Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Линия кристаллизации

    Проследим процесс кристаллизации какого-нибудь сплава. Пусть состав исходного расплава представляется точкой А. При охлаждении такого расплава при 217° С из него начинается выделение кристаллов висмута. Состав остающегося жидкого расплава в результате этого изменяется, но так, что соотношение содержания олова и свинца остается постоянным. Этому соответствует -перемещение точки состава в нашей диаграмме по линии АЕ, так как все точки какой-нибудь прямой, проходящей через вершину треугольника, соответствуют постоянному относительному содержанию двух других компонентов. Перемещение по этой прямой отвечает переходу расплава к составу, представляемому точкой Е, расположенной на линии СР (линии кристаллизации двойной эвтектики), вдоль которой расплав равновесен уже одновременно с кристаллами висмута и олова. [c.350]


Рис. 14.12. Влияние температуры на адсорбцию из бинарных растворов нафталина в к-гептане на силикагеле вертикальные линии — кристаллизация нафталина при насыщении объемного раствора Рис. 14.12. <a href="/info/15368">Влияние температуры</a> на адсорбцию из <a href="/info/12377">бинарных растворов</a> нафталина в к-гептане на силикагеле <a href="/info/1449716">вертикальные линии</a> — <a href="/info/401790">кристаллизация нафталина</a> при насыщении объемного раствора
Рис. V. 53. Проекции линий кристаллизации различных фаз. Рис. V. 53. <a href="/info/1418135">Проекции линий</a> кристаллизации различных фаз.
    Рассматриваемая пространственная диаграмма может быть представлена в виде диаграммы на плоскости, если использовать ее проекцию на концентрационный треугольник Л В С (рис. VИ.17). Линии е Е, е. Е и е Е есть проекции линий кристаллизации двойных эвтектик е,Е, в2Е и е Е (рис. VII.15), а области А е[Е е. А, В е[Е е В и С —проекции поверхностей кристаллизации [c.184]

    Кроме того, слиток ЭШП получается более плотным. При отливке слитков в обычную металлическую изложницу (рис. 4.17, а) первым застывает металл у ее холодных стенок, тогда как сердцевина застывает последней. Кристаллизация слитка идет по линиям, перпендикулярным границе раздела жидкой и твердой фаз, т. е. оси образующихся кристаллов в основном перпендикулярны оси слитка. При прокатке таких слитков их кристаллы деформируются, что ухудшает прочностные свойства стали. В кристаллизаторе же поверхность раздела фаз (нижняя поверхность ванны на рис. 4.17,6) имеет сфероконическую форму, поэтому линии кристаллизации, идущие перпендикулярно этой поверхности, направлены [c.224]

    Все полиномы оказались адекватными. Затем была проведена графическая экстраполяция (рис. 66, г), давшая возможность весьма точно определить линии кристаллизации двойных эвтектик в тройных сплавах и координаты точки тройной эвтектики. [c.286]

    Зависимость температуры кипения растворов МдС от концентрации приведена на фиг. 63. Кривая кипения растворов в аппарате с погружной горелкой располагается ниже температур кипения растворов при атмосферном давлении, и обе кривые приближаются к линии кристаллизации растворов в пределах 140 и 160° С. В том и другом случае дальнейшее повышение температуры раствора может привести к образованию плава, который способен подвергаться гидролизу с образованием окиси магния и соляной кислоты. [c.157]


    Таким образом, в четверной системе первичной кристаллизации отвечают объемы, вторичной — поверхности кристаллизации, или поля, третичной — линии кристаллизации и, наконец, четвертичной — нонвариантная точка. Поверхности кристаллизации иногда называют пограничными поверхностями, так как они разграничивают объемы кристаллизации. Равным образом линии кристаллизации называют иногда пограничными кривыми, или пограничными линиями, так как они разграничивают поля кристаллизации. [c.316]

    Микулин упростил решение этих задач путем целесообразного выбора проекций с таким расчетом, чтобы линия кристаллизации двух солей была перпендикулярна к плоскости вертикальной проекции, что позволяет проводить количественные расчеты по правилу [c.223]

    На рис. 24.1, а пограничные линии кристаллизации отвечают составам насыщенных растворов, находящихся в равновесии с двумя солями. Эти линии пересекаются в точках и F, в которых насыщенный раствор находится в равновесии с тремя солями. Точка [c.234]

    Давление пара, при котором происходит выпаривание растворов, определяется температурами их кипения и кристаллизации (рис. 32.13). Концентрация упаренного раствора (НН2)гС0 определяется точкой пересечения соответствующей кривой давления с кривой кристаллизации ОВ. Например, при выпаривании раствора при 0,1 ат кристаллизация начнется, когда температура раствора достигнет 58° С, а концентрация (НН2)гС0 составит 70%. Для получения растворов (ННг)2С0 более высоких концентраций, вплоть до плава (98%), процесс выпаривания должен проводиться при более высоком давлении, но не более 0,35 ат, так как при этом кривые давления не пересекают линию кристаллизации ОВ. [c.337]

    Линия кристаллизации и коэффициент раздува [c.25]

    Линия кристаллизации — это граница, после которой полимер затвердевает благодаря кристаллизации. При кристаллизации прозрачность полимера падает, и это хорошо заметно по резкому помутнению пленки на некотором расстоянии от головки экструдера. Линия кристаллизации зависит от скорости экструзии и температуры, а также от воздушного охлаждения, осуществляемого обдувом рукава снаружи. Температура, скорость и угол попадания на пленку воздушного охлаждения могут изменяться. Быстрая кристаллизация дает более мелкие кристаллы при этом пленка будет прозрачнее, менее мутной на вид, и иметь более гладкую поверхность с сильным блеском [13]. [c.26]

    Одновременно с расширением пленки за счет раздува она вытягивается усилием, направленным вдоль оси экструзии. Это дает продольную ориентацию. Вновь основная продольная вытяжка происходит между выходом полимерного расплава из экструдера и его кристаллизацией (линией кристаллизации). На линии кристаллизации пленка имеет максимальный диаметр и сопротивляется дальнейшему раздуванию или вытяжке в большей степени, чем непосредственно перед линией кристаллизации. Внешне этот процесс сопровождается помутнением рукава. Изменение прозрачности зависит от степени кристалличности конкретного полимера. [c.28]

    До определенной точки смещение вверх линии кристаллизации вызывает увеличение глянца и снижение мутности. Однако при превышении этой точки глянец уменьшается, а мутность возрастает. Увеличение глянца и снижение мутности из-за увеличения высоты линии кристаллизации происходит в результате того, что молекулы усиливают тенденцию к ориентации и концы молекул не могут выступать наружу, создавая неровность поверхностного рельефа. Слишком большое время охлаждения повышает внутреннюю мутность, характерную для ПЭ. [c.67]

    Увеличенная высота линии кристаллизации реализуется в формовании рукава большей длины из расплавленного или горячего материала. Из-за недостатка прочности этот мягкий материал очень восприимчив к колебаниям пузыря, вызываемым неравномерным охлаждением. Для поддержания стабильности пузыря, необходимой для равномерности толщины пленки, желательно низкое положение линии кристаллизации. [c.68]

    Поднимите высоту линии кристаллизации [c.69]

    Биение 1. Линия кристаллизации слишком высокая или слишком низкая [c.70]

    Изменение положения линии кристаллизации из-за изменения температуры расплава и/или воздуха [c.70]

    Изменение положения линии кристаллизации из-за изменения потока воздуха от воздушного кольца [c.70]

Рис. 2.5. Линия кристаллизации и коэффициент раздува в термоусадочной пленке Рис. 2.5. Линия кристаллизации и <a href="/info/901431">коэффициент раздува</a> в термоусадочной пленке
    Форма пузыря и линия кристаллизации [c.74]

    Форма пузыря и линия кристаллизации являются важными параметрами, управляющими усадкой в обоих направлениях. На рис. 2.5 изображены два пузыря различной формы один (а) с продолговатой шейкой (сплошная линия), — соответствует высокой линии кристаллизации, а другой (Ь) — без шейки — [c.74]

    НИЗКОЙ. Форма с продолговатой шейкой дает более сбалансированную усадку. Это легко объяснимо. В пузыре этой формы поперечное растяжение превалирует только ниже линии кристаллизации, а дальнейшая релаксация отсутствует. Таким образом, в пленке сохраняется высокий уровень ориентации в продольном направлении. [c.75]


    АЕСВ представляет собой линию ликвидуса. Ветвь АЕ — линия кристаллизации компонента М ветвь ЕС — линия кристаллизации химического соединения плавящегося инконгру-знтно ветвь ВС — линия кристаллизации компонента N. Прямые GEL и D — линии солидуса (от латинского solidus — твердьи ). Фазовые превращения, протекающие по линиям АЕ и ВС, аналогичны превращениям в системе d — Bi (см. рис. 8, а). Превращения, происходящие на линии D, требуют пояснения. Если охлаждать жидкость, обозначенную точкой г, то в точке р начнется кристаллизация компонента N. При дальнейшем охлаждении кристаллизация N продол>кается по кривой ВС до пересечения с кривой ЕС. В точке С находятся в равновесии три фазы жидкая, твердые фазы M N , и N. Число степеней свободы в этой точке равно нулю. Если отнимать далее от этой системы теплоту, то будет происходить кристаллизация соединения M N , которое образуется за счет взаимодействия жидкой фазы, отвечающей точке С, и кристаллов N, на которые распалась система при нагревании в точке С. Процесс образования и кристаллизации происходит при постоянной температуре до полного исчезновения твердой фазы N. Далее, если охлаждать систему, происходит кристаллизация M N по кривой СЕ. В точке Е кристаллизуется эвтектика M,N, + М. [c.120]

    Поверхности АЕ Е Е- , ВЕ Е Ея и СЕ Е Е — это поверхности кристаллизации висмута, кадмия и цинка из расплавов разного состава. Линия Е Е — линия кристаллизации эвтектики Сс1 В1 линия E. E — кристаллизации эвтектики В1 + + Zn линия Е Е — кристаллизации эвтектики Zn -Ь Сс1. Точка Е от1зечает кристаллизации тройной эвтектики Zn + + са + В1. [c.125]

    Направлением линий кристаллизации можно управлять, изменяя форму жидкометаллической ванны, так как она зависит от скорости расплавления, т. е. от мощности печн (направленная кристаллизация). Чем меньше скорость расплавления, тем более плоской будет ванна, и наоборот. [c.227]

    Неограниченная взаимная растворимость ко.мпонентов в твердом и жидком состояниях. Минимум иа линии кристаллизации при 476°С и 50% (мол.) Ь1Р0з. [c.141]

    ВСЕ — это гипотетическая линия кристаллизации при наличии веществ, которые распадаются при температуре более низкой, чем предполагаемая, или метастабиль-ная, точка плавления скрытый максимум, точка С — это метастабильная точка плавления. Системы, у которых кривая плавления прерывается из-за химических превращений в твердой фазе, называются меритектиче- [c.270]

    Возможны диаграммы, когда точка Р (см. рис. VIII.4) совпадает с составом соединения S. В работе [7] путем вывода из удельных изобарных потенциалов показано, что в подобных системах ветвь кривой ликвидус, соответствующая кристаллизации чистого компонента, пересекается с линией кристаллизации соединения в дистектической точке. Соединение S выделяется в точке пересечения непосредственно из расплава. Компонент А не претерпевает перитектического превращения. Такую диаграмму автор считает промежуточной между описанными ранее типами диаграмм с конгруэнтно и инконгруэнтно плавящимся соединением. [c.109]

    Мутность бывает двух типов вызванная поверхностной шероховатостью, присущей течению расплава, и возникающая из-за неровности поверхности в сочетании с неоднородностью расплава вследствие кристаллизации. Чем быстрее охлаждается пленка на пути от головки экструдера до линии кристаллизации, тем меньше мутность, связанная с кристаллизацией, и тем больше мутность из-за неоднородности потока. В ПЭВП, в котором мутность, связанная с крис- [c.65]

    Ударная прочность также связана с молекулярной ориентацией. При увеличении высоты линии кристаллизации без увеличения коэффициента раздува ориентация в продольном направлении возрастает. Такая однонаправлен- [c.67]


Смотреть страницы где упоминается термин Линия кристаллизации: [c.86]    [c.153]    [c.36]    [c.154]    [c.215]    [c.153]    [c.344]    [c.61]    [c.911]    [c.24]    [c.63]    [c.74]    [c.143]   
Фазовые равновесия в химической технологии (1989) -- [ c.270 ]

Основы технологии переработки пластических масс (1983) -- [ c.162 , c.168 , c.169 ]

Технология переработки пластических масс (1988) -- [ c.138 ]

Основы переработки пластмасс (1985) -- [ c.152 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте