Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Резонанс Форми

    Электронный спиновый резонанс форма линии для растворенного радикала. Резонансная частота для группы спинов, расположенных Б области, где угол между директором и полем равен 0, имеет вид [c.289]

    Обычно плотность энергии бегущей волны очень мала. Однако в виде стоячих волн может быть сконцентрирована значительная акустическая энергия. Акустический резонанс легко наблюдать, так как звуковые волны имеют длины от нескольких сантиметров до нескольких метров. Для микроволнового электромагнитного излучения длины волн также обычно около нескольких сантиметров. Поэтому микроволновые резонаторы должны иметь удобные размеры. Как и при акустическом резонансе, форма резонатора может быть произвольной. Но в отличие от акустики следует учитывать наличие как электрического, так и магнитного полей (Ei и Hi). Положения максимумов Ei и Hi различны их относительная локализация зависит от типа колебаний (моды). В ЭПР нужно применять моды, которые [c.34]


    Р—О (ее длина 2,01 (2) А на - 0,3 А больше суммы ковалентных радиусов), строение XI лучше описывать резонансом форм А-Г  [c.100]

Рис. 1. Типичный потенциал взаимодействия электрона и молекулы (атома) в случае резонанса формы Рис. 1. Типичный <a href="/info/476597">потенциал взаимодействия электрона</a> и молекулы (атома) в случае резонанса формы
    Резонанс формы. Временная связь электрона с молекулой возникает из-за действия комбинации сил — поляризационных и обменных сил притяжения электрона к молекуле и отталкивательной центробежной силы (рис. 1). Электрон может быть захвачен на квазидискретный уровень потенциальной ямы, отделенный от уровней сплошного спектра центробежным барьером. Выброс электрона в сплошной спектр происходит туннелированием через барьер, среднее время жизни системы относительно выброса электрона Та = Н/Та, где Га — ширина квазидискретного уровня. Га определяется шириной центробежного барьера и положением квазидискретного уровня, что, в свою очередь, является следствием-формы потенциала взаимодействия электрона и молекулы. Резонанс формы осуществляется, когда электрон обладает моментом количества движения относительно мишени, в противном случав захват не происходит из-за отсутствия центробежного барьера. [c.7]

    Резонанс формы возможен также с одновременным возбуждением молекулы — электрон возбуждает молекулу и далее захватывается ею по механизму резонанса формы. Для всех резонансов формы материнское состояние молекулы лежит по энергии ниже временно существующего отрицательного иона. Резонанс формы — это резонанс в открытом канале рассеяния электронов. [c.8]

    Замечания о собственных колебаниях. Вынужденные колебания. Однородное и неоднородное интегральное уравнение, альтернатива. Случай, когда внешняя сила ортогональна к собственному колебанию. Альтернатива в случае дискретной системы. Нарастающие решения при резонансе. Форма колебаний при очень малой частоте внешней силы. Форма колебаний вблизи резонанса. Зависимость амплитуды вынужденного колебания от формы [c.482]

    Вообще говоря, колебание (14) не совпадает по форме ни с одним из собственных колебаний, и при вынужденных колебаниях не имеет смысла говорить, что система колеблется в полволны и т. д. Но при подходе к резонансу форма вынужденного колебания приближается к форме соответствующего собственного колебания. [c.497]


    Здесь интересно следующее. Будем возбуждать струну близко к резонансу. Если задана амплитуда колебания в точке, то наиболее выгодный выбор этой точки противоположен тому, какой был в случае заданной силы. Наиболее сильное возбуждение будет, если данное колебание создается в узле, наиболее слабое — если оно задается в пучности. Физически это вполне понятно. Вблизи резонанса форма колебания близка к форме собственного колебания поэтому при амплитуде, заданной в узле, колебание в пучности будет гораздо больше, чем если та же амплитуда задана в самой пучности. [c.498]

    Указанный метод особенно удобен для синтеза гетероциклических азосоединений, которые не могут быть получены обычным способом диазотирования и сочетания. Механизм процесса включает окисление амидразона в стабилизированную резонансом форму (XVIII), которая взаимодействует с нуклеофильной азокомпонентой, после чего продукт реакции подвергается дальнейшему [c.1903]

    Резонанс формы основного состояния молекулы часто называют одночастичным резонансом. Электронную конфигурацию одночастичного резонанса легко получить помещением добавочного электрона на первую незанятую молекулярную орбиталь основного состояния молекулы. Пример такого резонанса — (lsOg) (2 эст ) 2 -состояние Щ при 3,5 эв энергии электронов (р-вол-новой центробежный барьер). Щ распадается на И и И и существует канал колебательного возбуждения На Н На е [39]. Когда захватываемый молекулой электрон помещается не на низшую незанятую, а на более высоколежащие вакантные орбитали, можно говорить о возбужденном резонансе формы. [c.8]

    Первый резонанс в сечении рассеяния электронов молекулами бензола наблюдается в области 1—2 эв [40] — электрон захватывается на первую незанятую я-орбиталь, квазистационарный уровень отделен от сплошного спектра /-волновым барьером. Диссоциативный захват электронов не может осуществляться при такой энергии — наблюдается только резонансное упругое и неупругое рассеяние электронов. Санч и Шульц [40] обнаружили еще один ник в структуре сечения рассеяния электронов молекулами бензола в области энергии электронов 4—6 эв и приписали его резонансу формы с захватом электрона на зх-орби-таль. Отсутствие интерференции с потенциальным рассеянием позволило им утверждать, что резонанс обусловлен электронами, имеющими большие угловые моменты относительно центра захвата электрона. Отрицательные ионы в этой области энергии не обнаруживаются, хотя нет запрета по энергии на образование ионов СбНа- [c.8]

    Положительный ион будет сверхматеринским состоянием для временноживущего отрицательного иона. Это не означает, конечно, что для ридберговских состояний невозможен резонанс формы, просто для них очень вероятно существование электронно-возбужденных фешбаховских резонансов. [c.9]

    На рис. 3 показаны кривые потенциальной энергии для всех видов рассмотренных резонансов. В молекулах сложного строения при обилии возбужденных состояний трудно отделить резонанс формы с возбуждением валентных (без изменения главного квантового числа) состояний от фешбаховских, однако во многих случаях резонансы формы, лежащие далеко от возбужденных состояний молекул, легко классифицировать по положению на шкале энергии электронов. [c.10]

    Если теория Фано и Фешбаха применима к рассмотрению фешбаховских резонансов, то теория Зигерта и Капура — Пайерлза с одинаковым успехом может рассматривать резонансы в открытом канале (резонансы формы) и фешбаховские резонансы. [c.14]

    Хотя для электронно-возбужденных фешбаховских резонансов (возможно, и резонансов формы) известны долгоживущие состояния с Та]>10 сек [121—123], исходя из данных по изотопному эффекту можно утверждать, что для них наиболее характерны средние времена жизни относительно выброса электрона (- 10 —10 сек). Процесс автоотщепления электрона в этом [c.39]

    Согласно сказанному ранее (см. гл. 1), молекулярные отрицательные ионы, относящиеся к электронно-возбужденным фешбаховским резонансам в области ридберговских состояний молекулы можно представить как молекулярные ионы с двумя эквивалентными ридберговскими электронами. Так как ридберговские электроны не оказывают почти никакого влияния на связи в молекуле, то диссоциация определяется положительной дыркой , или, точнее, электронным состоянием положительного иона, являющегося пра-материнским ионом для молекулярного отрицательного иона. Резонансы а—в, представляют собой либо электронно-возбужденные фешбаховские резонансы, либо резонансы формы возбужденных состояний молекул, но и в том и в другом случае происходит присоединение электронов к молекуле в возбужденном валентном состоянии. Подобие процессов диссоциации валентно-возбужденных и ридберговских резонансных состояний указывает, по-видимому, на определяющую роль в диссоциации молекулярных ионов тех молекулярных орбиталей, с которых осуществляется переход электрона на более высокую (ридберговскую или валентную) орбиталь. [c.86]


Смотреть страницы где упоминается термин Резонанс Форми: [c.151]    [c.27]    [c.77]    [c.9]    [c.9]    [c.9]    [c.10]    [c.60]    [c.74]    [c.84]    [c.93]    [c.63]    [c.151]   
Конфигурационная статистика полимерных цепей 1959 (1959) -- [ c.98 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Метод анализа формы линий электронного парамагнитного резонанса

Применение анализа формы линий электронного парамагнитного резонанса для исследования распределения плотности неспаренного электрона

Пятнадцатая лекция. Замечания о собственных колебаниях Вынужденные колебания. Однородное и неоднородное интегральное уравнение, альтернатива. Случай, когда внешняя сила ортогональна к собственному колебанию. Альтернатива в случае дискретной системы. Нарастающие решения при резонансе. Форма колебаний при очень малой частоте внешней силы. Форма колебаний вблизи резонанса. Зависимость амплитуды вынужденного колебания от формы внешней силы

Теория диэлектрической релаксации и формы линии в магнитном резонансе

Ядерного магнитного резонанса линии ширина и форма

Ядерный магнитный резонанс (ЯМР) . 13.4. Форма линий



© 2025 chem21.info Реклама на сайте