Кристаллографическая ось

Если конкретная кристаллографическая ось, например ось с, перпендикулярна z, то = —0,5 если она параллельна, то / = 1 наконец, если она ориентирована хаотически по отношению к z, то = 0. В выражениях (3.9-3) и (3.9-4) для одноосного растяжения /цр == /S т. е. /,,р равна степени ориентации главной полимерной цепи. [c.73]

При рассмотрении радиальных сферолитов в поляризованном свете под микроскопом обнаруживаются темные, так называемые мальтийские кресты. Центр креста совпадает с центром сферолита. Появление мальтийского креста объясняется тем, что каждый из расходящихся из одной точки многочисленных кристаллитов имеет кристаллографическую ось, совпадающую с радиусом сферолита. Плечи мальтийского креста параллельны направлениям поляризации и создаются кристаллитами в положении гашения. Кристаллиты, расположенные не в направлении плоскостей поляризации света, кажутся при этом освещенными. Кольцевые сферолиты на фоне темного креста дают еще систему концентрических колец, расположенных на расстояниях, соответствующих половине шага спиралей, образованных согласованным закручиванием кристаллитов в радиальном направлении. [c.176]

Значения нормальных скоростей роста, замеренные непосредственно по толщине наросшего слоя, использовались для построения сечений полярной диаграммы. Поскольку кварц лишен центра инверсии, а кристаллографическая ось у не является осью симметрии, противолежащие плоскости каждой затравочной пластины из /-веера физически различны. Следовательно, они должны нарастать с разными скоростями. Аналогичное замечание относится и к пластинам 2-веера, поскольку ось г ( з) не является осью симметрии четного порядка. [c.153]

У ромбических кристаллов, как и вообще у всех двуосных кристаллов, в отличие от одноосных, одновременно в одном препарате данного вещества могут наблюдаться кристаллы как с положительным, так и с отрицательным удлинением. Это бывает тогда, когда ось Ыт кристалла параллельна удлинению, с- которым чаще всего совпадает кристаллографическая ось с если этот кристалл расположен так, что через него-проходит свет с колебаниями по осям Ыт и Ыр, то удлинение его положительное, если же расположение кристалла таково, что свет проходит через него с колебаниями по Ыт и Ыg, тогда его удлинений отрицательное. [c.30]

Рис. 5. Спектральная чувствительность фотоэмиссии и спектры поглощения кристаллов антрацена и нафтацена. Кристаллографическая ось обозначена буквой Ь кривые, обозначенные 1 оси Ь , были получены при использовании света, плоскость поляризации которого совпадает с плоскостью (001).

Кристаллографическая ось Ь направлена вдоль оси цепи. [c.65]

В синдиотактическом полипропилене образуется форма I орторомбической кристаллической структуры, а кристаллографическая ось а стремится занять положение, перпендикулярное поверхности раздутой пленки. При увеличении коэффициента раздува развивается высокая ориентация молекулярных цепей в поперечном нанравлении. [c.211]

Три направления ребер основания гексагональной или тригональной призмы (основа — равносторонний треугольник) выбираем как направления кристаллографических осей и обозначаем соответственно через Хи Хг, Хз (см. рис. 2.4, ж и 2.6). Положительные концы этих осей образуют между собой углы 120° (у = 120°). Направление, перпендикулярное к плоскости осей Хи Хг, Хз, совпадающее с направлением перпендикулярного ребра гексагональной призмы, выбираем за кристаллографическую ось 2 (а = р==90°). Единичная грань в этих кр сталлах отсекает одинаковые отрезки на осях Х, и Хг и отличный от них отрезок на оси [c.37]

TOB. Таким повторяющимся структурным элементом кристалла является элементарная ячейка, тип и параметры которой можно рассчитать при анализе рентгенограмм - На рис. 3 в качестве примера приведена структура элементарной ячейки натурального каучука, полученная Банном . Значения параметров элементарных ячеек, т. е. размеров ее вдоль осей а, 6 и с и углов между осями (а, , у), практически для всех закристаллизованных полимеров приведены в таблицах Миллера и Нильсена . Элементарные ячейки всех без исключения закристаллизованных полимеров относятся к известным кристаллографическим типам. Элементарная ячейка, по-видимому, не изменяется при переходе от низкомолекулярных соединений к полимерам в одном гомологическом ряду. Так, элементарная ячейка полиэтилена такая же, как у кристаллических н-парафинов. Кристаллографическая ось с в элементарной ячейке полимера всегда совпадает с направлением вдоль молекулярной цепи. [c.14]

Таким образом, наиболее общие закономерности кристаллизации низкомолекулярных веществ справедливы и для полимеров. Однако особенности строения полимерных молекул, их ярко выраженная анизотропия, неравноправность направлений в кристалле, где вдоль оси молекулы (кристаллографическая ось с) атомы связаны [c.33]

Простейшая схема прибора для получения рентгенограмм ио методу вращения (камера вращения) показана на рис. 26, а. Первичный пучок, вырезанный коллиматором, падает на кристалл перпендикулярно оси его spauie-ния. Будем считать, что с осью вращения совмещена кристаллографическая ось X кристалла. Угол xi в первом условии Лауэ остается неизменным при вращении он равен 90°. Поэтому и углы ф1(р), отвечающие разным р— 1, 2, 3,. .., также сохраняют фиксированные значения, что определяет систему конусов, соосных с направлением оси X. Дифракционные лучи, возникающие в процессе изменения углов Хг и хз и соответственно углов ф2(( ) и Фз(/"), в двух других условиях Лауэ должны идти ио образующим этой системы конусов. [c.56]

Фотографическая аппаратура. Простейшая схема прибора для получения рентгенограмм по методу вращения (камера вращения) показана на рис. 33, а. Первичный пучок, вырезанный коллиматором, падает на кристалл перпендикулярно оси его вращения. Будем считать, что с осью вращения совмещена кристаллографическая ось X кристалла. Угол в первом условии Лауэ остается при вращении неизменным и равен 90°. Поэтому и углы Ф1(р), отвечающие разным р=1, 2, 3,..., также сохраняют фиксированные значения, что определяет систему конусов, соосных с направлением оси X. Дифракцион- [c.70]

Для исследования монокристаллов, а также ориентированных волокон и пленок используют метод вращения кристалла или тек-стуррентгенограммы (рис. 28,11). Образец устанавливают таким образом, что его главная кристаллографическая ось направлена [c.122]

Распо 10жение макромолекул в кристаллических области. всегда строго определенно оси макромолекул параллельны друг другу, концы их находятся на поверхности кристаллического образования. Кристаллографическая ось с совпадает с оськ макромолекулы По форме кристаллографические ячейки делят на несколько типов кубическая, орторомбическая, гексагональная и др. В ячейку входит, как правило, не вся молекула, а только се небольшая часть (несколько повторяющи.хся звеньев), пс-это.му элементарная ячейка полимера часто аналогична ячейке [c.54]

Таким образом, упорядоченный блок структуры имеет в центре кристаллографическую ось 63 и представляет собой тригональную призму с (№, М )-0-октаэдрами в вершинах. Из вышесказанного следует, что существует очень сильное связывание внутри призм в 2-направлении (N1, Mg)-0-oктaэдpы связаны друг с другом через общие ребра карбонатная СОз-группа связывает два октаэдра вдоль 2 два тетраэдрически координированных атома ртути связывают соседние (вдоль оси г) карбонатные группы наконец, тригональ-но-призматические блоки связаны через общие ребра (колонки из октаэдров) вдоль 2. В результате образуется очень жесткий трубчатый каркас с крупными гексагональными туннелями (с1 = 13,6А) (рис.7). На основании этого минерал шиманскиит можно считать несиликатным цеолитом. [c.24]

Рентгенографическая съемка образцов проводилась на дифрактометре ДРОН-1 в отфильтрованном медном излучении со скоростью 2,0—0,5 К/мин. Для определения плоскости роста монокристаллов ИАГ вырезалась пластинка из наиболее совершенной части кристалла, перпендикулярная к оси роста. С этой пластинки была получена эпиграмма методом обратной съемки в камере РКВ-86 в медном неотфильтрованном излучении. Установлено, что с направлением оси роста кристалла совпадает кристаллографическая ось второго порядка, т. е. монокристалл растет перпендикулярно к плоскости (ПО), что соответствует данным Л. М. Беляева и других исследователей о наибольшем развитии в гранатах грани 110 . Плотность гранатов измерялась методом гидростатического взвешивания с точностью 1-10 г/см . Полученные результаты корректировались по данным расчета рентгеновской плотности (рис. 67). Определение показателей преломле-Таблица 53 [c.190]

В отечественной литературе часто встречается термин лента . Под лентой обычно понимают протяженные агрегаты, состоящие из ламелей. Таким образом, ламели являются независимыми структурными элементами, из которых могут быть построены более сложные надмолекулярные образования, в том числе и сферолиты. Радиальная структура сферолитов хорошо выявляется методами оптической и электронной микроскопии. При рассмотрении тонких срезов или пленок полимеров, содержащих сферолиты, в оптическом микроскопе в поляризованном свете на фоне общего свечения видны темные кресты. Такая картина наблюдается при исследовании неорганических и низкомолекулярных соединений. Появление темных крестов объясняется наличием многочисленных кристаллов, радиально исходящих из одной точки и имеющих кристаллографическую ось, направленную по радиусу из центра. Плечи темного креста параллельны направлению поляризации и создаются кристаллами в положении гашения. Кристаллы, имеющие другую ориентацию, кажутся при этом освещенными. Длительное время существовало мнение, что механические свойства полимеров в значительной степени зависят от размеров сферолитов. Действительно, на некоторые из параметров, характеризующих механические свойства полимеров (например, прочность), иногда существенно влияет величина сферолитов. Однако очень трудно доказать экспериментально, что между размерами сферолитов и механическими свойствами полимеров существует однозначное соответствие, так как при изменении размеров сферолитов обычно изменяются степень кристалличности, размеры и дефектность кристаллитов, [c.57]

Растяжение четырехдоменных 110 монокристаллов ПЭ вдоль короткой диагонали (кристаллографическая ось Ь) вызывает фазовый переход из орторомбической в моноклинную решетку (Geil, см. 12]). Практически равные объемы орторомбической и моноклинной элементарных ячеек ПЭ позволили предположить, что наблюдаемый фазовый переход обусловлен простым сдвигом орторомбической решетки (Kiho, см. [17]). На основании того же предположения позднее [17, 18] были предсказаны ориентационные соотношения между двумя ячейками ПЭ и возможные моды переходов. На рис. П1.2 показаны шесть возможных мод перехода из орторомбической формы ПЭ в моноклинную или двойниковую за счет очень незначительной сдвиговой деформации исходной решетки. Найдено, что ориентационные соотношения между элементарными ячейками исходных и деформированных монокристаллов ПЭ соответствуют li и 2] модам [19]. Значения сдвиговой деформации, связанные со всеми действующими модами сдвига, малы, а негомогенные переносы молекулярных цепей, необходимые для законченного двойникования или мартенситного перехода, всегда очень просты [19]. [c.167]

Ориентация кристаллических областей в раздутых трубчатых пленках из изотактического полипропилена измерялась Симомурой с соавторами [71] и Чоем и Уайтом [72]. Было показано, что кристаллографическая ось Ъ стремится расположиться перпендикулярно к поверхности пленки. Типичные примеры полюсных фи1ур и факторов двухосной ориентации приведены на рис. 9.16 и 9.17 соответственно. [c.206]

Имеется очень много работ по полиэтиленовым пленкам, полученным раздувом рукава. В этих пленках формируется а-орторомбическая структура Бунна. Двулучепреломление и факторы ориентации цепей в кристаллических областях определяются напряжениями в области кристаллизации. Кристаллографическая ось Ь стремится занять положение перпендикулярно поверхности пленки. Связь между ориентацией и напряжением для рукавных пленок такая же, как и для волокон, сформованных из расплава. Можно с уверенностью заключить, что кристаллическая морфология зависит от распределения напряжений по линии кристаллизации. [c.210]

Структурные характеристики полиэтиленовых бутылок, изготовленных раз-дувным формование, исследовались мало. Кемэл и Кальон [71] представили результаты исследования распределения кристалличности и двулучепреломления в таких бутылках. Чой с соавт. [95] получили полюсные фигуры для кристаллографических плоскостей (200) и (020) (рис. 10.15). Кристаллографическая ось Ь стремится к положению, перпендикулярному поверхности бутылок. Отмечена [c.230]

Реплика, указывающая на необходимосяь вторичною зародышеобразования. Кристаллографическая ось с находится в плоскости рисунка. [c.109]

Детальное исследование отжига ориентированных кристаллов полиэтилена под повышенным давлением проведено Зубовым и др. [133], а также Бассетом и Кардером [6,7]. Установлено много сходства с поведением ориентированных кристаллов при отжиге при атмосферном давлении (разд. 7.3.2), а также с поведением обычных кристаллов при отжиге под повышенным давлением. Фишер и Пудербах [35] не обнаружили существенных различий в отжиге при атмосферном давлении и при отжиге в температурном интервале до 220 °С при давлении до 4,2 103 (степень вытяжки образца 15, температура вытяжки 70°С). Зубов и др. [133] также наблюдали лишь небольшое увеличение размеров кристаллов = 300 К, = 130 X, р = 0,963, большой период 350 А, степень вытяжки образца 16 при температуре 95°С и скорости 10 мм/мин) после отжига в течение 2 ч при температуре 250°С и давлении 7 10 атм. Однако эти авторы наблюдали переход орторомбической решетки кристаллов полиэтилена в моноклинную кристаллическую решетку (форма II) (см. табл. 2.9). Начиная с температуры 260 °С размеры кристаллов быстро увеличиваются и достигают оптимальных размеров при температуре отжига 270 °С [2 ч)без потери ориентации. Выше температуры 270 °С ориентация прогрессивно уменьшалась. Максимально достигнутые параметры кристаллов составляли > 1000 X (предел разрешения рентгеновской камеры), = 700 А, р = 0,996 г/смз. Наблюдаемая под электронным микроскопом исходная фибриллярная структура после отжига превращается в типичную структуру, характерную для кристаллов с вытянутыми цепями, в которой кристаллографическая ось с параллельна направлению ориентационной вытяжки. Кристаллы моноклинной формы при этих более высоких температурах отжига не образовывались. Выше температуры 280 °С совершенство кристаллов ухудшалось из-за полного плавления образца в условиях отжига. Оптимальные температуры отжига при давлениях 5 10 и 3 10 атм составляли соответственно 260 и 215°С. [c.537]

Цепочечная структура такого типа характерна для пироксенов, большой группы силикатов, широко распространенных в земной коре. Одним из них является диопсид СаМ [810з]г (см. рис. 7.21). Плоскости спайности в пироксенах проходят параллельно направлению удлинения цепей (кристаллографическая ось Z). [c.287]

Такая структура характерна для амфиболов, минералов, по химическому составу близких к пироксенам. Как и пироксены, они дироко распространены в земной коре. К амфиболам относится гремолит a2Mg5 5l40ll]2(OH)2 (см. рис. 7.22). Плоскости спайно ти здесь параллельны направлению удлинения ленты (кристаллографическая ось 2). [c.287]

Исследование начинают с выбора, ортогональных осей. г, у, з, фиксированных в кристалле. Этот выбор произволен, однако обычно выбирают одну (или больше, если это возможно) кристаллографическую ось. Кристалл монтируется в резонаторе таким образом, чтобы одна из осей, например ось х, была направлена вертикально. Вращая кристалл в резонаторе или магнит прибора относительно резонатора получают ряд значений расщепления. Если вертикально направлена ось X, то эти значёния расщепления связаны с изменением направления вектора напряженности постоянйого магнитного поля в плоскости yz. Аналогично получают. значения расщепления при вращении вектора напряженности в плоскостях ху и xz. Из этих измерений можно получить компоненты тензора Т сверхтонкого взаимодействия в выбранной системе координат. Окончательной же задачей является нахождение матрицы преобразования, которая диагонализирует этот тензор. [c.60]

Один из предложенных методов [92] заключается в нагревании сдвойникованной пластинки до температуры выше температуры превращения с последующим медленным охлаждением р-кварца до температуры ниже температуры инверсии. Если при этом зародышеобразование а-фазы начнется в одной точке, то можно надеяться на образование крупного несдвойни-кованного кристалла. Более надежный метод состоит в отжиге пластинки при температуре ниже температуры превращения а—>р, причем образец подвергают действию скручивающего напряжения. Затем пластинку медленно охлаждают до комнатной температуры. В итоге можно получить образцы со свободной от двойников областью, охватывающей всю площадь пластинки. Для такого процесса нужны напряжения 2 кгс/мм-. Способность кварца к раздвойникованию анизотропна [92], Кристаллографическая ось с направляется перпендикулярно длинному ребру пластинки, а крутящий момент прикладывается по отношению к ее длинной оси. [c.166]

Ответ. Согласно табл. 31.2, ось с является главной осью в тетрагональном кристалле. Таким образом, рассматрвдаемая плоскость пересекает кристаллографическую ось с в точке г=с/2 и параллельна осям а и (п ресекает их при х=а/0, у=Ь/0). Тогда Л=а/(а/0) =0, к=Ь1(ЬЮ) =0, /=с/(с/2)=2. Итак, наша плоскость имеет миллеровские индексы (002). Нарисуйте эту элементарную ячейку, чтобы уяснить геометрические соотношения. [c.20]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология