Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Энергия кристаллографическая магнитна

    Феррит, помещенный в постоянное магнитное поле Нд и перпендикулярное к нему переменное СВЧ-маг-нитное поле, поглощает СВЧ-энергию. Это поглощение носит резонансный характер (ферромагнитный резонанс) и максимально на частоте со о, определенным образом связанной с полем Но- Зависимость резонансной частоты О) о от Я о имеет сложный характер и определяется магнитной кристаллографической анизотропией, анизотропией формы, упруго напряженным состоянием образца и т. п. [3]. В наиболее простом случае изотропной сферы [c.563]


    Энергия кристаллографической магнитной анизотропии гексагональных кристаллов описывается формулой [c.586]

    При конструировании установок использованы высокоэнергетические магниты из сплава неодим-железо-бор (Кс1-Ге-В). Эти магниты обладают уникальными свойствами, они имеют относительную магнитную проницаемость, равную единице не только в первом и во втором, но и частично в третьем квадрантах петли магнитного гистерезиса. Гистерезисные свойства, выгодно отличающие высокоэнергетические магниты, являются следствием основных физических характеристик — высокого магнитного момента атомов в кристаллической решетке и чрезвычайно больших значений энергии константы кристаллографической анизотропии. Последнее свойство определяет повышенную устойчивость высокоэнергетических магнитов к размагничивающему воздействию внешних магнитных полей. В магнитном гистерезисе высокоэнергетических магнитов наблюдается практически полное совпадение линий возврата на характеристике В (Н) с предельной кривой размагничивания в полях, даже превышающих значение коэрцитивной силы по индукции. Основные характеристики редкоземельных магнитов типа М(12ре14В следующие-. [c.102]

    Наличие текстуры позволяет объяснить характер доменной структуры, наблюдающейся в наноструктурном Со. Полосчатая доменная структура в этом состоянии отличается от упомянутой доменной структуры в крупнокристаллическом состоянии в основном тем, что стенки доменов не образуют строго прямых линий. Средняя щирина доменов практически одинакова в обоих случаях. Существование преимущественных ориентировок (кристаллографической текстуры) и высокий уровень обменной энергии приводят к тому, что магнитные моменты соседних микрокристаллитов благодаря не столь высокой разориентации их осей легкого намагничивания располагаются параллельно под влиянием сил обменного взаимодействия. В то же время местные отклонения осей легкого намагничивания от направления усредненного магнитного момента приводят к локальным изменениям в ширине доменов и направлении стенок доменов. Следует отметить, что разориентации микрокристаллитов в плоскости, перпендикулярной преимущественному направлению осей легкого намагничивания (т. е. в плоскости образца), не играют существенной роли в формировании доменной структуры. В этой связи в целом характер доменной структуры наноструктурного образца близок к тому, что наблюдался в случае крупнокристаллического образца. Это, с другой стороны, позволяет предполагать, что механизм формирования доменной структуры одинаков в обоих случаях и определяется фундаментальными магнитными законами (постоянными). [c.228]


    При количественном рассмотрении магнитной анизотропии кристаллов удобно пользоваться константами магнитной анизотропии К, /С2,. .. Они определяются с помощью формул, описывающих зависимость свободной энергии магнитной анизотропии от направления вектора намагниченности по отношению к кристаллографическим осям. Общие выражения для в наиболее важных кристаллических системах имеют вид  [c.531]

    Энергию магнитного взаимодействия, зависящую от ориентации намагниченности относительно кристаллографических осей, называют энергией магнитной кристаллографической анизотропии. Для кубического кристалла эту энергию Еа обычно записывают в виде [2] [c.563]

    Так как каждый катион, находящийся в октаэдрической позиции ферритов-шпинелей, окружен шестью ближайшими соседями с тригональной осью симметрии (в случае, если ион кобальта занимает центральное положение), то при наличии энергии сиин-решеточного взаимодействия, т. е. связи между спином иона Со + с соответствующей осью симметрии кристаллографического поля, в процессе ТМО будет происходить миграция Со + к тем из соседних катионных позиций, которые отвечают минимуму энергии спин-решеточного взаимодействия. Наведенная таким образом магнитная анизотропия и будет обусловливаться направленным упорядочением отдельных ионов o +. [c.101]

    Однако в нетекстурованных поликристаллических ферритах границы зерен разделяют кристаллиты с различной кристаллографической ориентацией, и поэтому на границах зерен существуют магнитные полюса [3]. Появление же следов выделений а-РегОз по границам зерен не должно существенно изменять характер магнитной энергии, связанной с существованием магнитных полюсов на этих границах. В данном [c.128]

    Путем магнитных измерений удалось установить, что сразу же после закалки в сплавах имеются сегрегации. К сожалению, этот результат невозможно проверить рентгенографическим методом. Функции рассеяния различных атомов очень близки, поэтому почти во всех сплавах этого типа интенсивность рассеяния под малыми углами недостаточна. Можно предполагать, что нарушение правильности структуры внутри сегрегации будет приводить к заметному рассеянию. Однако в действительности этого не наблюдается. По-видимому, смещения атомов в исходных сегрегациях слишком нерегулярны. Вследствие этого области рассеяния очень протяженны и дают слишком слабую интенсивность. Поэтому рентгенограммы не обнаруживают никаких изменений в сплаве, пока в нем не образуются регулярно расположенные пластинки, параллельные кристаллографическим плоскостям 100 и обладающие попеременно то увеличенными, то уменьшенными межплоскостными расстояниями. При таком правильном чередовании энергия напряжений в решетке уменьшается, чем, возможно, и объясняется образование подобных структур. [c.146]

    Эффективность снижения магнитной проницаемости зависит от ионного радиуса и валентности катиона, внедряющегося в решетку шпинели (рис. III.29, б). Авторы проводили исследования на образцах с постоянными значениями энергии кристаллографической магнитной анизотропии и магннтострикции. Следовательно, [c.111]

    ВЛИЯНИЯ на АКТИВНОСТЬ катализатора различных воздействий нетепловой природы, а именно магнитного и электрического полей,, радиацин и ультразвуковых колебаний, приведены в виде графиков на рис, 8—12, Как видно из приведенных данных, указанные формы энергии оказывают большое влияние на каталитическую активность. Во всех описанных случаях были подобраны такие системы, которые исключали возможность изменения кристаллографической структуры твердого тела, и поэтому наложение эффектов в этих опытах не могло иметь места [16]. Изучение зависимости активности катализатора от его магнитного состояния проводились на материалах с ферромагнитными свойствами, поскольку при этом переход через точку Кюри не сопровождается изменением типа решетки. [c.12]

    Направление самопроизвольного намагничивания вещества более или менее жестко связано с кристаллографическими осями его кристаллической решетки. Жесткость этой связи характеризуется константой магнитной анизотропии вещества К. Она численно равна удельной (на единицу объема) энергии, необходимой для изменения направления намагниченности на противоположное (при наличии одной оси самопроизвольного намагничивания) при действии поля, направленного противоположно намагниченности вещества. Напряженность поля, способного изменить намагниченность на обратную, называется коэрхщтивной силой вещества Не. По порядку величины К = М Н . [c.657]

    Для ферритов в соответствии с теорией Танигучи [И] основным источником магнитной кристаллографической анизотропии является анизотропное обменное взаимодействие. Используя теорию кристаллического поля Ван-Флека [12], Танигучи рассчитал энергию магнитной кристаллографической анизотропии ферритов, обусловленную диполь-дипольным взаимодействием катионов, и показал, что эта энергия зависит от величины угла, образованного направлением оси магнитовзаимодействующих атомов и локальной намагниченностью. У материалов с малой величиной этого угла должно происходить направленное упорядочение ионных пар (в кобальтсодержащих ферритах такие пары, по-видимому, Со +—Со +), что и обусловливает возникновение наведенной магнитной анизотропии. [c.176]

    Многочисленные исследования [290, 308—310] магнитного резонанса и спектров поглощения катионов лантаиидов показывают, что свойства ионов этих металлов напоминают свойства Са(И) в биологических системах сходством ионных радиусов, слабой энергией стабилизации полем лигандов и высокой электроположительностью. В связи с этим следует ожидать, что, как и в случае Са(П), лантаниды должны иметь тенденцию к образованию преимущественно кислородсодержащих комплексов. Этот вывод подтверждается многочисленными кристаллографическими исследованиями 126, 311 313], в которых ионы лантанидов, использованные для образования изоморфных производных тяжелых металлов, связаны карбоксильными группами. [c.121]


    Для спина / = 1 при т] = О действие магнитного поля приводит к снятию вырождения и появлению двух линий с расщеплением Аг = уЯцСозЭ. При Т1 =5 = О уровни энергии смещаются в разных направлениях. Этим часто пользуются для отождествления различных случаев появления двух линий в спектре для / = 1, поскольку две линии в этом случае могут появляться как из-за т] О, так и при т] = О, если имеются два кристаллографически неэквивалентных положения соответствующих атомов. [c.18]

    Описанная нами в 7 структура электронного энергетического спектра в магнитном поле существенно связана с характером классических траекторий электронов. В квазиклассическом приближении замкнутые траектории приводят к дискретным бесконечнократно вырожденным уровням энергии, а открытые траектории не квантуются. Полностью задача об энергетическом спектре электронов с учетом магнитного пробоя не решена. Трудность полного решения связана с тем, что при произвольном направлении магнитного поля даже при вероятности пробоя, близкой к единице, возникают апериодичные траектории (последнее замечание относится к тому случаю, когда в результате пробоя замкнутые траектории превращаются в открытые см., например, рис. 32). Однако при определенных направлениях магнитного поля задачу решить удается. Будем считать, что магнитное поле параллельно одному из простых кристаллографических направлений, причем в первой зоне траектории открыты, а во второй замкнуты (см. рис. 32). Направление открытости (ось Ру) параллельно одному из векторов обратной решетки, Период вдоль этого направления равен 2лЬЬ, траектории симметричны относительно оси Ру. Уровни энергии в этом случае (случай I по принятой классификации) могут быть получены из условия периодичности волновой функции вдоль оси Ру.  [c.106]


Смотреть страницы где упоминается термин Энергия кристаллографическая магнитна: [c.171]    [c.110]    [c.165]    [c.657]    [c.179]    [c.61]    [c.315]    [c.6]    [c.160]    [c.509]    [c.776]    [c.73]    [c.12]    [c.14]   
Физика и химия твердого состояния (1978) -- [ c.315 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте