Межэлектронное отталкивание энергия

Вычислите энергию межэлектронного отталкивания для состояния )-( , щ)]. [c.35]

Здесь первый член — оператор кинетической энергии электронов второй — оператор потенциальной энергии взаимодействия п электронов с ядром последняя сумма — оператор энергии межэлектронного отталкивания. [c.49]

Электронная энергия молекулы = (сумма орбитальных энергий) — (усредненная энергия межэлектронного отталкивания) + + (энергия отталкивания между ядрами). Усредненная энергия межэлектронного отталкивания вычитается из суммы орбитальных энергий, так как в последней межэлектронное отталкивание учитывается дважды один раз для и другой раз для [c.60]

Все уровня атома лития расположены ниже соответствующих уровней атома водорода, причем сдвиг их тем меньше, чем больше угловые моменты соответствующих орбита-лей, т. е. 5-уровень сдвигается сильнее р-уровня, р-уровень — сильнее -уровня и т. д. Энергии орбиталей уменьшаются с возрастанием Z. Понижение энергии орбитали уменьшается с ростом главного квантового числа п. Расщепление уровней с данным п возникает из-за межэлектронного отталкивания. В пределе при 2->оо орбитали внутренних электронов с данным п снова становятся вырожденными по I, так как межэлектронное взаимодействие становится незначительным по сравнению с электронно-ядерным взаимодействием. Для атома водорода 3 /-орби-таль лежит ниже 4 , в то же время для 7<2<21 орбитали 5с1 и 45 имеют обратный порядок по энергии. Для 2 21 З -орбиталь вновь лежит ниже 45-орбитали. Аналогичные изменения порядка орбита-лей можно проследить и для других уровней. Результаты исследования атомных спектров и точных расчетов энергетических уровней многоэлектронного атома позволяют представить следующую схему расположения энергетических уровней многоэлектронного атома [c.65]

Энергия связи в молекуле р2 необычно мала (например, по сравнению с С12) это принято объяснять межэлектронным отталкиванием между 2р(я)-орбиталями, которое в р2 особенно велико из-за малого размера атома Р. Длина связи в Р2 меньше, чем в В2, потому что заряд ядра больше возрастание заряда ядра неполностью компенсируется дополнительными электронами. [c.522]

Энергия каждой молекулярной орбитали в отдельности Энергия межэлектронного отталкивания Энергия ядерного отталкивания Энергия двух свободных атомов Н [c.104]

Если энергия межэлектронного отталкивания оказывается большей, чем энергия расщепления, то пять -орбиталей последовательно заполняются сначала по одному, а затем по второму электрону. Это случай слабого поля (табл. 12). [c.119]

Энергия кристаллического поля < энергии межэлектронного отталкивания < энергии спин-орбитального взаимодействия. [c.221]

Энергия межэлектронного отталкивания < энергии спин-орбитального взаимодействия < энергии кристаллического поля. [c.221]

Приведите энергии расщепления -уровня иона Со + в комплексах [СоРй] и [ o(NHз)6] + и энергию спаривания -электронов (энергию межэлектронного отталкивания) иона Со +. [c.114]

Основное отличие гамильтониана (3.1) от гамильтониана атома, водорода (2.1) заключается в том, что оператор потенциальной энергии включает не только члены, описывающие притяжение электронов к ядру, но и член межэлектронного отталкивания. Era [c.49]

Если же энергия расщепления А превышает энергию межэлектронного отталкивания, то сначала полностью заполняются орбитали с меньшей энергией, а затем орбитали с большей энергией. Это случай сильного поля (табл. 12). [c.119]

Эффективное поле, в котором находится электрон в атоме,, имеет сферическую симметрию, и поэтому одноэлектронное приближение позволяет описывать состояние электронов в многоэлектронных системах с помощью того же набора орбиталей, что и в атоме водорода. Однако межэлектронное отталкивание приводит к тому, что энергия состояния определяется не только главным квантовым числом, но и азимутальным. Обычно говорят, что происходит расщепление энергетических уровней с одним значением главного квантового числа. [c.45]

Возможны шесть различных соотношений между энергией стабилизации полем лиганда (ЭСПЛ), энергией спин-орбитального взаимодействия (ЭСО) и АЕ — энергией межэлектронного отталкивания (или разностью энергий между термами в приближении связи Рассела — Саундерса) [c.231]

Это допущение Хюккеля наименее обосновано, так как здесь не учитывается энергия межэлектронного отталкивания атомных остовов, в поле которых движется каждый электрон. Однако для нейтральной молекулы с неполярными связями и это допущение Хюккеля удовлетворяет опыту. Как будет видно далее, [c.214]

Общая закономерность, наблюдаемая во втором периоде периодической системы, заключается в том, что каждый новый электрон в атоме следующего элемента удерживается более прочно из-за увеличивающегося заряда ядра. Поскольку остальные 25- и 2р-электроны находятся приблизительно на таком же расстоянии от ядра, как и добавляемый электрон, он практически не экранируется ими от последовательно возрастающего положительного заряда ядра. Этот возрастающий заряд оказывает на появляющийся в атоме фтора, Р, пятый 2р-электрон больщее влияние, чем увеличивщееся межэлектронное отталкивание. Поэтому пятый р-электрон в атоме Р удерживается очень прочно и первая энергия ионизации снова возрастает. Наиболее устойчивая конфигурация образуется при появлении щестого 2р-электрона, завершающего оболочку с п = 2, в атоме благородного газа неона, Ые [c.395]

Оператор Гамильтона молекулы с N ядрами и п электронами содержит члены кинетической энергии электронов, потенциальной энергии притяжения электронов к ядрам, а также члены, обусловливающие межэлектронное отталкивание. Кроме того, добавляется член электростатического отталкивания ядер и их кинетической энергии [c.86]

Полную энергию молекулы можно в хорошем приближении представить как сумму энергий МО, заполненных электронами, т, е. без учета межэлектронных отталкиваний (ср. гл. 4). [c.159]

Если энергия межэлектронного отталкивания оказывается больше энергии расщеЖёния, то пять -орбиталей последовательно за-полняются С11а ала Т10 одному, а Затём "по второму электрону. Это случай с л а б о г о Т[Ъ л я. Т сЖ же энергия расщепления А превышает энергию межэлектронного отталкивания, то сначала полностью заполняются орбитали с меньшей энергией, а затем орбитали с большей энергией. Это случай сильного поля. [c.507]

Обычно, когда проводигся исследование ионов переходных металлов, мы имеем дело не с индивидуальными ионами, а ионами, входящими в состав комплексов. Для определения влияния лигандов, входящих в комплексы ионов переходных металлов, на энергии -орбиталей пользуются двумя приближениями кристаллического поля. Электроны иона металла в комплексе отталкиваются друг от друга, отталкиваются они и от электронной плотности основания Льюиса (лиганда). Если отталкивание между электронами металла и электронной плотностью лигандов мало по сравнению с межэлектронным отталкиванием, применяют так называемое приближение слабого поля. Если лиганды — сильные основания Льюиса, отталкивание между электронами металла и электронами лигандов превыщает по величине межэлектронное отталкивание, в этом случае используется приближение сильного поля. [c.71]

Рассмотрим заполнение t g и орбиталей несколькими -электронами в октаэдрическом поле. При конфигурациях , (Р и электроны располагаются на одной, двух и трех -орбиталях в соответствии с правилом Гунда (рис. 56). При конфигурации четвертый электрон может занять свободную орбиталь, для чего нужна энергия 10 либо одну из 2я-орбиталей, уже занятую одним электроном. Для этого нужна энергия на преодоление межэлектронного отталкивания Еотт на орбитали при спаривании. Если поле сильное (10 0 > 60 , ), произойдет спаривание электронов на 2й- 0рбитали, если слабое (100 < 0. . ), электрон займет е -орбиталь (рис. 56). Как видно, силь- [c.123]

Такая МО, энергия которой ниже энергии исходной АО, как нам уже известно, называется связывающей МО. В общем случае онгГобозначается как Связывающие МО обеспечивают такое распределение электронной плотности в молекуле, что энергия притяжения ядер к ней и понижение кинетической энергии электронов по абсолютной величине превышают энергию межъядерного и межэлектронного отталкивания в молекуле. Вид связывающих МО таков, что они как бы охватывают взаимодействующие атомы (см. ниже схемы взаимодействия орбиталей разного типа). [c.110]

Когда выражают энергию электрона с помощью 5-, р-, Л- и /-состояний, в действительности принимают во внимание только два из четырех квантовых чисел, необходимых для полного оппсанпя энергии электрона в атоме. Вообще такая конфигурация будет сильно вырожденной, поскольку ие учитывается межэлектронное отталкивание и спин-орбитальное взаимодействие. Хотя эти силы могут быть относительно малы, они тем не менее способствуют снятию сильного вырождения, которое может быть у данной электронной конфигурации, включающей в себя электроны, расположенные вне заполненного электронного слоя. Чтобы узнать, как эти дополнительные взаимодействия снимают вырождение у электронной конфигурации, полезно рассмотреть два крайних случая связь Рассел — Саундерса или 5-связь, с одной стороны, и //-связь — с другой. [c.179]

Это положение получило название теоремы Купменса. Потенциал ионизации равен р 13ности энергий молекулы и молекулярного иона. В последнем, однако, энергии электронных орбиталей несколько отличаются от энергии в молекуле, так как с отрывом одного электрона изменяется межэлектронное отталкивание. Если бы при ионизации энергии оставшихся в молекуле электронов не изменялись ( замороженные орбитали ), теорема Купменса выполнялась бы точно, [c.88]

Рассмотрим заполнение и е -орбиталей несколькими /-электронами в октаэдрическом поле. При конфигурациях / / и сР электроны располагаются на одной, двух и трех -орбиталях в соответствии с правилом Гунда (рис. 104). При конфигурации /" перед четвертым электроном есть две возможности либо занять любую из -орбиталей, уже заполненную одним электроном, либо подняться на свободную б- -орбиталь. В первом случае потребуется энергия на преодоление от-тал1 ивания между электронами на одной -орбитали, во втором — для подъема на более высокук> -орбиталь (10 I),). Ответ определяется однозначно. Если энергия межэлектронного отталкивания меньше чем 101), ( сильное поле ), произойдет спаривание на /2 -орбитали, если больше ( слабое поле ), электрон займет одну из -орбиталей. Рис. 104 дает представление о заполнении (2д- и -уровней для /" конфигураций в сильном И слабом полях. Для оболочек d% / и d °, так же как и d , [c.241]

Как объяснить, почему система с одинарными связями в случае углерода более предпочтительна, чем система с кратными связями Причиной, несомненно, являются очень высокая абсолютная и относительная прочности одинарных связей углерод—углерод (например, по сравнению с азотом). Так, в углеводороде СНз—СНз энергия связи С—С составляет 83,1 ккал/моль, тогда как в аналогичном соединении азота ЫНг—МНг энергия связи N—N характеризуется величиной только 38,4 ккал/моль [1]. Как известно, первая связь С—С в углеводородах, например, существенно более прочна, чем вторая (в системе с С = С) и третья связь (в системе с С = С). Очевидно, что для углерода вариант с образованием одинарных связей оптимален благодаря возможности высокосимметричного расположения в пространстве четырех двухэлектронных тетраэдрических ковалентных связей (алмаз), обеспечивающих минимальное межэлектронное отталкивание. В случае азота — соседа углерода по периодической системе, имеющего один дополнительный электрон, такое выгодное распределение электронных пар в пространстве невозможно у атома азота появляется неподеленная электронная пара, не эквивалентная двухэлектронной паре одинарной связи N—N. Поэтому алмазоподобная структура для азота не реализуется вместо четырех одинарных связей элемент—элемент (в алмазе) азот способен образовать только три связи N—N. и они не могут быть направлены в пространстве строго гетраэдрически, как в алмазе, из-за отталкивания неподеленной электронной пары у атома азота. [c.248]

Для того чтобы расположить определенные термы по энергии, следует провести корреляцию с соответствующими термами в приближении А5-СВЯЗИ, для которых справедливы правила Хунда (подобных правил для 77-схемы не существует). Корреляцию необходимо проводить по квантовому числу У, которое является хорошим квантовым числом д.пя Ь5-и п-схсм. Ранее были определены возможные термы и их последовательность для конфигурации в приближении 5-связи. На рис. 3.9 приведена корреляционная диаграмма, связывающая термы, определенные по разным схемам взаимодействия. При движении слева направо возрастает отношение энергии спин-орбитального взаимодействия к энергии межэлектронного отталкивания. [c.87]

Наряду с высокоспиновым комплексообразованием возможно и низкоспиновое, которое становится возможным, если энергия расщепления -термов А превышает энергию межэлектронного отталкивания. В этом случае, т. е. в сильном поле лигандов, заполнение -орбиталей иона-комплексообразователя электронами будет проходить в следующем порядке (октаэдрическое поле лигандов) [c.278]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология