Расстояния межплоскостные

Межплоскостные расстояния d вычисляют по уравнению Вульфа—Брегга, переписав его следующим образом [c.127]

Постоянную кубической решетки можно рассчитать, если известны индексы плоскости и межплоскостные расстояния по уравнению [c.111]

Межплоскостные расстояния и относительные интенсивности линий некоторых поликристаллических веществ [c.476]

В пространственной решетке через отдельные группы атомов можно провести бесчисленное количество параллельных плоскостей. Совокупность параллельных атомных плоскостей называется семейством атомных плоскостей, а расстояние между ними — межплоскостным расстоянием d (рис. 62). Количество атомов, входяш,их в ту или иную плоскость, различно и тем меньше, чем меньше межплоскостное расстояние. [c.111]

Если известен диаметр цилиндрической пленки и расстояние между симметричными линиями на ней, то определяют углы скольжения. Значения межплоскостных расстояний определяют по уравнению Вул ьфа—Брегга. [c.115]

Межплоскостные расстояния трех наиболее интенсивных линий некоторых химических соединений [c.481]

Длины ВОЛН /(-серии некоторых металлов приведены в табл. 10. Каждое кристаллическое соединение имеет свои определенные расстояния между плоскостями. В природе нельзя встретить два разных кристаллических соединения, у которых все межплоскостные расстояния и интенсивности линий были бы одинаковыми. [c.122]

Вариант I. Определить межплоскостные расстояния в кубической решетке. Сопоставить полученные межплоскостные расстояния с табличными данными и определить вещество. Определить тип кристаллической решетки. [c.126]

Рассчитать межплоскостные расстояния по уравнению (IV,4), при п ----- 1. При вычислении с1 следует в уравнение (IV,4) подставлять [c.122]

Здесь имеется в виду межплоскостное расстояние того семейства, индексы которого стоят под корнем. [c.111]

Среднее расстояние между атомами внутри сеток (по оси а, см. рис, 15) уменьшается, а среднее межплоскостное расстояние (по оси с) возрастает. В результате этого происходит увеличение объема элементарной ячейки решетки, т. е. распухание графита, как следствие измельчения кристаллитов. Рентгенограмма облученного графита сходна с рентгенограммой кокса, прокаленного при 1300—1450 °С. В нормальное [c.205]

Рентгеноструктурные и электроннографические исследования, проделанные многими авторами, позволили установить, что асфальтены имеют кристаллоподобную структуру с несовершенной гексагонально-плоскостной упаковкой атомов углерода [271, 272]. Широкий диапазон межплоскостных расстояний, полученных расчетом электронограмм, свидетельствует о множестве возможных модификаций слоевой надмолекулярной организации асфальтенов [c.281]

Для определения исследуемого вещества выделяют три-четыре линии с наибольшей интенсиыюстью и записывают значения их межплоскостных расстояний d в порядке убывания по абсолютной величине 2,07 1,80 1,27 1,084. Ориентируясь на самую интенсивную линию, подбирают такое вещество, у которого примерно совпадали бы межилоскост1и 1е расстояния. В табл. 5 приложения находят ближайшие значения для первой линии d = 2,07 А). Это могут быть 2,06 А для ВеО, 2,04 А для ()-Со, 2,09 А для Си, 2,09 для N 0 и 2,09 А для Zn. Составляют следуюгцую сравнительную таблицу для линий исследуемого и всех возможных веществ [c.128]

В результате возникновения межплоскостных связей (по оси с) раздвигаются плоскостные углеродные сетки на некоторое расстояние. При этом образуются дополнительные молекулярные поры, недоступные для проникания этилового-спирта, что выражается в снижении пикнометрической плотности кокса. [c.236]

Несимметричность ароматической гексагональной сетки, обуславливаемая насыщением или включением гетероатомов, соз дает выпуклости или искривления в пластинах, что препятствует их более плотной н упорядоченной упаковке. Аналогичной причиной может быть наличие концевых алифатических и нафтеновых групп. Однако чем больше ароматические диски, тем большая упорядоченность, и в структурном отношении это выражается приближением к строению графита, у которого межплоскостное расстояние равно 3,34 А. [c.235]

При твердении тампонажных цементов чаще всего обнаруживается тоберморит с межплоскостным расстоянием 11-Ю- см. [c.94]

Этот белок характеризуется третичной структурой, состоящей из трех левовращающих спиралей (см. рис. 6.10), которые, переплетаясь между собой, образуют правовращающую сверхспираль (рис. 6.14). На каждый виток тройной спирали приходится десять витков полипептидных цепей. При гидротермических обработках природных коллагеновых волокон происходит их резкая, но необратимая усадка ( сваривание коллагена). Межплоскостные расстояния в рентгенографической ячейке [c.381]

Внедрение реагента изменяет структуру графита, увеличиваются межплоскостные расстояния соседних слоев. В соединениях I стадии они могут достигать 80 нм. Степень расширения возрастает с увеличением размеров внедряемых частиц. [c.8]

Из таблицы ВИД1Ю, что ВеО, -Со, N1, 2п не подходят, так как имеют линии, межплоскостные расстояния которых не совпадают с полученными. Остается более тщательно проверить медь. Из трех линий две примерно сходятся по своим межплоскостным расстояниям, но есть некоторое расхождение в оценке интенсивности линий. Поэтому 1 полном списке межплоскостных расстояний (ем. приложение табл. 5) находят медь и сверяют опытные данные с табличными. [c.128]

При температуре выше 1800°С из ароматических сеток образуются кристаллиты небольших размеров. До температуры 2500°С межплоскостное расстояние уменьшается без укрупнения кристаллитов. Размер кристаллитов начинает заметно увеличиваться при температуре 2500 - 2800°С. Ширина кристаллитов Га увеличивается более заметно по сравнению с толщиной Ц. [c.66]

Фазовые соотношения отраженных лучей будут зависеть от длины волны Л, межплоскостного расстояния d и угла скольжения б (рис. 63, а, б). Выразим математически эту зависимость. В точках В и С лучи 5i и S., находятся в одной фазе (так называемый фронт плоской волны). После отражения луча в точке А и луча S., в точке С оба они пойдут в одном наиранлении СЛ5. Луч S, пройдет путь, больший, чем луч Si на величину АС — АВ, называемую разностью хода. Отражение рентгеновских лучей в направлении AS будет наблюдаться нри разности хода, кратной длине волны, т. е. при условии АС — АВ = п К, где п — щ лое число [c.112]

Межплоскостные расстояния любого кристаллического соединения являются как бы его паспортом. По рентгенограмме какого-либо вещества можно вычислить его межплоскостные расстояния, в соответствующем справочнике или каталоге найти это вещество (если название его было неизвестно) или определить из смеси каких химических соединений оно состоит. В последнем случае каждое из химических соединений, входящих в смесь, дает свои линии на реп, К нограмме и требуется только разделить все линии на две группы и,-и более. [c.122]

Фазовый состав катализаторов. Для общего фазового анализа катализаторов используются в основном два метода — рентгенография и дифракция электронов (электронография), хотя для некоторых специальных задач могут применяться и другие физические методы — магнитной восприимчивости, термография, ЭПР, различные виды спектроскопии. Практически наиболее широко применяется рентгенография, основанная иа дифракции характеристического рентгеновского излучения на поликристаллических образцах. Каждая фаза имеет свою кристаллическую решетку и, следовательно, дает вполне определенную дифракционную картину. На дебаеграмме каждой фазе соответствует определенная серия линий. Расположение линий на дебаеграмме определяется межплоскостными расстояниями кристалла, а их относительная интенсивность эависит от расположения атомов в элементарной ячейке. Межплоскостные расстояния d вычисляются по уравнению Брэгга—Вульфа [c.379]

Для изучения фазового состава поверхностного слоя катализаторов пользуются методом электронографии [27], так как глубина проникновения электронных лучей гораздо меньше рентгеновских и составляет величину порядка десятков и сотен ангстрем. Этот метод является также полезным при исследовании процесса образования новых фаз, когда количество новой фазы незначительно и кристаллы имеют малые размеры. В этом случае интенсивность рентгеновских рефлексов ничтожно мала и они теряются на фоне рентгенограммы, в то время как электронограмма дает отчетливую картину. Определение фазового состава поликристаллических веществ методом дифракции электронов обычно проводится по их межплоскостным расстояниям, рассчитываемым в свою очередь по формуле Брэгга—Вульфа. Точность определения межплоскостных расстояний по электро-нограммам значительно меньше, чем рентгеновским методом. [c.381]

Рентгеноструктурными исследованиями установлено существенное скачкообразное снижение межплоскостного расстояния (ё ) после спонтан-ного удаления серы, что свидетельствует о генетической связи процессов удаления серы и формирования кристаллической структуры кокса. Увеличение межшюскостных расстояний в углеродной матрице в процессе нафева согласуется с ослаблением прочности межуглеродных и межплоскостных связей с достижением прочностного порога , после которого углеродная матрица не может удерживать гетероэлементы. [c.32]

Однослойные углеродные ианотрубки средним диаметром 1.2-1.4 нм были исследованы после обработки высоким давлением 9.5-15 ГПа и температурой до 1500°С. Были использованы спектроскопия КРС, рентгеновская дифракция, электронная микроскопия высокого разрешения. Также были измерены плотность образцов и их твердость. Рентгеновские дифракционные картины обработанньге давлением образцов, также как и исходного материала, не содержат отчетливых пиков, поскольку трубки не были упорядочены. В то же время, отсутствие характерного для аморфного углерода пика в области межплоскостных расстояний [c.62]

Структура асфальтенов, по выводам авторов [41], имеет слоистую ориентацию базисных плоскостей, на что указывает симметрия рефлексов только по диаметральному направлению. Отсутствие дифракционных колец от гексагональной сетки (свойства турбостратной структуры) при изменении стереометрического положения объекта указывает на слоистый характер структуры асфальтеновых частиц, причем отдельные плоскости не обладают развитой гексагональной сеткой. Электронно-дифракционные исследования выявили ряд межплоскостных расстояний й (002) в диапазоне от 2 до 5 А. Ориентировочные размеры кристаллитов в рамках протурбостратной структуры составляют более 50 А. [c.238]

Модель углеродной сетки графита была приведена на рис. 12 (см. с. 50). Расстояние между блилойшими плоскостями 3,358 А, а между симметрично расположенными — в 2 раза больше. При сдвинутом расположении атомов углерода в соседних сетках по отношению друг к другу достигается очень плотная упаковка этих сеток в графите. Даже при воздействии высоких давлений (800— 1000 МПа) межплоскостное расстояние сокращается лишь на [c.219]

В отличие от других методов, показывающих кажущееся уменьшение плотности, рентгенографический метод дает повьш]енное значение этого показателя. На основе рентгенографического определения межплоскостного расстояния ( оог) рентгенографическая плотность (в г/см ) рассчитывается по формуле [c.155]

Расчет электронограмм с точностью до 1 % позволяет выявить межплоскостные расстояния от базисных плоскостей (табл. 39), а по уравнению Шеррера [326] можно определить примерные размеры областей когерентного рассейвания асфальтенов. [c.157]

При обработке МНТ по методу Хаммерса и Оффмана может быть получена окись фафита (ОГ) с межплоскостным расстоянием соответствующим расстоянию ОГ, полученной из природного фафита. [c.109]

При объяснении закономерностей процессов взаимодейсгаия различных типов волокон с газовыми средами учшъшали различную степень разориентации структурных элементов вдоль оси волокна, межплоскостное расстояние 6 002, размеры кристаллов и состояние поверхности углеродного волокнистого материала. [c.115]

В данной работе мы исследовали ТО с точки зрения возможности применения его как адсорбента. Межплоскостное расстояние ТО -3,42 А. Различными физическими методами установлено, что поры у ТО отсутствуют, а поверхность обладает удельной площадью 32 м /г. Для заполнения колонки был приготовлен порошок ТО со средним диаметром частиц от 280 до 350 мкм массой 20 г. В колонку зафужался насыщенный раствор смеси фуллеренов в толуоле объемом Уф = 2 мл с концентрацией Сф = 0,7 мг/мл, масса фуллеренов в растворе Шф = 1,4 мг. В режиме выделения См в качестве элюента использовалась смесь растворителей толуол гексан в соотношении 50 50 по объему, при этом была получена фракция сиреневого цвета (фракция 1). В режиме выделения a элюирование проводили толуолом. Была получена фракция оранжевого цвета (фракция 2). [c.134]

В высокосериистых углеродных материалах, прошедших изотермический отжиг при температурах десульфуризаш1и (1400+1700°С), активно формируются области когерентного рассеивания (ОКР) двух типов, резко отличаюишеся параметрами структуры в направлении оси с и а . Средние размеры ОКР фафита L превышают 100 нм, значение d oo2 равно межплоскостному расстоянию структуры графита (-0,336 нм) и практически не меняется при увеличении температуры обработки. Размеры ОКР углеродной матрицы L" увеличивается от -10 до -30 нм, величина ( "от уменьшается с ростом температуры обработки от [c.195]

Использовалась элементная сера — попутный продукт переработки нефти, исследованы пять (исходный и четыре механически обработанных) образцов. Седиментационный анализ показал, что измельчение завершается на начальных (первые два образца) этапах обработки, в результате основная часть порошка (95%) имела размеры в интервале от 1-годо Юмикрон. Рентгенофазовый анализ показал на существенные изменения структурных характеристик материала на всех этапах механической обработки наблюдались сдвиги рентгеновских линий, свидетельствующие о наличии однородной упругой деформации макроскопических областей, разупорядочении атомов кристаллической решетки, а следовательно, к одинаковому сдвигу атомов от их нормального, что проявляется в изменении периодов решетки. Наряду со сдвигом линий зафиксировано уширсние линий, указывающее на флуктуацию межплоскостных расстояний и постоянных решетки вокруг некоторого среднего значения. Оба вида структурных изменений могут рассматриваться как искажения решетки, служить мерой несовершенства структуры твердых веществ и в конечном итоге привести к изменению растворимости и реакционной способности серы. [c.104]

В области высоких (от 500°С и выше) температур в массе большинства органических веществ интенсивно формируются графитоподобные структуры (ШС) Г 4 Л. Исследование процессов графитации и карбонизации органических веществ, а тем более природных смесей (углей, тверцых нефтепродуктов) на уровне отдельных микростадий невозможно провести, учитывая полидисперсность кошонентов по массе,составу и структуре. Тем не менее, дифракционные методы дают информа-цшо о среднем изменении структуры на молекулярном уровне во времени в различных условиях температурной обработки, и могут служить надежным инструментом исследования кинетики форищювавия кристаллической структуры I 4 3. Но до настоящего времени не сущестщ-ет эффективного количественного способа исследования кинетики структурирования кристаллитов. В работах Г 5,6 3 по данным рентгеновской дифракции оценивалась константа скорости и энергия активации, карбонизации и графитации 6 J. Степень графитации () описывалась как функция о/002 - межплоскостного расстояния и времени [c.149]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.74 , c.76 , c.89 , c.91 , c.157 , c.161 , c.167 , c.168 , c.170 , c.171 , c.174 , c.176 , c.188 , c.192 , c.201 , c.205 , c.326 ]

Практические работы по физической химии Изд4 (1982) -- [ c.353 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология