаллического блока по отношению к отражающим плоскостям поглощение в цилиндрическом кристалле, омываемом однородным пучком рентгеновских лучей, нормальным к оси кристалла, поглощение сферой, поглощение кристаллом произвольной формы, поправки на поглощение при исследовании преимущественней ориентировки в листовых образцах), 5.4, Мозаичная теория (различия между совершенным и идеально несовершенным кристаллом, первичная и вторичная экстинкция). 5,5. Сводка формул интегральной интенсивности, [c.323]

Наличие дефектов в отдельных кристаллах и зернах существенно влияет на сопротивляемость металлов и сплавов микроударному разрушению. Изучение этого вопроса представляет большой практический интерес. В настоящее время нет даже приближенной теории, связывающей механические характеристики металлов с количеством, формой и характером распределения в них микро-и макроскопических дефектов. Реальные металлы весьма несовершенны. Отклонением от идеальной структуры прежде всего являются границы зерен, микротрещинки, возникшие в процессе кристаллизации слитка или деформировании металла, макроскопические несплошности типа пор и другие дефекты, которые чаще всего являются следствием предыстории образца. Наличие большого количества микро- и макроскопических дефектов заметно проявляется в различных структурно-чувствительных свойствах, особенно при деформации и разрущении металла в микрообъемах. [c.82]

Следующий важный шаг в исследовании кристаллов — это выявление их симметрии. Естественно, что чем идеальнее форма, тем легче выявляется симметрия кристаллов однако приближенное суждение о ней часто оказывается возможным и при несовершенном кристаллообразовании. Так, хЛороплатинат калия (см. гл. 3, рис. 1) кристаллизуется в октаэдрах и их сростках, кубическая сингония которых ясно обнаруживается одновременно присутствуют всегда скелетные и дендритные формы, у которых тоже видна четверная или тройная ось симметрии. Совместное присутствие. этих обеих осей является признаком кубической сингонии. У большинства кристаллов трехвод-ного щавелевокислого кальция (см. гл. 3, рис. 24) тоже отчетливо видна четверная ось симметрии, однако отсутствуют кристаллы с трехугольным контуром, чтй естественно для кристаллов с тетрагональной сингонией, к которой относится щавелевокислый кальций. [c.9]

Относительно других факторов, влияющих на величину предэкспоненциального множителя единой точки зрения нет. Мотт и Герни 38] и Йост [44] считают, что она обусловлена зависимостью энтальпии образования дефектов Н от температуры Н == Я -- рт и связана с тепловым расширением кристалла. После подстановки уравнения Я = Я + рГ в выражение для константы равновесия К в предэкспоненциальном множителе /С" появляется новый член ехр (— р/А), а график зависимости In К от 1/Т оказывается прямой линией с наклоном Я . Хейвен и Ван- Сантен [45], Верт и Зенер [46] показали, что это неверно. Энтальпия и энтропия кристалла связаны. Если Дср = р — разность теплоемкостей (на атом) несовершенного и идеального кристалла, то [c.320]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология