Кремния арсениде

Из сказанного следует, что получение проводящего алмаза для электродов — больной вопрос в электрохимии алмаза. Даже у лучшего из допантов — бора — слишком высокая энергия ионизации (для легирования кремния, арсенида галлия и других технологически продвинутых полупроводников используют донорные и акцепторные примеси с энергией ионизации порядка 0,01 эВ при комнатной температуре они полностью ионизированы). [c.12]

Недостатком фотохимического способа получения водорода является крайне низкий КПД и исключительная дороговизна материалов, традиционно используемых в качестве полупроводникового анода (монокристаллы кремния, арсенида галлия й др.). [c.84]

Под натиском кремния, арсенида галлия и других полупроводников германий утратил положение главного полупроводникового материала. В 1968 году в США, например, производилось уже намного больше кремниевых транзисторов, чем германиевых. [c.116]

По сравнению с классическими полупроводниками IV группы — германием и кремнием — арсениды элементов III группы обладают двумя преимуществами. Ширину запрещенной зоны и подвижность носителей заряда в них можно варьировать в более широких пределах. А чем подвижнее носители заряда, тем при больших частотах может работать полупроводниковый прибор. Ширину запрещенной зоны выбирают в зависимости от назначения прибора. Так, для выпрямителей и усилителей, рассчитанных на работу при повышенной температуре, применяют материал с большой шириной запрещенной зоны, а для охлаждаемых приемников инфракрасного излучения — с малой. [c.127]

Из арсенида галлия изготавливаются плоскостные выпрямители, туннельные диоды и триоды, а также приемники видимого и рентгеновского излучений [193—196]. Благодаря большой ширине запрещенной зоны приборы из арсенида работают при более высоких температурах, чем приборы из германия и кремния. Арсенид галлия,— полупроводник с большим техническим будущим. В особенности перспективными радиотехническими элементами на основе арсенида галлия являются туннельные диоды. [c.100]

Если в качестве осаждаемого материала используют полупроводник р-типа, то осажденный слой получают тоже р-типа. Германий любого типа проводимости может быть осажден на подложку из Ое, ОаАз или ОаР, кремний любого типа проводимости может быть осажден на кремний, арсенид галия или фосфид галия. [c.60]

Рост требований науки и техники к чистоте материалов заставил аналитическую химию обратиться к определению малых количеств примесей в чистых веществах. В первые годы развития атомной промышленности необходимы были высокочистые уран, торий, бериллий, цирконий, ниобий и другие металлы. В дальнейшем еще более чистые вещества потребовались электронной технике — германий, кремний, арсенид галлия, фосфид индия и другие полупроводники. Необходимо было наладить производство люминофоров, сцинтилляционных материалов, которые также должны отвечать жестким требованиям в отношении чистоты. Перед химической промышленностью была поставлена задача изготовления особо чистых химических реактивов и большого числа чистых вспомогательных веществ. Стали существенно более чистыми металлы и сплавы, в частности употребляемые как жаропрочные и химически стойкие. [c.3]

Работы по нейтронно-активационному анализу в Советском Союзе были начаты по инициативе И. П. Алимарина в 1953 г. Активационный анализ-сыграл заметную роль в контроле качества конструкционных материалов, применяемых в реакторостроении,— графита, бериллия, циркония, висмута. Особенно большое значение имело применение активационного анализа для разработки технологии и контроля качества материалов полупроводниковой техники — германия, кремния, арсенида галлия и др. Был решен целый ряд методических вопросов применения активационного анализа для определения ультрамалых количеств примесей в различных объектах. [c.124]

Толщина пленки окисла на поверхности металла, вносимого в ВЧ плазму, определяется температурой подложки, параметрами разряда, величиной приложенного к образцу постоянного напряжения. Зависимость толщины пленки от времени квадратичная при ее росте в ВЧ-плазме и линейная при окислении в плазме тлеющего разряда постоянного тока. Эти закономерности установлены при окислении кремния, арсенида галлия, тантала. [c.279]

В 40—50-е годы прогресс советской аналитической химии чистых веществ был прежде всего связан с развитием атомной промышленности, которой необходимы высокочистые уран, цирконий, ниобий и другие металлы, а также графит. В этой области активно работали многие химики-аналитики, например П. Н. Палей. В 60-е годы или несколько раньше еще более чистые вещества потребовались электронной технике —германий, кремний, арсенид галлия и другие полупроводники. Необходимо было наладить производство люминофоров, сцинтилляционных материалов, которые также должны отвечать жестким требованиям к чистоте. Перед химической промышленностью была поставлена задача изготовления особо чистых химических реактивов и большого числа чистых вспомогательных веществ. Стали существенно более чистыми металлы и сплавы, в частности применяемые как жаропрочные и химически стойкие. Аналитическая химия была призвана обеспечить новые области техники эффективными методами контроля. Главное требование состояло в нахождении способов определения ничтожных примесей в веществах содержание примесей часто составляет 10 —10- %. Решение этой задачи требовало снижения предела обнаружения элементов во много раз. [c.106]

При создании тепловой технологической зоны необходима параллельная работа над совершенствованием конструкции зоны и технологии процесса выращивания. Окончательная экспериментальная доводка зоны неизбежно предполагает получение профили-лированных кристаллов, контроль их физических характеристик и изготовление пробных приборов или устройств на основе выращенных кристаллов. В соответствии с рассмотренными выше принципами Всесоюзным научно-исследовательским институтом электротермического оборудования (ВНИИЭТО) создан ряд конструкций тепловых технологических зон для выращивания способом Степанова монокристаллов германия, кремния, арсенида галлия и окиси алюминия (сапфира). Потребовалась разработка схемы процесса и конструкции тепловой зоны с учетом специфики каждого из этих материалов. [c.111]

Подбор материала формообразователя, удовлетворяющего всем перечисленным выше требованиям, особенно при выращивании высокотемпературных кристаллов, встречает значительные трудности. В этих случаях принципиальная возможность получения профилированных кристаллов материала решается в зависимости от того, удастся ли найти материал формообразователя, обладающий химической стойкостью при температуре расплава. Для примера рассмотрим некоторые имеющиеся в настоящее время результаты использования различных материалов формообразователей при выращивании способом Степанова кристаллов германия, кремния, арсенида галлия и окиси алюминия. [c.122]

Монокристаллы германия, кремния, арсенида галлия, сульфида свинца и т. п. используют для изготовления полупроводниковой аппаратуры диодов, триодов и т. д. (см. разд. У.14). Монокристаллы рубина, фторида лития и некоторые полупроводники применяются в лазерах. Монокристаллы кварца, каменной соли, кремния, германия, исландского шпата, фторида лития и др. применяют в оптических узлах многих приборов физико-химического анализа. Монокристаллы кварца и сегиетовой соли используют для стабилизации радиочастот, генерирования ультразвука, изготовления основных деталей микрофонов, телефонов, манометров, адаптеров и т. д. Монокристаллы алмаза широко используются при обработке особо твердых материалов и бурении горных пород. Отходы монокристаллов рубина нашли применение в часовой промышленности. Многие монокристаллы применяются так же в качестве украшений (бриллиант, топаз, сапфир, рубин и др.). [c.38]

Кристаллы со структурой алмаза (германий, кремний, арсенид галлия и др.) как при естественном росте, так и прн искусственном выращивании стремятся принять октаэдрическую форму. Это стремление проявляется в том, что при выращивании кристаллов вытягиванием из расплава монокристалл растет не в форме правильного цилиндра с гладкой поверхностью, а имеет на ней более или менее широкие полосы, распределенные по периметру поперечного сечения строго в соответствии с ориентировкой. Если монокристалл ориентирован по осп роста параллельно направлению (III), то хорошо просматриваются три вертикальные полосы, расположенные сим-ме рично через 120°. При направлении роста (100) образуются четыре вертикальные полосы, расположенные на цилиндрической поверхности через 90°. Внешние признаки такого рода могут быть использованы при определении кристаллографической [c.59]

Итак, мы видим, что умеренно легированные алмазные электроды ведут себя почти идеально в растворах индифферентного электролита, давая линейные графики Мотга— Шоттки, показывая ожидаемые фотоэлектрохимические свойства (см. ниже, глава 9) и т. д., что указывает на закрепление границ энергетических зон на поверхности полупроводника. В то же время в растворах окислительно-восстановительных систем границы энергетических зон на поверхности как бы открепляются , и алмаз демонстрирует электродное поведение, характерное для плохого металла. Это явление еще не на-щло адекватного объяснения, но оно наблюдается на многочисленных полупроводниковых электродах (из германия, кремния, арсенида галлия и др.) [124, 179]. По всей вероятности, изменение степени окисленности поверхности электрода под влиянием растворенного вещества меняет скачок потенциала в слое Гельмгольца, что в терминах электрохимии полупроводников трактуется, как открепление границ энергетических зон на поверхности. [c.58]

Среди материалов, обладающих электрическими свойствами, обычно рассматр йвают проводники, полупроводники и диэлектрики. Различия между ними определяются характером химической связи и структурой энергетических зон, возникающих в результате взаимодействия атомов или ионов, составляющих кристаллическую решетку. Энергетическая диаграмма полупроводникового кристалла в отличие от диэлектрика характеризуется более узкой полосой запрещенных энергий. Некоторые важнейшие полупроводниковые материалы для электронной техники уже были рассмотрены (германий, кремний, арсенид галлия). В то же время существует много перспективных соединений типа А В (А —Оа, 1п В -8Ь, Аз, Р) и А В1 (А11-2п, Сс1, Hg В -5, 8е, Те). Первые из них обладают исключительно высокой подвижностью носителей заряда, а вторые позволяют в широком интервале изменять ширину запрещенной зоны. Среди диэлектриков со специальными свойствами в первую очередь следует выделить сегнето- и пьезоэлектрические материалы для квантовой электроники, включая активные среды лазеров и мазеров. Первые из них склонны к поляризации только пол влиянием внешних механических воз- [c.164]

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ — материалы оптоэлектронных устройств обработки, преобразования, хранения и передачи информации. Применяются для изготовления элементов оптической связи внутри устройств (диапазон длин волны 0,4 -4-1,5 мкм) источников излучения, оптической среды (управляемой, неуправляемой) и фотоприемников. В качестве О. м. чаще всего используют диэлектрики, полупроводники, металлы (в виде аморфных, мо-но- и поликристаллических слитков, таблеток, пленок и др.), реже — жидкости и газы. Среди О. м. когерентных источников излучения наибольший интерес представляют материалы полупроводниковых инжекцион-ных лазеров кремний, арсенид галлия, твердые растворы соединений аШв — Gaj j.Alj.As (и гетероструктуры на их основе Ga Alд,As — [c.123]

Одним из факторов, обусловливающих рассеяние тепловых волн (фононов) и приводящих к увеличению теплового сопротивления, является неупорядоченность сплава. Изучение теплопроводности сплавов систем германий — кремний, арсенид галлия — арсенид индия и других проводилось ранее рядом авторов [6—8]. В работе [9] на основе модели Колоуэя [4] получено выражение для теплового сопротивления неупорядоченных сплавов [c.246]

Возросшие требования науки и техники к чистоте материалов заста-вшпг аналитическую химию обратиться к определению малых количеств примесей в чистых вегцествах. С развитием атомной промышленности потребовались высокочистые уран, торий, бериллий, цирконий, ниобий и другие металлы. Для электронной техники были необходимы более чистые венцества — германий, кремний, арсенид галлия, фосфид индия и другие полупроводники. Жесткие требования в отношении чистоты предъявлялись также к люминофорам и сцинтилляционным материалам. Химической промышленности необходимо было наладить изготовление особо чистых химических реактивов и большого числа вспомогательных веществ. [c.318]

Наконец, помимо немонохроматичности и значительной угловой ширины рентгеновского излучения трубки суш,ественным является качество рассеивающего кристалла. Как показали экспериментальные исследования [6], выполненные в начале тридцатых годов, наиболее совершенные образцы монокристаллов, пригодные для количественной проверки динамической теории, можно было найти в то время среди естественных кристаллов кальцита и, иногда, кварца. Кристаллы каменной соли или искусственные кристаллы хлористого натрия скорее могли быть использованы для изучения рассеяния в области промежуточной между динамическим и кинематическим. В настоящее время исследователи располагают также и таким превосходным материалом, как синтетические монокристаллы кварца, германия, кремния, арсенида галлия и некоторых металлов. [c.237]

Накболее интересные и практически важные перспективы применения, кроме упомянутых выше, в настоящее время имеют сурьмянистый и мышьяковистый индий как материалы для инфракрасных детекторов, фосфид индия — как материал для выпрямителей и усилителей. Арсенид галлия является, по-видимому, более обещающим материалом для создания солнечных батарей, чем кремний. Арсенид галлия,.а также антимонид алюминия, несомненно, смогут найти широкое применение как материалы для выпрямителей [114]. [c.84]