Случай слабого поля

Если энергия межэлектронного отталкивания оказывается большей, чем энергия расщепления, то пять -орбиталей последовательно заполняются сначала по одному, а затем по второму электрону. Это случай слабого поля (табл. 12). [c.119]

Для комплекса с конфигурацией d , например [ У(Н20)б] + или [VFe] , соответствующий свободный ион V + характеризуется основным состоянием F. Рассмотрим влияние октаэдрического поля (случай слабого поля). Состояние F расщепляется на состояния T g, T2g и Mag. Первое из них, которое является основным состоянием, в случае сильного поля соответствует конфигурации (tig) (еЮ а второе — конфигурации t2g)(eg)- Третье же состояние соответствует конфигурации (i g) (е )- Состояния, возникающие из различных электронных конфигураций, сведены в табл. 2.4. [c.44]

СЛУЧАЙ СЛАБОГО ПОЛЯ. СВЯЗЬ РЕССЕЛЯ--САУНДЕРСА 365 [c.365]

Предельный случай слабых полей. При предположении о наличии связи Рассела—Саундерса это приближение определяется описанными выше первым и вторым допущениями и соответствует тем случаям, когда возмущение, обусловленное лигандами, недостаточно велико для того, J чтобы очень сильно исказить уровни энергии [c.222]

Предельный случай сильных полей [184]. Предельный случай слабых полей означает с точки зрения конфигураций, что уровни и [c.231]

В заключение укажем обш ий вид функции распределения и ее моментов для случая слабых полей, когда функцию определяемую уравнением (2.8), можно представить в виде разложения по малой напряженности поля. С точностью до членов второго порядка по напряженности поля находим [c.81]

Выведем теперь некоторые общие соотношения. Во-первых, покажем, что коэффициент при т в (11.4) действительно равен единице. Рассмотрим случай слабых полей ik Тогда <<р> ф или 1 = т + о т ). В другом предельном случае сильных полей [c.149]

Первая возможность реализуется в случае сильного поля лигандов, при котором А больше, чем проигрыш в отталкивании. Такая ситуация обычно имеет место для двухзарядных ионов металлов первого переходного ряда с лигандами, начинающими спектрохимический ряд (приблизительно до Еп), или для переходных металлов второго и третьего рядов почти со всеми лигандами. Это обусловлено тем, что Д существенно растет при переходе от первого ко второму и третьему рядам, поскольку при этом растет радиальная протяженность ( -орбиталей. Случаю сильного поля для четырех -электронов отвечает конфигурация tlg с суммарным спином 1 низкоспиновые комплексы), а случаю слабого поля - tlgel со спином 2 высокоспиновые комплексы). [c.337]

Н можно получить, сопоставляя два предельных случая слабого поля и сильного поля. При увеличении напряженности поля Н зееманов-ское расщепление непрерывным образом переходит в расщепление Пашена — Бака. Этот переход всегда осуществляется таким образом, [c.339]

Этот случай преобладает у комплексов металлов З -семейства, и его часто называют случаем слабого поля. [c.411]

Для каждой из систем есть две возможности, зависящие от относительной энергии расщепления кристаллическим полем Ад и средней энергии спаривания электронов. Таким образом, необходимо обсудить два предельных случая, известных как случай сильного поля лигандов и случай слабого поля лигандов (рис. 10-4). [c.413]

Случай слабого поля. В случае, в котором расщепление Зеемана мало по сравнению со спиновым дублетом, мы можем рассматривать (5.81) как возмущение для каждого из двух уровней, получаемых в результате спинового взаимодействия. Мы должны, вычислить матричные элементы (я/ Н пРЬ ) для различных вырожденных состояний уровня Их легко получить из (5.45) [c.150]

СЛУЧАЙ СЛАБОГО ПОЛЯ. СВЯЗЬ РЕССЕЛЯ — САУНДЕРСА [c.365]

Низшие орбитали в октаэдрическом поле обычно обозначают СИМВОЛОМ 28, а высшие — символом eg. Представим по аналогии с принципом построения атомных структур [32], что низшее энергетическое состояние иона в октаэдрическом центре можно выразить числом занятых и еа-орбиталей. При этом возможны два предельных случая. Если кристаллическое поле ЮОд очень сильное, электроны будут занимать низший уровень даже за счет спаривания спинов. Это так называемый случай сильного поля. Если кристаллическое поле несколько слабее, электроны будут занимать низшие энергетические уровни по возможности без спаривания спинов. Это так называемый случай слабого поля. [c.449]

Случай слабого поля [c.81]

НЕСКОЛЬКО -ЭЛЕКТРОНОВ СЛУЧАЙ СЛАБОГО ПОЛЯ [c.40]

Подробное количественное рассмотрение случая слабого поля приведено в разделах VHI. 1 и VHI.3 здесь же мы приведем лишь некоторые результаты и пояснения к ним. [c.41]

Бете [50] сравнивает три вида взаимодействий (межэлектронное, спин-орбитальное и электронов с кристаллическим полем) и в зависимости от соотношения между ними исследует три случая вместо приведенных в этой главе двух, а именно, вместо случая слабого поля рассматривает ситуации [c.41]

II. 3. Несколько -электронов. Случай слабого поля.........40 [c.309]

Если энергия межэлектронного отталкивания оказывается больше энергии расщепления, то пять d-орбиталей последовательно заполняются сначала по одному, а затем по второму электрону. Это случай слабого поля. Если же энергия расщепления Д превышает энергию межэлектронного отталкивания, то сначала полностью заполняются орбитали с меньшей энергией, а затем орбитали с большей энергией. Это случай сильного поля. [c.507]

Аналогичные расчеты для случая слабых полей дают [c.160]

Эти факторы довольно подробно обсуждались в предыдущей главе было установлено, что когда Д мало, существует тенденция к образованию конфигурации со свободными спинами. При этом, в соответствии с правилом Хунда (см. с. 231), электроны находятся на различных орбиталях и максимально отдалены друг от друга. В сильном поле электроны вынуждены спариваться и образовывать конфигурацию сильного поля (со спаренными спинами). Теперь подробно обсудим роль, которую играет межэлектронное отталкивание. Когда А мало по сравнению с энергетической щелью между термами, мы вновь имеем случай слабого поля. Можно считать, что расстояния по энергии между термами определяют энергетическую диаграмму, а поле, создаваемое окружающими лигандами, следует рассматривать как относительно малое возмущение. Влияние спин-орбитального взаимодействия будет еще меньще. [c.326]

Случай слабого поля соответствует строгому соблюдению принципа Паули , случай сильного поля имеет место, когда разность энергий между наборами орбиталей (Д) больше, чем энергия спаривания спинов. Вследствие этого вначале полностью заполняется набор нижележащих орбиталей. [c.51]

Распределение -электронов по ячейкам в свободном атоме или ионе определяется их взаимодействием между собой. Результат этого взаимодействия выражается правилом Гунда (см. стр. 85). Если атом или ион попадает в электростатическое поле лигандов, возможны два случая. Если поле лигандов является сравнительно слабым и вследствие этого параметр расщепления А небольшим, преобладает межэлектронное взаимодействие и распределение й-электронов по ячейкам не изменяется. Обычно этот случай называется случаем слабого поля, а соответствующие комплексные соединения — высокоспиновыми или спин-свободными. Этими названиями подчеркивается, что полный (суммарный) спин, зависящий от числа неспаренных электронов, при комплексообразовании не уменьшается. [c.103]

Если спаривание электронов требует больше энергии, чем перевод на е -орбиталь (П > Д), то сперва все г" и е -ячейки заполняются одним электроном и только потом начинается образование электронных пар. По аналогии с теорией кристаллического поля этот случай иногда называется случаем слабого поля. [c.118]

При относительно малых величинах расщеплений, возникающих в слабых полях лигандов (левая часть спектрохимического ряда), ленденция к образованию термов с максимальной мультиплетно-стью оказывается преобладающей. Этот вариант отвечает случаю слабого поля лигандов, комплексы такого типа называются высокоспиновыми. [c.425]

Поскольку теория электропроводности Дебая—Гюккеля—Онзагера была развита для случая слабых полей, ее пришлось видоизменить таким образом, чтобы учесть влияние сильных полей. Первая попытка в атом направлении была сделана Иоосом и Блюментритом [16]. Они получили следующее уравнение [c.101]

Р. Для проявления заметного расщепления вследствие эффекта Яна — Теллера необходимо, чтобы одно из состояний, участвующих в переходе, было типа Ед. Отсюда вытекает требование, чтобы комплексы относились к случаю слабых полей примерами являются К [СоУд] и ион [Ге(Н20)в] . Первое соединение охарактеризовано не достаточно полно [13, 119], а спектр второго соединения внушает сомнения. Указывается [1851, что в спектре гидрата имеются две полосы при 9300 (е = 1,74) и 10 500 см (е==1,86), но более поздние измерения [76] подтвердили иали чие только одной полосы при - 10 ООО имеющей в кристалле вид [c.243]

Необходимую информацию для наиболее полной интерпретации спектров комплексов переходных элементов (без учета спин-орбитального взаимодействия и других деталей) можно получить при рассмотрении диаграмм энергетических уровней. Для случая слабых полей лигандов здесь будут приведены так называемые диаграммы Оргела [33], а для случая сильных полей лигандов — диаграммы Танабе—Суёано [34]. Для более обычных полей средней силы можно пользоваться теми или другими диаграммами. [c.491]

Уровни более высоких атомных термов могут понижаться и участвовать в этих переходах. Случай слабого поля предполагает малую энергию расщепления полем лигандов (т. е. слабое возмущение уровней свободного иона) по сравнению с энергией межэлектронного отталкивания. Последнее обусловливает расщепление термов "-конфигураций на уровни различной энергии. 492 [c.492]

Как мы уже видели в разделе 10 гл. V, если магнитное поле достаточно велико, чтобы произвести изменения в энергии, сравнимые с расстояниями между уровнями данного терма, то возникают особые эффекты поэтому удобно сперва рассмотреть случай слабых полей, понимая под этим поля, эффект воздействия которых мал в сравнении с расстояниями между невозмущенными уровнями обычно употребляемые поля являются в этом смысле слабыми. Особые черты эффекта Зеемана, возникающие тогда, когда поле не является слабым, называют эффектом Пашена— Бака. [c.365]

СЛУЧАЙ СЛАБОГО ПОЛЯ. СВЯЗЬ РЕССЕЛЯ-САУНДКРСА [c.367]

Для электронной конфигурации ц. а. [А] (nd) в поле лигандов, влияние которых слабее межэлектронного взаимодействия (случай слабого поля, раздел И.З), можно сначала рассмотреть состояние свободного атома, как это сделано в разделе VHI. 1, и найти его термы, а затем учесть влияние поля лигандов на каждый из этих термов в отдельности в виде возмущения. Для двух -электронов возможны термы F, Р, G, /), (табл. 1.4), из которых -терм основной. Его значения энергии и волновые функции приведены выше (стр. 27 и 221). Рассмотрим сначала наиболее важный случай основного F-терма. [c.234]

Спектр 1, а соответствует наличию только изотропного СТВ с ядром I = 1/2. При учете анизотропного СТВ появляются сингулярности, определяемые главными значениями тензора СТВ. Спектр 1, б соответствует случаю слабого поля, 1,6 — сильного поля. Второй ряд спектров иллюстрирует влияние ядерного зеемановского взаимодействия — появление сателлитов для внешних полей Х-диапазона Н = 3450 э, Нр= 5,25э), К - диапазона Но = 8400 э, Нр= 12,80э) и -диапазона Н = 12150э, Нр= [c.120]

В табл. 12.5 показаны энергетические уровни, возникающие из -конфигураций иона У +. Спин-орбитальная связь расщепляет Р- и Р-термы на несколько компонент, так как и тот и другой имеют ненулевые значения спинового и орбитального угловых моментов (см. разд. 12.2). Однако для случая слабого поля лигандов спин-орбитальная связь является слабым возмущением, которое следует рассматривать, если вообще делать это, только после учета поля лигандов. Если же им пренебречь, получим энергии термов, приведенные в правой крайней колонке [c.259]

Рассматривая влияние кристаллического поля на магнитные свойства, различают 3 случая — сильное, среднее и слабое поле. Теоретические работы, посвященные этим вопросам применительно к соединениям элементов с 5/-электронами, прежде всего относятся к соединениям и(1У). В 1957 г. Хатчисон и Кандела дали первую (и остающуюся до сих пор лучшей) интерпретацию влияния кристаллического поля октаэдрической и кубической решетки на магнитные свойства парамагнитного иона при допущении, что величина спин-орбитального взаимодействия больше, чем энергия взаимодействия иона с кристаллическим полем (случай слабого поля). Это условие справедливо для ионов с 4/-электронами, однако оно может быть принято с достаточной степенью приближения и для ионов с конфигурацией 5/. В кристаллическом поле кубической симметрии в этом случае основной терм расщепляется на четыре подуровня синглетный (Г-,), двукратно вырожденный (Гд) и два трехкратно вырожденные (Г и Г ). Хатчисон и Кандела [38] рас-226 [c.226]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология