Деформация кристаллической решетки

Расчеты основывались на трехпольной модели молекулы воды (рис. 46). При этом предполагалось, что угол между направлениями связи равен 121°, расстояние между атомами водорода 0,75 А, а высота 0,43 А. Радиус молекулы воды они приняли равным 1,38 А (сейчас большинство исследователей принимают другие данные для молекулы воды). При внесении иона в раствор происходит деформация кристаллической решетки воды. В центре тетраэдра становится ион. В этом случае координационное число иона равно 4. Бернал и Фаулер проделали значительную работу по подсчету координационных чисел, т. е. чисел гидратации, о которых говорилось выше. Произведя теоретические подсчеты, Бернал и Фаулер нашли три типа чисел гидратации 4, 6 и 8, но преимущественно 4. Следует обратить внимание, что эти же числа находят для координационных чисел комплексных соединений. [c.201]

Газ в твердом. Особое значение для практики имеют подобные системы с участием металлов. Растворение газа в металле сопровождается деформацией кристаллической решетки металла и часто диссоциацией газообразных молекул на атомы. Оба эти [c.232]

Несмотря на сравнительно небольшое процентное содержание водорода в металлах, происходит значительная деформация кристаллической решетки. В осадке возникают большие внутренние [c.134]

Разделим все полиморфные модификации условно на два класса —на модификации с резко различающейся атомной структурой (разные координационные числа атомов) и на модификации с мало отличающимися структурами (одинаковая координация атомов). Эти группы иногда еще называют реконструктивными (ири фазовом переходе происходит полная реконструкция решетки) и деформационными (при фазовом переходе происходит лишь небольшая деформация кристаллической решетки). [c.159]

Превращение графита (часто встречающегося в природе) в маз требует высокого давления (1000 МПа) и температуры свыше 2500 °С, а также использования некоторых металлов (например, железа, никеля и их сплавов), способствующих разрушению или деформации кристаллической решетки графита или снижающих энергию, необходимую для перестройки кристаллической решетки. [c.345]

Рис. 6.4. Деформация кристаллической решетки металла

Для объяснения изложенного выше целесообразно рассмотреть деформацию кристаллической решетки при различных размещениях дефектов промежуточных атомов и вакансий. Известно, что существует пропорциональность между длиной связи и ее порядком - числом электронных пар, участвующих в образовании химической связи между атомами углерода. Основываясь на этом, авторы работы [17] оценили величину деформации кристаллической решетки графита для различного наиболее вероятного с геометрической точки зрения размещения в межслоевом пространстве промежуточных атомов. Ниже представлено изменение величины деформации решетки углерода в зависимости от положения в ней промежуточных атомов [17] [c.24]

Образование активированного комплекса в поверхностных слоях идет легче, поскольку нужна меньшая деформация кристаллической решетки. При этом величина энергии активации будет меньше, чем если бы реакция шла в глубине кристалла, а пред-экспоненциальный множитель — больше (из-за растормаживания степеней свободы). [c.16]

Найдено из деформации кристаллической решетки в направлении основной цеии по данным [144]. [c.271]

При диспергировании металлов ударное механическое воздействие приводит к деформации кристаллической решетки,появлению дислокаций, трещин, дефектов и выбросу возбужденных электронов поверхностного слоя металла. Эти эмитирующие электроны передаются и захватываются молекулами мономеров с образованием активной формы мономера, начинающей процесс цепного превращения [51 8]. [c.217]

Рис. 8. Схематическое изображение деформации кристаллической решетки под действием касательных напряжений

Под внутренними параметрами м ы понимаем распределения концентраций, смещений атомов из положений равновесия, деформаций кристаллической решетки и других свойств, определяющих структуру фазы. [c.32]

В заключение этого параграфа установим связь между распределениями концентрации вида (29.22) — (29.24) и деформациями кристаллической решетки. Фурье-образ деформации, отсчитанной от состояния недеформированной матрицы, выражается через фурье-образы смещений следующей обычной формулой [c.270]

Наряду с несомненными успехами, достигнутыми в области исследования явлений отравления катализаторов, можно указать и на совершенно незатронутую сторону этой проблемы, а именно на полное отсутствие данных о поведении при отравлении катализаторов, отличающихся лишь физической структурой (параметр решетки, дисперсность). Исследование с этой точки зрения представляет интерес в связи с обнаружением закономерностей в соотношении свойств и физической структуры катализаторов , и оно предпринято нами с учетом результатов, показавших необходимость раздельного изучения влияния деформации кристаллической решетки и дисперсности . [c.127]

На упрочнение твердого раствора влияет также снижение температуры у —> а-превращения. Чем больше легирующие элементы снижают эту температуру, тем интенсивнее протекают процессы деформации кристаллической решетки и дробления блоков структурной мозаики (фазовый наклей). Так, легирование марганцем, хромом, никелем Сильно снижает температуру у -превращения, в результате чего значительно упрочняется твердый раствор и заметно повышается эрозионная стойкость многих сталей. [c.174]

В работе [33] исследовалось влияние деформации кристаллической решетки СггОз на удельную активность и избирательность действия в отноше- [c.89]

На основании приведенных в табл. 4 данных [33] авторы заключают, что главным фактором, определяющим активность, является деформация кристаллической решетки. Однако нам представляется, что из этой таблицы можно сделать вывод об отсутствии существенного влияния способа приготовления на удельную активность и избирательность действия. [c.90]

Имеются данные о том, что высокие напряжения в стальных изделиях в результате проникновения водорода приводят к повышению твердости, другие данные указывают на снижение микротвердости сталей при наводороживании. Установлено также [68], что поверхностная твердость железа в процессе наводороживания проходит через максимум, а затем падает. Объясняют это деформацией кристаллической решетки, прилегающей к поверхности микропустот, заполненных водородом, в результате чего повышается твердость, а затем в процессе дальнейшего наводороживания растрескиванием и разрыхлением поверхности, из-за чего снижается ее твердость. [c.11]

Рассмотрим возможность накопления хлор-иона на участках поверхности металла, где вследствие локальной деформации образовались скопления дислокаций. Причиной локальной деформации кристаллической решетки металла могут быть механические воздействия, неметаллические включения и т. д. [c.599]

Особый интерес представляют условия образования твердых растворов замещения, в которых железо играет роль растворителя. И. И. Корнилов установил связь между растворимостью элементов в железе и их ионными диаметрами атомный диаметр растворимого элемента должен отличаться от атомного диамет)ра железа не более чем на 8—15%. Только при этих условиях не происходит значительной деформации кристаллической решетки растворителя и изменения характера связи. Если это ра.зличие не превышает 8%, то образуются непрерывные твердые растворы если различие составляет 8—15%, то образуются ограниченные твердые растворы. Так, например, хром, с атомным диаметром, отличающимся от железа не более чем на 1,5%, дает с ним непрерывный ряд твердых растворов молибден, отличающийся от железа по атомному диаметру на 10%, ограниченно растворяется в железе еще меньше растворяется вольфрам и т. д. Отмеченные закономерности в отношении растворимости элементов в железе распространяются и на некоторые другие элементы. [c.123]

Причиной появления низкотемпературной модификации интерметаллида ТЬСоа является спонтанная магпитострикция. Относительная деформация кристаллической решетки по направлению <111>, оцененная по рентгеновским данным, составляет величину 5-10 , что хорошо согласуется с данными магнитных измерений. [c.167]

Деформации кристаллической решетки при обезвоживании исследовались С. М. Юсуповой, установившее переход монтмориллонита в галлуазит при чередовании нагреваний и охлаждений. Р. Грим [12] указывает, что регидратацию затрудняет также продвижение в процессе сушки иона алюминия из рёшетки на обменные позиции. Вследствие ингибирующего действия его резко снижаются размокание, пластичность и т. п. Немалую роль играет и гйдрофобизация адсорбирующимся воздухом поверхностей, оголяющихся при высушивании. А. В. Думанский [18] экспериментально показал значительное уменьшение теплот смачивания адсорбентов (торфа, силикагеля, почв) в присутствии адсорбированного воздуха. По данным Ф. Д. Овчаренко [39], у глин теплота смачивания в этом случае уменьшается от 5 до 15%. [c.40]

Гидрофильность и адсорбционные свойства находятся в прямой зависимости от дисперсности. Р. Бредфилд показал, что тонко-дисперспый барит, несмотря па крайне малую растворимость (1 X X 10 моль/л), способен в суспензии натриевой глины замещать до обменных позиций. Интенсивное диспергирование приводит к деформации кристаллической решетки и аморфизации поверхности [56]. При увеличении удельной поверхности карагайлинского баритового концентрата с 3240 до 5400 см7г теплота смачивания возрастает с 0,1 до 0,45 кал/г, а количество связанной воды с 0,1 до 0,4%. Аналогично возрастает адсорбция метиленовой сини и гуматов. [c.50]

Деформации кристаллической решетки н-парафинов, вызванные вхождением примесных молекул (композиционные или химические деформации [145, с. 226]), полярны в отношении изменения параметра с и объема их злементарной ячейки [79]. В плоскости аЬ (см. рис. 25) молекулярные цепочки н-парафинов имеют сечения одинакового размера, поэтому параметры аиЬу составов, находящихся в одинаковом фазовом состоянии, меняются несущественно. В то же время даже минимальное различие в два углеводородных звена (Ди=2) обусловливает значительную разницу в величине п мметра с ближайших гомологов одинаковой четности. Рассмотрим зависимость параметра с от состава н-па-рафинов на примере простой системы С21—С23. [c.186]

Для изготовления ДСК-электродов необходим тонкий порошок сплава Ренея с размером зерен от единиц до 400 жкж. Простейший метод получения порошков сплава — размол его кусков. Для этого необходимо, конечно, чтобы сплав был достаточно хрупким, чего очень трудно добиться, например, для сплавов —А1. Увеличения хрупкости можно достигнуть, как известно [9], регулируя скорость охлаждения расплава или вводя специальные, по возможности небольшие добавки. Цель этих операций — избежать холодной текучести сплава. Эта текучесть проявляется в скольжении плоскостей решетки в отдельных кристаллитах и в смещении по границам зерен. Полагают, что эти процессы преимущественно вызываются имеющимися смещениями в кристаллической решетке. Чем сильнее нарушена подвижность смещений, тем меньше текучесть. Подобные нарушения вызываются деформациями кристаллической решетки, дальнейшими смещениями, посторонними атомами, внедрившимися в узлы и междоузлия решетки, а также нерастворимыми примесями или выделившимися фазами [10]. [c.325]

Поле макроскопических напряжений в монокристалле можно рассчитать, пользуясь уравнением термоупругости, в котором вместо температурной деформащш ХтТ необходимо ввести концентращюнную ХсС. В этом случае тензор второго ранга %с будет характеризовать деформацию кристаллической решетки в результате захвата примесей. Соответственно, распределение примеси в монокристалле со свободной поверхностью приведет к концентрационному изгибу с кривизной, определяемой как [c.47]

Полагая, что реакция термического распада протекает по механизму предложенному Робертсоном (1949 г.), авторы рассчитали, что 10 % разложения достаточно для того, чтобы создать в кристалле напряжения, необходимые для образования и дв.ижения дислокаций. При этом напряжения возникают в результате деформации кристаллической решетки, вызванной несоответствием объемов молекул исходной матрицы и молекул продуктов реакции. Объем молекулы циклотриметилентринитроамияа составляет (14,8 нмЗ) объем молекул продуктов реакции— (180 нм ) [32]. [c.167]

Развитие термического распада циклотриметилентринитроами-на на начальных стадиях выглядит следующим образом. Реакция возникает на дефектных местах кристалла — либо исходных, либо вызванных температурными напряжениями. Вследствие несоответствия объемов молекул продуктов реакции и исходного вещества происходит деформация кристаллической решетки, приводящая к возникновению в кристалле дополнительных напряжений. Это, в свою очередь, способствует термической реакции в объеме, так как увеличивается дефектность кристалла. При раэаитии процесса продукты реакции не успевают диффундировать, их накопление приводит к образованию дефектных зон и столь большому росту напряжений,, что кристалл растрескивается и начинается видимое газовыделение. [c.167]

Дальнейшие доказательства вероятности пространственных представлений о карбамидаых комплексах хорошо согласуются с данными Шленка [25] при сравнении экспериментальных и теоретических значений плотности комплексов. Известны процессы адсорбции и перегонки, применяемые для разделения молекул по классам и размерам. Разделение же их при помощи комплексообразования основано на различии в пространственном строении молекул с учетом их размера и класса. Автор 25] разделил все комплексы на две группы одна группа реагирует легко, а другая образует комплекс благодаря индукции, т. е. при помощи более стабильных органических веществ и деформации кристаллической решетки. Это явление названо индукцией. [c.10]

Реальные металлические материалы, как правило, являются по-ликристаллическими, то есть состоят из множества отдельных кристаллов, которые в общем случае имеют неправильную форму и называются кристаллитами или зернами. В отличие от идеальных кристаллов, в которых атомы кристаллической решетки расположены строго периодично, реальные кристаллы всегда имеют нарушения регулярности структуры (разупорядоченность), которые называются дефектами. Основными причинами отсутствия у реальных конструкционных металлических материалов идеального кристаллического состояния являются неравновесные условия кристаллизации металла, присутствие в его составе легирующих и примесных элементов, деформация кристаллической решетки вследствие воздействия на нее в процессе изготовления изделий механических, термических, радиационных и других факторов. [c.23]

Благодаря явлению магнитострикции при изменении намагниченности в кристалле происходит деформация кристаллической решетки. В частном случае феррита кубической структуры относительная магнитострикци- [c.563]

Рис. 7. С ематическое изображение деформации кристаллической решетки под действием нормальных напряжений

Иа рис.15 покааано влияние деформации кристаллической решетки на активность никеля при дегидрогенизации циклогексана. [c.74]

Как же тогда определить кристаллический порядок Рассмотрим схему искаженного кристалла на рис. 45, который мы использовали для пояснения влияния деформации кристаллической решетки на спектр фононов. Изображенная на этом рисунке система атомов не обладает пространственной периодичностью, и элементарные ячейки в разных ее участках отличаются размером и формой однако она все же воспринимается как изображение испорченного кристалла. Мы упорядочиваем эту систему, вводя некоторую криволинейную сетку, описываюп ую в каждой точке пространства вполне определенную кристаллическую структуру. Следуя вдоль такой сетки, всегда можно установить связь локального ближнего порядка с таковым в любой части кристалла. Точечные дефекть не нарушают об-ш,ей структуры сетки. [c.268]

Еще Б. С. Якоби [295] объяснил высокую твердость электролитического железа повышенным содержанием, в нем водорода. Причиной высокой твердости электролитического железа М. И. Замоторин и Р1. Н. Агеева [296] считают деформацию кристаллической решетки а-железа в результате внедрения в нее атомов водорода. Имеются данные, свидетельствующие об увеличении твердости железа при насыщении его водородом путем катодной поляризации в растворах кислоты [297—302]. [c.96]

Техника физико-химических исследований при высоких и сверхвысоких давлениях Изд3 (1965) -- [ c.45 ]

Техника физико-химических исследований при высоких и сверхвысоких давлениях (1976) -- [ c.50 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.186 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология