Кулоновское рассеяние

Электроны рассеиваются на неоднородностях электрического потенциала, создаваемого в атоме концентрированным точечным зарядом ядра Z и распределением электронной плотности р (г). Формулу углового распределения электронов, рассеянных атомом, можно получить из формулы Резерфорда кулоновского рассеяния заряженных частиц [4], имеющей вид [c.78]

Нейтроны, не имеющие электрического заряда, в отличие от электронов не испытывают кулоновского рассеяния. Тепловой нейтрон, сталкиваясь с ядром, взаимодействует с нуклонами, находящимися па поверхности ядра, и рассеивается ими. Поперечное сечение этого потенциального рассеяния описывается форму.пой сечения рассеяния жестких сфер [c.79]

При этом фаза парциального кулоновского рассеяния определяется равенством [c.530]

Применим полученный результат к случаю кулоновского рассеяния (например, рассеяние а-частицы на а-частице). Учитывая явный вид амплитуды кулоновского рассеяния (111,10), находим [c.532]

В качестве примера рассмотрим траектории Редже для частицы, движущейся в кулоновском поле V г) =—Хе /г. Как было показано в 111, фаза бг( ) кулоновского рассеяния определяется формулой (111,21), следовательно, матрица рассеяния выражается формулой [c.596]

Повреждения тяжелыми заряженными частицами. Основным процессом взаимодействия заряженных частиц с ядрами является кулоновское рассеяние. Поскольку известна аналитическая зависимость сечения кулоновского взаимодействия от энергии и заряда частицы, то можно оценить сечение образования смещений в решетке, а следовательно, и общее число смещений. В кремнии, например, полное число дефектов, создаваемых протоном с энергией 10 МэВ, пропорционально его энергии и приближенно равно 2 10 пар. Естественно, что эти дефекты располагаются вдоль трека протона. Аналогично можно численно оценить число дефектов, созданных а-частицей. [c.90]

В анализе перспективности D Li топлива невозможно полностью учесть все перечисленные выше особенности. Однако упрощённая модель, включающая все реакции первого поколения и часть вторичных процессов, была реализована [31, 32] и позволила сделать некоторые выводы о роли Li в плазме, состоящей из изотопов водорода. В [31] исследована кинетика 13 ядерных процессов D + D, D + Li, D + T, D + Не, D + Ве и D + Li в условиях магнитного удержания плазмы. При этом механизм саморазогревания описывался в рамках ES процесса, т. е. повышение температуры плазмы происходило за счёт упругого кулоновского рассеяния быстрых частиц на ионах топлива. [c.241]

Задача 4.7. Каково значение Gl для кулоновского рассеяния [c.191]

Поучительно показать, что для случая кулоновского рассеяния это выражение для (А /АО сводится к (4.231). Для таких Столкновений [c.249]

Ядерные частицы, согласно Резерфорду, многократно отражаются от подложки, на которой находится радиоактивное вещество, и благодаря этому измеряемая скорость счета увеличивается в /д раз. Величина поправки на обратное рассеяние /д растет с увеличением толщины подложки и достигает в конце концов значения насыщения / при толщине подложки, равной половине длины пробега (Р/2) Р-частиц в этом веществе. Практическй максимальная величина обратного рассеяния достигается уже при толщине й = 0,2/ . Поправка на обратное рассеяние /н увеличивается с толщиной подложки й (мг/см ) тем быстрее, чем меньше энергия Р-частиц и выше порядковый номер элемента, от которого происходит отражение (подобно зависимости кулоновского рассеяния от энергии и порядкового номера). [c.69]

Рассмотрим несколько подробнее коэффициент диффузии для каналированных частиц. Коэффициент / хаос, соответствующий многократному кулоновскому рассеянию ультрарелятивистских электронов (позитронов) в аморфной среде, хорошо известен и равен 1/4 среднеквадратичного угла многократного рассеяния частиц в [c.219]

Сечение кулоновского рассеяния при столкновении частиц А+ и В" [c.69]

Модель, основанная на классическом кулоновском рассеянии, может быть также применена к расчетам сечений возбуждения разрешенных уровней молекул. В этом случае для расчета сечения возбуждения уровня с пороговой энергией 4 при интегрировании (1.30) устанавливаются пределы от 4 до (У + I, где + 1 — порог возбуждения ближайшего более высокого уровня. [c.14]

Для легких элементов в (1) надо подставить дифференциальное эффективное сечение кулоновского рассеяния с учетом экра нирования [c.215]

Подставляя (2), (3) и (4) в общую формулу (I), получим формулу для многократного кулоновского рассеяния в легких элементах [c.216]

Функция распределения для кратного кулоновского рассеяния может быть изучена и экспериментально при помощи прос гой оптической модели [c.219]

Для подтверждения высказанного предположения проведена серия первопринципных расчетов нитридов А1, Оа, содержащих примесные комплексы ОаК (2Ве, 2Mg + О), (2Ве, 2Mg + 81), (2Ве, 2Mg + Н), (2С + О), АШ (2С + О), где примеси располагались в соседних узлах решетки матрихц [80—84]. Например, в системе GaN Mg изолированный дефект (М ) генерирует набор локализованных состояний с энергией активации -0,2 эВ. Дополнительное введение химически активных донорных центров (О, Н) приводит к возникновению новых межатомных взаимодействий (в комплексах [2Mg(0, Н)]) и понижению энергии акцепторных примесных состояний по схеме рис. 2.13. Кроме того, указанные взаимодействия в значительной мере редуцируют энергию кулоновского отталкивания одноименно заряженных примесных ионов, увеличивая тем самым растворимость дефекта в матрице, что позволяет регулировать число носителей, а замена дальнодействующего кулоновского рассеяния на короткодействующее рассеяние на комплексах повышает их подвижность. [c.55]

С помощью рассеяния высокоэнергетичных пионов на электронах водородной мишени можно прямо измерить сечение процесса + е - гг + е, основным механизмом которого является обмен фотоном с энергией со и импульсом q между электроном и пионом, как это показано на рис. 1.2. Экспериментальные данные показывают характерное отклонение от моттовского сечения, которое описывает кулоновское рассеяние электрона на точечном заряде. Это отклонение выражается через формфактор пиона Р д ) [c.12]

Это хорошо известное сечение Резерфорда для кулоновского рассеяния. Расходимость при 0 = 0 обусловлена далънодействующей природой кулоновской силы. [c.187]

Вследствие многократного кулоновского рассеяния некоторые а-частицы, испускаемые осевшими на электродах дочерними продукталш и вначале двигавшиеся в направлении металла, попадут в измерительный объем и освободят энергию, достаточную для возникновения импульсов, которые и будут зарегистрированы. [c.169]

Средний радиус взаимодействия между частицами Л, определяемый из условия ср К) = ти 12, где — потенциал взаимодействия меноду частицами, а ти 12 — средняя кинетическая энергия частиц. Средний радрхус взаимодействия Я приближенно можно считать пропорциональным радиусу полного эффективного сечения упругого рассеяния Qf . Для куло-новских взаимодействий Н, иногда называемый амплитудой кулоновского рассеяния, равен К е 1кТ в статистике Больцмана и В—е в статистике Ферми—Дирака (— энергия Ферми вырожденного электронного газа). [c.7]

Интересно отметить, что связь между сечением фотопроцесса и сечением передачи импульса позволяет получить определенное соотношение между интенсивностью тормозного излучения и электропроводностью. Так как аналогичная взаимосвязь имеет место и для ионов (кулоновское рассеяние и тормозное излучение на ионах), то можно сопоставить температурный ход электропроводности и полного тормозного континуума. Очевидно, что соответствующие измерения нуншо проводить в инфракрасной области, где мал вклад рекомбинационного континуума и континуума фотозахвата. [c.178]

Однако логарифмический характер расходимости позволяет тем не менее утверждать, что роль малых расстояний в интеграле (II. 1. 48) все-таки невелика и если обрезать этот интеграл на нижнем пределе, то при разумном выборе величины параметра обрезания формулой (II. 1. 48) можно пользоваться. Для определения параметра обрезания а следует рассматривать две области температур. Если температура плазмы так велика, что частицы сближаются на расстояния, меньшие электронной дебройлевской длины волны, то а Х . Если же температура невелика и кулоновское рассеяние частиц происходит на расстояниях, гораздо [c.251]

Для кулоновского рассеяния последнее утверждение остается верным и при выходе за рамки чисто классического описания движения частицы в электрическом поле, которое использовалось до сих пор. В этом случае основной вклад в амплитуду рассеяния на углы 0о<1 вносит область больших прицельных параметров р>й/р, в которой потенциальная энергия частицы гораздо меньше ее кинетической энергии. Поэтому применим эйкональ-ный подход, и амплитуда рассеяния на малые углы может быть представлена в виде [16 [c.189]

Если т= 1 или 3, то формула (7), конечно, совершенно неприменима. Чтобы найти функцию распределения в этом случае, необходимо численно интегрировать выражение (5). Как уже говорилось, расчет [(0) при малых т производил Биберман, Он заменил элементарный закон рассеяния суммой гауссовых функций. Такая сумма может дать хорошее приближение для /(0) при самых малых >тлах отклонения (0 2г), но заведомо неприменима в области потому что средний квадрат угла отклонения, вычисленный по формуле (2), логарифмически расходится, а если пользоваться гауссовыми функциями вместо формулы (2),— сходится. Но поскольку характерная особенность кулоновского рассеяния как раз и состоит в том, что средний квадрат угла отклонения расходится со стороны больших углов, то, чтобы проследить ДО) до возможно больших 0, не следует пользоваться гауссовым приближением. [c.216]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология