Расчет кристаллизации

Расчеты по лроцессу кристаллизации. Расчет кристаллизации сводится к составлению материального и теплового балансов для определения производительности аппарата (выхода кристаллов) и количества тепла, которое надо подвести или отнять в процессе кристаллизации. [c.649]

Пример VI 1.25. Составить тепловой расчет кристаллизации плава аммиачной селитры в грануляционной башне. [c.358]

Отбор п-ксилола при экстрактивной кристаллизации (с использованием в качестве растворителя этилбензола) может быть рассчитан, например, следующим путем. Если к сырью, состав которого был указан в табл. 3.5, добавить 2,3 части этилбензола, то в продукте будет содержаться (в мол. %) этилбензола 76, п-ксилола 6, ле-ксилола 13,5, о-ксилола 4,5. Расчет кристаллизации, выполненный [c.97]

С помощью плоских диаграмм состояния можно производить расчеты кристаллизации и судить об изменениях системы по мере изменения ее состава или температуры. [c.177]

ОСНОВЫ РАСЧЕТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ И ГРАНУЛЯЦИИ [c.315]

При расчетах кристаллизации и грануляции используются общие уравнения гидродинамики и процессов переноса. Основные расчетные уравнения и формулы приведены в табл. 6.3. [c.319]

Такие диаграммы позволяют решать ряд важных в практическом отношении вопросов, например, произвести расчет кристаллизации солей из рассолов. [c.71]

Так, графические расчеты кристаллизации по двум ортогональным проекциям правильной пирамиды взаимной системы (поз. 13) не совсем точны, особенно на важной для технологии стадии кристаллизации одного компонента. [c.76]

Метод параллельных проекций для расчетов кристаллизации имеет ряд недостатков, ограничивающих его применение. [c.159]

Рассмотрим принципы решения второй задачи графического расчета кристаллизации солей при охлаждении раствора трех солей с общим ионом (рис. 19.2). Состав исходного раствора Я1 находится в объеме кристаллизации соли С, так как расположен между точками Г и О. Точка С соответствует составу безводной соли С, а точка К — составу гидрата этой соли (высота расположения зависит от содержания воды в гидрате). [c.169]

Для неправильного тетраэдра в прямоугольных координатах секущая вертикальная плоскость, проведенная через луч испарения перпендикулярно к координатной плоскости (грани), в отличие от правильного тетраэдра, из-за взаимной перпендикулярности координатных плоскостей одновременно проходит через соответствующую координатную ось фигуры. Эта особенность прямоугольных координат и их ортогональных проекций важна при вспомогательных графических построениях по второму способу и дает возможность так подобрать секущую плоскость, чтобы луч испарения, путь кристаллизации и луч кристаллизации одной твердой фазы и координатная ось лежали в этой секущей плоскости. Но для этого она должна проходить через ту координатную ось, на которой откладывается состав первой выпадающей твердой фазы. Такое сечение дает возможность точного построения на ортогональных проекциях предельных точек и лучей кристаллизации при выделении компонентов при испарении и охлаждении растворов и расчета кристаллизации одного компонента. [c.181]

Рассмотренный пример расчета кристаллизации относится к случаю непрерывного соприкосновения образовавшейся жидкой фазы с выкристаллизовавшимися солями. Если же раствор передвигается и образующаяся жидкая фаза перестает контактировать с выкристаллизовавшимися [c.243]

Рост шара в пересыщенном растворе. Уравнение Лапласа применимо к расчету кристаллизации шара, если движущие силы малы решение уравнения для такой конфигурации удовлетворяет граничному условию на бесконечности, которое не выполнялось для плоского фронта кристалла при росте из пересыщенного раствора (или переохлажденного расплава). В случае шарообразного кристалла выражения (9.31) и (9.32) запишутся через величины, характеризующие рост из раствора, следующим образом [109] [c.410]

Расчеты кристаллизации солей при помощи правила рычага [c.83]

Ниже дается пример расчета кристаллизации для фигуративной точки п. [c.420]

При построении диаграмм растворимости третьего типа координаты точек состава всех солевых компонентов имеют конечное значение, координата точки состава воды (или другого растворителя) удалена в бесконечность. Следовательно, диаграммы третьего типа также представлены незамкнутыми фигурами, тем не менее они представляют больше возможностей для графических расчетов кристаллизации, чем диаграммы второго типа. Это объясняется тем, что в данном случае линии кристаллизации имеют конечное значение, что позволяет графически (по правилу рычага) рассчитать массы твердых фаз, выделяющихся при политермической и изотермической кристаллизации. Только линии упаривания начинаются в бесконечности, поэтому прямой графический расчет испарения воды невозможен. [c.12]

Две ортогональные проекции диаграмм четырехкомпонентных систем, построенных в правильном тетраэдре и четырехгранной пирамиде, в практике расчетов не применяются, что объясняется недостаточной точностью и сложностью вспомогательных графических построений для расчета кристаллизации одной твердой фазы, а также неудобством построения и отсчета фигуративных точек системы. Построение ортогональных проекций на грань, противолежащую вершине воды, чаще всего преследует только цель наглядного изображения экспериментальных данных. [c.45]

Способ применения ортогональных проекций правильного тетраэдра не получил распространения из-за указанных недостатков. Поэтому здесь не приводится более подробное описание этого способа, Построения для расчета кристаллизации двух и трех твердых фаз на основе применения двух ортогональных проекций могут быть выполнены этим способом вполне точно, однако они тоже сравнительно громоздки, особенно при наличии в системе гидратов и двойных солей. При большом числе полей насыщения и областей кристаллизации затруднительно установить с помощью ортогональных проекций, какие линии соответствуют проекциям поверхностей, ограничивающим те или иные области кристаллизации, и в каких точках эти поверхности пересекаются секущей плоскостью. [c.51]

Процесс изотермической кристаллизации на отдельных участках рассматриваемой диаграммы протекает по-разному. В качестве типичных примеров рассмотрены графические построения для расчета кристаллизации солей из начальных растворов,, солевой состав которых характеризуется положением точек Ti—Те- [c.67]

Главной особенностью графических расчетов кристаллизации с помощью квадратной диаграммы Енеке —Ле Шателье является то, что во всех областях линии кристаллизации представлены прямыми линиями. Обменная реакция, которая протекает в процессе кристаллизации в некоторых областях диаграммы взаимных систем, содержащих инконгруэнтные точки насыщения, не изменяет прямолинейности линий кристаллизации. Это объясняется тем, что в данном методе концентрации жидкой фазы выражаются в ионных процентах. При выражении состава системы в массовых процентах некоторые линии кристаллизации имеют перегибы при пересечении диагонали. Это заметно усложняет графические расчеты. [c.68]

Материальный расчет кристаллизации. Кристаллизация осуществляется в грануляционной башне. [c.135]

Пример. Составить тепловой расчет кристаллизации плава аммиачной селитры в грануляционной башне. Температура воздуха на входе в грануляционную башню 30° С, на выходе бО" С. В башню поступает на 1 т. аммиачной селитры 1015,23 кг плава (стр. 441), содержаш его 98,5% КН4К0з- Температура плава, посту-паюш его в башню, 150° С, температура гранул, выходящих из башни, 80° С. [c.445]

Для инженерных расчетов сделанные допущения не вносят су- щественных искаженир Для более точного расчета можно использовать метод последовательных приближений. Разность темпера-туры отходящих потоков и средней температуры слоя при псевдоожижении газом обычно не превышает 10—20°С, за исключением процессов при низкой температуре в слое и при малой его высоте. При расчетах кристаллизации по типу I разностью температуры слоя и отходящих потоков обычно можно пренебречь. [c.325]

Рассмотрены рост одиночного кристалла из пересыщенного раствора (расплава), кинетические закономерности кристаллизации, гидродинамика и тепломассопереиос в дисперсных системах. Приведены примеры расчета кристаллизации в однородных системах, сквозных потоках, во взвешенном слое и в других системах. Показано, как отдельные методики могут быть использованы при создании САПР кристаллизационных установок. [c.4]

Другой случай возникает, когда точка исходного раствора Н расположена так, что луч испарения, проведенный из начала координат через эту точку, пересекает на горизонтальной и вертикальной проекциях внешние поля насыщения двух различных компонентов. В этом случае для расчета кристаллизации необходимы проекции правой или левой части диаграммы на вертикальную плокость V или применение способа вторичной ортогональной проекции на координатные плоскости I и IV. На рис. 23.3, а даны ортогональные проекции правой части диаграммы на координатные плоскости II—III—V. Луч испарения исходного раствора И пересекает внешнюю поверхность насыщения компонентом ВХ одновременно на двух проекциях III и V), поэтому ВХ выпадает [c.231]

Дадим некоторые примеры расчетов кристаллизации по. приведенным диаграммам. Пусть требуется рассчитать кристаллизацию в процессе перегрева смеси, состоящей из 45% N83804, 45% Na l и 10% NaOH при давлении водяного нара 100 ama. [c.242]

Первая описанная в литературе попытка использовать диаграмму для расчета принадлежит Вант-Гоффу, применивщему так называемый метод уравнений для расчета кристаллизации шенита из растворов. Точная дата этой работы нами не установлена, но она во всяком случае была сделана не позднее 1905 г., поскольку известно, что Вант-Гофф опубликовал ее ранее чем за три года до смерти, наступившей в 1908 г. [12]. [c.76]

Хорвей [52] провел детальный численный расчет кристаллизации пластины с эллиптической вершиной (двумерный случай). [c.397]

Расчет кристаллизации мирабилита и галита или гидрогалита можно провести аналитическим путем по системе уравнений (в расчете на единицу массы рассола), как описано на стр. 74. [c.141]