Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Коэффициенты рассеяния

Рис. 17. Зависимость коэффициента рассеяния света от величины характеристического параметра. Рис. 17. Зависимость <a href="/info/321584">коэффициента рассеяния света</a> от <a href="/info/117349">величины характеристического</a> параметра.

    На коэффициент рассеяния света Ь, значение которого не превышает 5, влияют следующие факторы (Голден, 1958). [c.148]

    Значение коэффициента рассеяния света для сфер, не поглощающих его, вычисляют по уравнению [c.148]

    Величина К складывается из коэффициента "истинного" поглощения и коэффициента рассеяния  [c.88]

    Суммарный поток энергии, рассеянной частицей во всех направлениях, отнесенный к единице интенсивности падающего потока, называется коэффициентом рассеяния и обозначается символом /Ср. Рассеяние света характеризуется величиной интенсивности светового потока, рассеянного в различных направлениях. Векторная диаграмма, показывающая распределение интенсивности рассеянного света по всем направлениям, называется и н д и к а т р и с с о й рассеяния. [c.30]

    Как уже указывалось, коэффициент рассеяния связан с размером частиц соотношением см. формулу (8)]  [c.42]

    Здесь бр — коэффициент рассеяния АгЗ — размер в лучевом направлении и площадь зоны озвучивания функции I и / — характеризуют поля излучателя и приемника. [c.132]

    Выбрать частоту с учетом зависимости от нее коэффициента рассеяния бр. Согласно 1. бр пропорционален причем в зависимости от соотношения БД значение п может изменяться от 2 до 4. Из табл. 2.1 видно, что в зависимости от значения п, формы отражателя, зоны преобразователя, в которой отражатель расположен, отношение сигнал — помеха с повышением частоты может как увеличиваться, так и уменьшаться. Из практики известно правило чем больше затухание ультразвука, тем ниже должна быть частота. Оно связано с необходимостью выполнения условия брЯ.< <0,02, так как в противном случае начинает действовать эффект повторного рассеяния и формулы табл. 2.1 становятся неверными. [c.139]

    Требование к исследуемому образцу. Для получения дифракционного эффекта требуется кристалл определенного размера. Последний зависит от коэффициента рассеяния и быстроты поглощения лучей в веществе поток электронов полностью поглощается при прохождении через слой в несколько микронов рентгеновские лучи дают достаточную интенсивность рассеяния при пересечении слоя в 1 мм для ощутимого рассеяния потока нейтронов нужны уже не миллиметры, а сантиметры. Поэтому для рентгеноструктурных исследований необходим монокристалл с размерами в пределах 0,1 —1,0 мм. В частности, можно использовать игольчатые (нитевидные) кристаллы очень небольшого поперечного сечения. Для нейтронографического исследования обычно требуется более массивный монокристалл — размером в 0,5—1 см (что, впрочем, существенно зависит от интенсивности первичного пучка нейтронов). Получение таких монокристаллов часто составляет самостоятельную техническую проблему. Наоборот, в электронографии можно пользоваться лишь кристаллическими пленками. Обычно они создаются путем кристаллизации вещества на аморфной, прозрач- [c.172]


    Размер зерна оказывает очень большое влияние на коэффициент рассеяния ультразвуковых волн (см. 1.2), поэтому структуру контролируют по затуханию ультразвука. Отношение длины волны X к среднему диаметру зерна выбирают в диапазоне от 4 до 15. На частотную зависимость затухания значительное влияние оказывает статистика распределения зерен по размерам. [c.258]

    Широкое распространение получил способ структурных коэффициентов [7], согласно которому на двух частотах измеряют амплитуды донных сигналов в ОК и образцах с известной структурой и одинаково хорошей обработкой поверхности (/ а<2 мкм). Одну из частот (опорную) выбирают заведомо низкой так, чтобы затухание ультразвука слабо зависело от структурных составляющих. На этой частоте приравнивают донные сигналы в образцах и ОК, благодаря чему существенно уменьшают влияние нестабильности акустического контакта. Другие частоты (рабочие) соответствуют области максимального коэффициента рассеяния. [c.258]

    Оно не зависит от толщины ОК, что очень удобно. В то же время предложенная характеристика не является независимой от ранее рассмотренных. Она сильно зависит от скорости ультразвука с и слабее от коэффициента рассеяния бр, который составляет основную часть коэффициента затухания в чугуне. Отношение донный сигнал — помеха зависит также от качества акустического контакта (см. п. 2.3.5). Предложенное отношение рекомендуется использовать вместо измерения скорости ультразвука для оценки степени сферичности графита (см. рис. 3.38, шкала слева). [c.261]

    Другая акустическая величина, предложенная для оценки физико-механических свойств чугуна, — частота fm, соответствующая максимальной амплитуде спектра донного сигнала. Для ее измерения используют широкополосный преобразователь и дефектоскоп-спектроскоп, позволяющий наблюдать спектр донного сигнала. Теоретический анализ показал, что значение связано с коэффициентом рассеяния. На него также влияет полоса пропускания преобразователя. Показана возможность контроля твердости чугуна по величине fm, при этом коэффициент корреляции выше, чем для контроля НВ по скорости и затуханию. Достоинство измерения твердости по величине т также в том, что ее измеряют по первому донному сигналу. Недостатки состоят в зависимости [c.261]

    Показател , преломления. . Коэффициент рассеяния света, слг. ...... [c.341]

    След тензора Ае равен нулю. Так как жидкость 1в среднем изотропна, т. е. все направления в ней равноправны, то < > = 0 <(Де,- .) > одинаковы для всех 1фк <(Ае ) >- одинаковы для всех . Величины <(Де ) > можно определить с помощью рассеяния света. Пусть в направлении оси х, выбранной нами системы декартовых координат распространяется плоская неполяризованная монохроматическая световая волна. Длина волны X, интенсивность потока света равна 1 . Поток света рассеивается жидкостью, находящейся в области V. Введем обозначения / ан — коэффициент рассеяния света на анизотропных флуктуациях — коэффициент рассеяния света [c.147]

    Коэффициентом рассеяния называют величину, пропорциональную отношению интенсивности / рассеянного света к /  [c.147]

    Рассеивающая способность вещества характеризуется коэффициентом рассеяния / , определяемым соотношением  [c.473]

    Для малых по сравнению с длиной волны падающего света частип мутность связана с коэффициентом рассеяния света уравнением.  [c.474]

    Коэффициент рассеяния полюсов при холостом ходе [c.184]

    Коэффициент рассеяния полюсов (предварительно) [c.266]

    В диапазоне частот, для которых значение 5= Ю, коэффициент рассеяния ультразвука для чистых металлов приближенно подчиняется закону б т. е. рассеяние носит релеев-ский характер. Рассеяние ультразвука в металле при Х/с < [c.10]

    Ароматические углеводороды. Для количественного анализа типов ароматических углеводородов или структурных групп колебательные спектры применялись лишь в ограниченном числе случаев. Метод определения общего содержания ароматических соединений был описан Хейглем н др. [21], использовавшими линию комбинационного рассеяния в области 1600 см— , относящуюся к колебаниям сопряженной С=С связи ароматического кольца. Метод измерений аналогичен методу, предложенному этими авторами для определения общей непредельности. Для снижения влияния изменения положения линии в спектре для различных индивидуальных ароматических соединений бралось произведение коэффициента рассеяния на ширину линии у основания. Эта величина линейно связана с площадью под регистрируемым пиком. Среднее отклонение этой величины для 22 алкилбензолов составляло приблизительно 10%. [c.333]

    Обсуждавшиеся выше выражения получены для ке-рассеиваюш,ей среды. Однако для серой среды, изотропно рассеивающей и находящейся в равновесии с излучением, видно, что альбедо однократного рассеяния не вносит осложнений (так же как не вносит осложнений степень черноты полностью диффузной серой адиабатной стенки) и Кц заменяется коэффициентам ослабления к +к . Для песерного анизотропного рассеяния ситуация не столь проста, однако в качестве [фиближения можно воспользоваться заменой kg на двунаправленный коэффициент рассеяния усредненный с массой 1— os 0. [c.505]


    Уравнения (73) - (74) определяют собственные частоты 05о системы, форму колебаний вала из(2). Демпфирование колебаний в системе ротор - подпшпники будем характеризовать коэффициентом рассеяния [c.69]

    Для вычисления коэффициента рассеяния Кр необходимо, согласно определению, проинтегрировать индикатриссу рассеяния по всем направлениям и отнести полученную величину к [c.31]

    Большое влияние на величину коэффициента рассеяния в средах оказывает соотношение среднего размера неоднородностей и среднего расстояния между неоднородностями с длиной волны ультразвука. В металлах параметр дзеды, влияющий на рассеяние,— средний размер кристаллитов О. При коэффициент бр пропорционален (рэлеевское рассеяние) (рис. 1.10). Общее затухание определяют в этом случае формулой [c.34]

    Требование к исследуемому образцу. Для получения дифракционного эффекта требуется кристалл определенного размера. Последний зависит от коэффициента рассеяния и быстроты поглощения лучей в веществе поток электронов полностью поглощается при про.хождении через слой в несколько микронов ренггеновские лучи дают достаточную интенсивность рассеяния при пересечении слоя в 1 мм для ощутимого рассеяния потока нейтронов нужны уже не миллиметры, а сантиметры. Поэтому для рентгеноструктурных исследований необходим монокристалл с размерами в пределах 0,1 —1,0 мм. В частности, можно использовать игольчатые (нитевидные) кристаллы очень небольшого поперечного сечения. Для нейтронографического исследования обычно требуется более массивный монокристалл — размером в 0,5—1 см (что, впрочем, существенно зависит от интенсивности первичного пучка нейтронов). Получение таких монокристаллов часто составляет самостоятельную техническую проблему. Наоборот, в электронографии можно пользоваться лишь кристаллическими пленками. Обычно они создаются путем кристаллизации вещества на аморфной, прозрачной для электронов подложке. При этом, как правило, возникает не монокристальная, а поликристалличе-ская пленка. Для структурного анализа, однако, важно, чтобы кристаллики пленки имели в ней некоторую преимущественную ориентацию. Добиться кристаллизации такой текстурированной пленки удается не всегда. [c.128]


Смотреть страницы где упоминается термин Коэффициенты рассеяния: [c.319]    [c.99]    [c.99]    [c.186]    [c.187]    [c.595]    [c.198]    [c.485]    [c.147]    [c.85]    [c.33]    [c.139]    [c.74]    [c.74]    [c.123]    [c.116]    [c.228]    [c.247]    [c.18]    [c.178]    [c.209]    [c.91]    [c.18]   
Перемешивание и аппараты с мешалками (1975) -- [ c.153 ]

Перемешивание и аппараты с мешалками (1975) -- [ c.153 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте