Механизм внедрения примесных атомо

Х1.2.3. Механизм внедрения примесных атомов п растворимость [c.259]

В области, где примесные атомы входят в приближение условия электронейтральности (область II), механизм внедрения примесных атомов определяется противоположно заряженными собственными дефектами, выступающими в упрощенном условии электронейтральности для чистого кристалла. [c.262]

Поскольку механизм внедрения примесных атомов определяется типом собственного разупорядочения, а последний в кристалле простого вещества более или менее постоянен, то механизм внедрения для данного вещества также фиксирован. Единственным фактором, который может вызвать его изменение, является температура. Как будет показано в дальнейшем, это утверждение справедливо лишь тогда, когда в системе имеются примесные дефекты только одного типа. При наличии примесных атомов разных типов атомы одного из них могут влиять на механизм внедрения атомов другого. [c.263]

Х1.2А. Осложнения, возникаюш,ие при, многократной ионизации дефектов изменение механизма внедрения примесных атомов в зависимости от их концентрации [c.264]

Когда собственный атомный дефект или примесный атом способен связывать или отдавать больше одного электрона, состояние полного равновесия можно описать, только учитывая дополнительные реакции ионизации. Мы уже встречались с дважды ионизированными вакансиями в германии в разделе Х1.2. В настоящем разделе показано, что двукратная ионизация может вызывать новый интересный эффект — изменение механизма внедрения примесных атомов при изменении их концентрации . [c.264]

До сих пор наш подход был чисто формальным описывая поведение систем, мы не пытались объяснить, почему они ведут себя именно таким образом. Как легко видеть, два кристалла, внедрение примесного атома в каждый из которых происходит по одному из рассматриваемых механизмов внедрения, отличаются тем, что один содержит преимущественно Vm, в то время как другой Мм Ч- е. Окончательный выбор механизма внедрения можно сделать по величинам равновесных концентраций для реакции [c.444]

Б ряде работ экспериментально наблюдали миграцию радиоактивного углерода совместно с границами растущих зерен [92]. Высокая насыщенность металла и особенно границ зерен вакансиями способствует активной миграции не только примесных атомов замещения, но и атомов внедрения. Атомы внедрения, занимая вакантные места в кристаллической решетке, уменьшают ее свободную энергию и при высоких температурах могут диффундировать по вакансионному механизму [40]. Следовательно, с помощью такого механизма в околошовной зоне будет облегчаться миграция вместе с границами не только атомов титана, ниобия, хрома, но и атомов углерода. [c.113]

Предлагается и другое объяснение аномалий электрических свойств теллура [27]. Аномалии в активности донорных или акцепторных примесных атомов, по-видимому, соответствуют различиям в механизме внедрения, которые [c.246]

Влияют ли собственные дефекты на поведение примесных атомов, например на их растворимость и механизм внедрения [c.253]

В германии и кремнии преобладает собственное разупорядочение типа п -= р, и поэтому внедрение примесных доноров или акцепторов происходит по простому механизму замещения (рис. XI.6, а, б). Характер изменения концентрации вакансий в области, где примесные атомы играют определяющую роль в условии электронейтральности, уже обсуждался при рассмотрении температурной зависимости влияния примесных атомов на концентрацию собственных дефектов (рис. XI.4). [c.263]

Аналогичные явления возможны также и при многократной ионизации не вакансии, а примесного атома. Тогда при высоких концентрациях примеси преобладает механизм внедрения с образованием однократно заряженного дефекта (рис. XI. 10). [c.267]

Несмотря на то что конкретные примеры примесных атомов, действующих в зависимости от местонахождения в решетке, как доноры или как акцепторы известны (медь и литий в германии и кремнии), механизм внедрения, соответствующий области П1, экспериментально до сих пор не подтвержден. Это связано с малой растворимостью примеси, которая едва позволяет достичь области П, но делает невозможным достижение области П1. Другими слова- [c.268]

Описанный выше метод можно также применить и к случаю, когда в системе имеются примесные атомы разных типов. Поскольку эффекты взаимодействия между примесными, и собственными дефектами уже обсуждались, то сейчас наибольший интерес представляет вопрос о взаимодействии различных примесных атомов друг с другом, т. е. о влиянии одних атомов на механизм внедрения и растворимость атомов другого вида. Для решения этих проблем приходится рассматривать трехкомпонентные системы, что сделать в общем [c.274]

В рассмотренных случаях, когда и примесный атом, и собственные атомные дефекты принимают или отдают только один электрон (создавая один уровень в запрещенной зоне), механизм внедрения не зависит от концентрации примесного атома, а лишь от активности компонентов основного соединения. Это хорошо видно из рис. XVI. в областях И линии неосновных и основных дефектов параллельны и, таким образом, не могут никогда пересечься, что свидетельствовало бы о появлении конкурирующего механизма внедрения. Однако если собственные атомные дефекты создают два уровня в запрещенной зоне, то картина будет иной. Например, предположим, что вакансии Ум в кристалле МХ могут действовать как двойные акцепторы. Тогда приходится рассматривать две реакции ионизации [c.447]

Как уже было показано в разделе XVI.4, характер изменения концентрации примесных атомов в кристалле с их активностью в смежной фазе зависит от механизма внедрения. Вместе с тем из материала раздела XVI.5 следует, что зависимость растворимости примесных атомов от активности компонентов основного кристалла также является функцией механизма внедрения. Как указывал Ван Гул [29], обе эти зависимости можно использовать для изучения механизма внедрения. [c.453]

В рассмотренных выще случаях, когда механизм внедрения атомов примеси изменялся от механизма контролируемой электронной проводимости до механизма контролируемых атомных дефектов, менялся также эффективный заряд центра, образованного примесным атомом. [c.508]

Можно ожидать, что для dO и dSe, а также соответствующих соединений цинка результаты окажутся такими же, как и для dTe и dS. Однако не исключено, что с увеличением ширины запрещенной зоны при переходе от соединений кадмия к соединениям цинка Кк или K v (или, если происходит двукратная ионизация, K i или K i) станут больше Ki и соответственно этому изменится механизм внедрения примесных атомов. [c.490]

Проводились также численные эксперименты для выяснения влияния присутствия атомов, отличающихся от атомов кристаллической решетки, на процессы, протекающие при деформации [33]. Эти расчеты дали также некоторые интересные сведения о кристаллизации примесных атомов и внедрении их в основную решетку. Поскольку основной целью этих ЧЭДТ было изучение молекулярного механизма эффекта Ребиндера — адсорбционного понижения прочности, численные эксперименты организовывались следующим образом. Если объектом исследования служили двумерный и трехмерный 1 кристаллы с полостью в качестве концентратора напряжений, то атомы примеси в начале счета обычно размещались на стенках полости. Молекулы примеси А и основного компонента В имели в этих ЧЭДТ одинаковую природу это одноатомные молекулы, взаимодействие между которыми описывается потенциалом Леннард — [c.95]

Валентность атомов основного кристалла может меняться. Классическим примером служит система NiO + Li. Если при введении в окись никеля определенного количества атомов лития равное число атомов никеля переходит из двухвалентного состояния в трехвалентное, то литий может внедряться без образования атомных дефектов, что было бы необходимо при сохранении обоими элементами своей нормальной валентности. Можно сказать, что недостаток заряда, появляющийся в результате замещения Ni " на Li" , компенсируется избыточным зарядом, возникающим вследствие перехода Ni " в Ni . Наличие нескольких ионов другой валентности (Ni ) среди совокупности ионов определенной валентности (Ni " ) приводит к увеличению проводимости. Поэтому в тех случаях, когда осуществляется указанный механизм внедрения, введение примесных атомов может быть использовано для создания необходимого числа носителей тока и тем самым для регулирования проводимости. Е5первые это было предложено Фервеем и др. [9J, которые назвали описываемый эффект эффектом контролируемой валентности. Крёгер и Винк [8J предложили другой термин — эффект контролируемых электронных эффектов. [c.423]

Из чисто геометрических соображений ясно, что при самодиффузии атом, попадая в междоузлие, вызывает большие искажения решетки ( выгибает прутья клетки ), поэтому попасть в междоузлие такому атому или атому примеси, имеюп 1ему относительно большой размер и образующему твердый раствор замещения, трудно. Значит, и вероятность диффузии по междоузельному механизму для таких атомов мала. Напротив, диффузия по междоузельному механизму маленьких посторонних (примесных) атомов, таких, как углерод, азот, водород, образующих твердые растворы внедрения в железе, вполне возможна. [c.77]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология