Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Кремния легирование

Рис. 4.8. Сигналы ЭПР дисперсии, полученные в условиях быстрого прохождения в кремнии, легированном мышьяком (с= 2-101 с -з. 7-= 1,3 °К Яо= 3200 э), в отсутствие (а) и при наличии (б) модуляции магнитного поля. Рис. 4.8. Сигналы ЭПР дисперсии, полученные в <a href="/info/671588">условиях быстрого прохождения</a> в кремнии, легированном мышьяком (с= 2-101 с -з. 7-= 1,3 °К Яо= 3200 э), в отсутствие (а) и при наличии (б) <a href="/info/1619698">модуляции магнитного</a> поля.

Рис. 36. Использование двойной логарифмической сетки для анализа экспериментальных данных по измерению подвижности носителей тока в кремнии, легированном бором, в зависимости от обратной температуры. Рис. 36. Использование <a href="/info/1772341">двойной логарифмической сетки</a> для <a href="/info/304050">анализа экспериментальных данных</a> по измерению <a href="/info/1801668">подвижности носителей тока</a> в кремнии, легированном бором, в зависимости от обратной температуры.
Рис. 17. Поведение доноров, созданных при 450° в кремнии, легированном бором, при нагреве до 550°. Рис. 17. Поведение доноров, созданных при 450° в кремнии, легированном бором, при нагреве до 550°.
    Хорошей разрешающей способностью (но недостаточной эффективностью) отличаются полупроводниковые детекторы — германий, легированный литием, и кремний, легированный литием, фосфором или бором. [c.129]

    Для получения монокристаллов кремния, легированных фос- [c.202]

Рис. 9. Растворимость лития в кремнии, легированном бором, в зависимости от концентрации бора и от температуры. Рис. 9. <a href="/info/149065">Растворимость лития</a> в кремнии, легированном бором, в зависимости от концентрации бора и от температуры.
    Кремний легирован алюминием в концентрации 10 атомов. Электропроводность и равна 4,0 Ом -м- . Определить подвижность дырок. (Плотность кремния 2,4 г/см .) [c.599]

    Стали делятся на углеродистые и легированные (спе циальные). Углеродистые сорта стали (90% всех сталей), кроме железа, содержат углерод, серу, фосфор, марганец, кремний. Легированные стали, кроме перечисленных элементов, содержат дополнительно введенные элементы (хром, никель, ванадий и др.), а также повышенное содержание кремния и марганца. [c.357]

    Рис. 14.18. р-Проводимость кремния, легированного галлием. [c.79]

    Спектр поглощения кремния, легированного висмутом. [c.190]

    Фехеру [68] удалось получить ядерную поляризацию посредством нагрева электронов проводимости путем приложения электрического поля. Это поле увеличивало среднюю кинетическую энергию электронов проводимости, в результате их эффективная температура становится выше температуры ядер. При таком способе поляризации нагревающее электрическое ноле полностью заменяет обычно применяемую для насыщения СВЧ-мощность. Экспериментально такая ядерная поляризация была получена Фехером [68] в кремнии, легированном фосфором при температуре решетки 1,3° К. [c.353]


    Омический фактор снижения коррозии можно использовать, создавая сплавы, образующие на поверхности слой продуктов коррозии с высокими защитными свойствами. Этого достигают, вводя в сплав компоненты, уплотняющие защитную поверхностную пленку и устраняющие возникновение в этой пленке внутренних напряжений (легирование конструкционных сталей медью, легирование железа хромом, алюминием и кремнием, легирование нержавеющих сталей молибденом, легирование меди цинком и алюминием). [c.113]

    Если в полупроводнике с преобладающей ковалентной связью примеси замещают атомы основной решетки (твердый раствор замещения), то в зависимости от природы примесных атомов будет электронная или дырочная проводимость. Пусть в беспримесном кремнии (см. рис. 17) часть его атомов замещается фосфором. При этом атом фосфора также образует четыре ковалентные связи с ближайшими четырьмя атомами кремния, для чего ему необходимо затратить четыре электрона. Пятый валентный электрон фосфора может быть отдан кристаллу кремния. Отдача электрона происходит легко," так как атом фосфора попадает в среду с определенным значением диэлектрической постоянной. Однако для этого требуется затратить небольшую энергию, которая и будет энергией активации донорных атомов фосфора. В результате появляются свободные носители тока — электроны, и кремний становится примесным полупроводником с п-прово-димостью. Возникновение проводимости п-типа у кремния, легированного фосфором, показано на рис. 23. [c.47]

    ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПОЛУЧЕНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ. ЛЕГИРОВАННОГО ДИОКСИДОМ ГЕРМАНИЯ [c.148]

    ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ОКСИДАМИ ТИТАНА [c.154]

    Значительный интерес представляет изучение состава ионного тока, когда электроды изготовлены из различных материалов. Была проведена серия экспериментов [40], в которых одним из электродов служил образец кремния, легированного [c.42]

    Элементный состав кремниевой пленки я-типа и подложки из кремния, легированного сурьмой [c.165]

    Опишем хорошо известный и весьма удобный экспериментальный метод исследования ассоциаций. В монокристалл кремния, легированного бором, диффузионным процессом вводится литий, и на некоторой глубине образуется р-/г-переход. Подвергая пластину последовательным термообработкам при различных температурах, определяют смещение р-п-перехода, которое происходит за счет диффузии межузельных ионов Ы/. Найденное таким образом значенне коэффициента диффузии Ок оказывается меньше значения коэффициента диффузии Ы,-, определенное в кремнии, не содержащем акцепторной примеси (Оы). У границы р-п-перехода [Ь1]общ-= [В]общ часть атомов как и атомов В, связана в комплексе (Ь1В)  [c.193]

    Равновесие пар электрон — дырка в кремнии, легированном В Н- см. формулу на стр. 64), теперь при 66 [c.66]

    Комплекс SiOi. взятый отдельно или связанный с акцептором, представляет собой содержащее кислород основное соединение, образующееся в ходе реакций при пониженных температурах это подтверждается тем, что полное изменение концентрации акцепторов по завершении реакции равно примерно как раз А начального содержания кислорода в кристалле (показано на рис. 17 и 18 пунктирными линиями). Указанный эффект насыщения наблюдается, в случае если акцепторы имеются в избытке (более чем 3,5-10 атом1см для большинства тянутых кристаллов кремния). Доказательство образования двух структур разной стабильности, но содержащих одинаковое число акцепторов, дано на рис. 17, где показано, что в кристалле кремния (содержащем 1,1- 10 см В и примерно 1,2 10 сж кислорода) происходит генерация доноров до насыщения при 450° и исчезновение и регенерация их при 550°. На рис. 18 виден такой же, но значительно менее глубокий минимум, наблюдающийся в кремнии, легированном алюминием (1,4-10 см кислорода). Слабое влияние прогрева при 550° в случае алюминия находится в резком контрасте с наблюдениями в случае бора (рис. 17 и 18). Дальнейшие исследования показали, что образцы с алюминием проявляют такой эффект тем меньше, чем меньше уровень легирования алюминием, чем длительнее время реакции и чем выше температура реакции. Следовательно, в реакции с алюминием быстрее создаются стабильные структуры, чем в случае с бором или галлием (поведение последнего очень сходно [c.287]

    На рис. 47 приведена температурная-зависимость удельного сопротивления кремния, легированного бором. При высоких концентрациях примесного бора наступает вырождение, а потому с ростом температуры сопротивление или не изменяется, или увеличивается. [c.111]

    Примеси вводят через газовую фазу. Эксперимент выполняют по-разному. В проточных системах примесные элементы (или летучие, легко разлагающиеся их соединения) добавляют к газу-носителю. Таким образом, например, выращивали кристаллы карбида кремния, легированные азотом, фосфором, бором [107]. [c.30]

    Для измерения энергии и интенсивности характеристического рентгеновского излучения используют спектрометры с волновой и энергетической дисперсией (рис. 10-2.9). Энергодисперсионные рентгеновские спектрометры регистрируют одновременно все длины волн в спектре, позволяя проводить определение элементов от Ве до и (при использовании безоконных детекторов). Эти спектрометры состоят из полупроводникового детектора (кремния, легированного литием), преобразующего энергию фотонов в электрические импульсы, напряжение которых пропорционально энергии фотонов. Таким образом происходит дискриминация фотонов по энергиям. Разрешение энергодисперсионных спектрометров составляет около 140 эВ для линий средней энергии [c.333]


    Так, полупроводниковый диод представляет собой полный аналог лампового выпрямителя. Предположим, что монокристалл полупроводникового материала, например кремния, легирован таким образом, что оп является наполовину полупроводником /г-типа, а наполовину полупроводпиком -типа. Зоиная структура такого полупроводникового материала н.чображепа иа рис. 14.21. Положение уровня Ферми в различных половинах полупроводника раз.чично. Следовательно, электроны имеют возможность самостоятельно переходить нз области с /г-проводи.мостыо [c.83]

    МАРТЕНСИТНОСТАРЁЮЩАЯ СТАЛЬ — сталь, высокая прочность к-рой достигается в результате превращения аустенита в мартенсит и последующего старения мартенситной основы. Применяется с 60-х гг. 20 в. Основой безуглеродистых М. с. (< 0,03% С) является железо, легированное никелем (6— 20%). Старение мартенсита происходит в интервале т-р 350—650° С при дополнительном легировании стали титаном, бериллием, алюминием, марганцем, молибденом, вольфрамом, ванадием, кремнием, медью или ниобием. При одинаковом атомном содержании элементов наибольшее упрочнение в процессе старения вызывает легирование титаном, бериллием, алюминием и наименьшее — молибденом, ниобием и кремнием. Легирование кобальтом пе приводит к дисперсионному твердению мартенсита. Наличие кобальта (> 5—7%) и никеля О 12—15%) при т-ре 350—450° С вызывает образование ближнего или дальнего (при > 18— 20% Со) порядка типа железо — кобальт, что способствует упрочнению стали. Кроме того, кобальт, уменьшая растворимость молибдена, вольфрама и ванадия в альфа-железе, [c.773]

    Ф II г. 10.2. Энсргстичсские уровни сверхтонкой структуры для в кремнии, легированном сурьмой [31]. [c.344]

    Интенсивность окраски Аз(Н Вг)з зависит от концентрации мышьяка. Метод применим для определения мышьяка в кремнии и пленках кремния, легированных мышьяком. Определению мешают HNO3, С1, Вг, J, S. Р, Sb. [c.53]

    Интересное видоизменение описанных выше реакций с кислородом получается в случае присутствия, кроме прежнего раствора кислорода в кремнии, акцепторов, в частности бора, алюминия или галлия 48]. Можно предсказать, зная обсуждавшиеся выше законы электроно-дырочного равновесия, что наличие акцепторов приведет к заметному увеличению концентрации доноров, в результате сдвига вправо равновесия (26, в). Кроме того, проявятся особые эффекты, связанные с акцепторами, особенно при умеренно высоких температурах (выше 500°) или при большей продолжительности реакции при более низких температурах. Эти эффекты, которые особенно резко выражены в кремнии, легированном алюминием, являются, как полагают, результатом образования более стабильных комбинаций между комплексами Si04 и акцепторами. Получены доказательства [c.287]

    Ховик и сотр. (1965) при изготовлении электродов для анализа непроводящих веществ использовали другой прием. Диэлектрик сначала размельчали в тонкую пудру и распределяли по поверхности узкой медной ленты. Затем гидравлическим прессом вещество вдавливали в поверхностный слой меди. Эта лента служила одним из электродов, а второй был изготовлен из тонкой медной проволочки высокой чистоты. Использовался источник ионов типа вакуумный вибратор , причем в возбуждении и поддержании дугового разряда трудности не возникали. Таким методом были исследованы различные материалы ЗЮг, MgO, AI2O3, силикатные минералы, а также кремний, легированный бором. [c.309]

    Клег и сотр. (1970) описали прецизионный сканирующий прибор для анализа тонких слоев. Во время сканирования распылялись слои кремния, легированного брома (толщина слоя 9,8 мкм), получена зависимость концентрации хлора (25— 500 ат. МЛН ) от глубины проникновения импульсов разряда (0,15 мкм). [c.394]

    Поглощение кристалла кремния, легированного бором и фосфором, изучено Ангрессом и сотр. (1965). Два примесных элемента были необходимы для того, чтобы избежать поглощения свободным носителем, которое замаскировало бы все эффекты, связанные с решеткой. Спектры, полученные при различных концентрациях примесных центров, показаны на рис. 8.28. [c.258]

    Известны многочисленные легкие сплавы магния с алюминием, Ц1ШК0М, марганцем, кремнием, серебром, висмутом, медью, цирконием, кадмием, церпем, ртутью и другими металлами. При добавлении магния к алюминию увеличивается твердость и сопротивление на разрыв цинк с добавкой магния имеет повышенную твердость и малую зернистость у кремния, легированного магнием, улучшается текучесть и уменьшается тягучесть при добавлении магния к марганцу возрастает стойкость к коррозии на влажном воздухе. [c.173]

    Термообработка кремния, легированного золотом в ыеоодьших концентрациях см ), показала, что времс жизни [c.37]

    Мессбауэровский спектр Ре в кремнии исследован введением Со в монокристалл кремния. Из-за низкой растворимости железа в кремнии эксперименты не могли быть поставлены с кремнием, легированным Ре. На рис. 3.22 представлены результаты, полученные в образце кремния я-типа (0,01 ом-см). В спектре видна сильная линия —0,0012 + 0,0003 см сек (относительно изотонически обогащенного РеК/,(СМ), -2Н20 как поглотителя) и дополнительная слабая линия +0,054 0,005 см сек. В противоположность предварительному сообщению не было обнаружено сунд,ествениого различия в мессбауэровских спектрах кремния п- и р-типов. Это показывает, что железо, получающееся после распада кобальта в кремний, электрически инертно. Отсутствие большого [c.165]

    Пелл [37], используя метод, заключающийся в изучении дрейфа ионов LiJ в кристалл кремния, легированного бором (дрейф наблюдался по движению /)-и-переходов [38]), получил данные по образованию пар между бором и междоузельным литием в кремнии. [c.205]


Библиография для Кремния легирование: [c.113]    [c.205]   
Смотреть страницы где упоминается термин Кремния легирование: [c.229]    [c.136]    [c.59]    [c.113]    [c.67]    [c.31]    [c.259]    [c.56]    [c.45]    [c.389]   
Введение в химию полупроводников Издание 2 (1975) -- [ c.47 , c.111 , c.113 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Легирование



© 2024 chem21.info Реклама на сайте