центры захват электронов

Итак, проведенные нами исследования спектрального распределения и температурной зависимости вспышечного действия видимого света на люминесценцию окрашенных щелочно-галоидных кристаллов и изложенные здесь результаты других авторов по инфракрасной флуоресценции этих кристаллов приводят к важным выводам о роли электронных центров окраски в явлениях люминесценции окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений. Экспериментальные данные бесспорно доказывают, что электронные центры окраски в этих кристаллах являются одновременно и центрами свечения и центрами захвата электронов. [c.70]

В отношении ультрафиолетовой и видимой люминесценции окрашенных щелочно-галоидных кристаллов электронные центры окраски следует рассматривать только как центры захвата электронов. При оптической диссоциации центров окраски высвобождаются локализованные в этих центрах электроны, которые могут повторно локализоваться на этих же уровнях либо рекомбинировать с другими центрами. Часть энергии, выделяющейся в окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений в процессах рекомбинации продуктов фотолиза, проявляется в виде люминесценции. [c.71]

Аналогичные опыты, проведенные нами с фосфорами KI — Sn, показали, что после их аддитивного окрашивания в парах иода интенсивность и спектральный состав флуоресценции этих фосфоров не изменяется, тогда как после их аддитивного окрашивания в парах щелочного металла флуоресценция полностью исчезает. Из этих опытов следует, что положительные дырки не могут локализоваться на самих ионах активирующей примеси. Последние проявляются только как центры захвата электронов. Но это значит, что положительные дырки в щелочно-галоидных фосфорах сами по себе не могут вызывать процессов ионизации активаторных ионов. [c.241]

Для металлов существует небольшая отрицательная темпе-гурная зависимость Ер, следовательно, и (г относительно Е — энергии дна зоны проводимости. Однако она в значительной мере компенсируется изменением потенциа.тьной энергии Е вследствие расширения решетки [51]. Обычный усредненный температурный эффект составляет 10 эВ/К. В случае полупроводников положение более сложное Ер слабо зависит от температуры для собственных полупроводников, для образцов с большим содержанием примесей эта зависимость становится бо.тее сильной и в промежуточной области Ер сильно зависит от температуры. Обычно при повышении температуры Ер перемещается к середине запрещенной зоны. Влияние на поверхностный слой, которое зависит как от п.лотностей и энергий поверхностных центров захвата электронов, так и от расширения решетки, предсказать трудно. [c.107]

Экспериментальные данные показывают, что серебро выделяется преимущественно в местах высокой концентрации линий дислокаций и, следовательно, подвижных онов серебра и ионов серебра на изломах и неровностях. В таких областях имеется также достаточное пространство для внутреннего выделения атомов серебра. В местах с высокой концентрацией центров захвата электрон может оставаться в связанном состоянии достаточное время, чтобы тепловые колебания успели вызвать смещение одного из соседних ядер атомов серебра, в результате чего электрон будет захвачен на 5 -уровне. Если это рассуждение правильно, то оно объясняет локализованное выделение серебра, образующего скрытое изображение. [c.58]

Примесные атомы и ионы также могут захватывать электрон или дырку, в результате чего изменяют полосу поглощения кристалла и его окраску. Ц. о., будучи центрами захвата электронов и дырок, могут служить центрами люминесценции ъкристаллофосфорах. Если поглощение центра люминесценции находится в области собств. поглощения кристалла, то он будет люминесцировать, не являясь Ц. о. [c.343]

Возникает вопрос, какова природа электронзахватывающего центра Например, для кварца могут быть (как это следует из данных ЭПР) вакансии кислорода-кремния, в состав которых входят двухвалентные ионы-компенсаторы (Ре2+, fAg +, Са2+). До сих пор предполагалось, что в кварце основным электронзахватывающим центром являются кислородные вакансии. Однако в этом случае трудно объяснить диффузию щелочных ионов к таким центрам, захватившим электрон, поскольку у дефекта (если говорить о данной локальной области) не хватает еще одного отрицательного заряда для полной компенсации. Аналогично обстоит дело с дивакансией кислородов. Наиболее вероятно предположение, что основным электронзахватывающим центром в кварце являются дефекты типа дивакансий кислород-кремний, в состав [c.79]

При такой модели центров захват электрона изменяет нейтральный зарядовый баланс в области расположения центра так, что подошедший щелочной ион вновь восстанавливает эту нейтральность . При термохимической обработке, которая не приводит к выносу щелочных ионов, а сопровождается выносом железа и других двухвалентных ионов, происходит преобразование таких центров в дефекты, в которых двухвалентный ион замещается одновалентным. Образующиеся центры теряют способность окрашиваться. Реакторное облучение, образующее различные элек-тронзахватывающие центры других типов, восстанавливает эту способность к окрашиванию. [c.80]

Этот эффект можно интерпретировать так адсорбированный атом инертного газа поляризуется в поле поверхности рутила ( 10 GSE/с.и, по данным [6]). Возникший индуцированный диполь приводит к появлению области поляризации на поверхности кристалла, что в случае дефектной поверхности влечет аа собой изменение параметров близлежащих дефектов положения в зоне, сечения захвата. Эти дефекты становятся центрами захвата электронов, что приводит к изменению а. Следовательно, энергетический спектр поверхности при адсорбции ксенона изменяется. [c.108]

Но в таком случае свечение может возникнуть как в результате рекомбинации свободного электрона с локализованной положительной дыркой, так и наоборот — вследствие рекомбинации свободной дырки с локализованнным электроном. Поэтому без дополнительных исследований и анализа экспериментальных данных невозможно однозначно ответить на вопрос о том, обусловлен ли данный пик термовысвечивания освобождением из центров захвата электронов или освобождением положительных дырок. В следующих главах данной работы будет показано, что и в случае типичных щелочно-галоидных фосфоров процессы рекомбинации электронов и положительных дырок играют существенную роль в их фосфоресценции и в термовысвечивании. Поэтому указанная выше неоднозначность относится также и к активированным щелочно-галоидным фистал-лофосфорам. [c.127]

В некоторых случаях желательно, чтобы вещества, используемые для газохроматографнческого анализа, обладали специальными свойствами. Росс [1] показал, что элект-ронозахватный детектор детектирует значительно меньшие количества фторсодержащих хелатов, чем аналогичных, но не фторированных соединений. Электроотрицательные атомы фтора в хелатах действуют как центры захвата электронов, повышая чувствительность определения больше чем в 100 раз, что позволяет определять количества хрома порядка 10 г. По той же причине электронозахватный детектор показывает иовышепную чувствительность при детектировании хлоридов металлов. [c.24]

Первый резонанс в сечении рассеяния электронов молекулами бензола наблюдается в области 1—2 эв [40] — электрон захватывается на первую незанятую я-орбиталь, квазистационарный уровень отделен от сплошного спектра /-волновым барьером. Диссоциативный захват электронов не может осуществляться при такой энергии — наблюдается только резонансное упругое и неупругое рассеяние электронов. Санч и Шульц [40] обнаружили еще один ник в структуре сечения рассеяния электронов молекулами бензола в области энергии электронов 4—6 эв и приписали его резонансу формы с захватом электрона на зх-орби-таль. Отсутствие интерференции с потенциальным рассеянием позволило им утверждать, что резонанс обусловлен электронами, имеющими большие угловые моменты относительно центра захвата электрона. Отрицательные ионы в этой области энергии не обнаруживаются, хотя нет запрета по энергии на образование ионов СбНа- [c.8]

Все ионы в тиофанах, кроме GgHJ, обладающего небольшим относительным выходом, содержат атом серы. Вероятно, центром захвата электронов является атом серы, так как у молекул циклонентана и метилциклопентана процесс захвата электронов отсутствует. [c.108]

ОН-группы на частично дегидратированной поверхности окиси алюминия в противоположность силанольным группам Si—ОН являются некислотными, и адсорбированный диметиламиноазо-бензол не обнаруживает того эффекта окрашивания, о котором шла речь выше. В том случае, однако, когда окись алюминия предварительно полностью дегидратирована при высокой температуре, поверхность приобретает красный оттенок, немного отличающийся от наблюдаемого в случае протонных поверхностей [6]. Это предполагает появление сильных центров захвата электронных пар на поверхности окиси алюминия после ее обработки. [c.248]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология