Диффузное отражение схема

Рис. 18. Оптическая схема приставки (А) для диффузного отражения к спектрофотометру ИКС-14 (В)

Рис. 1.7. Схема диффузного отражения (а) и светопропускания (б)

Ход световых лучей через красочную пленку (по Е. Ф. Беленькому) показан схематически на рис. 15. Из схемы видно, что падающий дневной белый свет, дойдя до поверхности пленки, разделяется на две части одна часть его отражается от пленки, другая — преломляется и входит в пленку. Эта часть света внутри пленки частично отразится от поверхности частиц пигмента и выйдет обратно наружу в виде диффузно отраженного света. Этот свет рассеянный и слабо окрашенный. Другая часть света пройдет через частицы пигмента и, претерпев избирательное поглощение и внутреннее отражение, выйдет из пленки более интенсивно окрашенной, чем свет, отраженный от поверхности частиц. Цветовая насыщенность света по мере прохождения его через частицы пигмента будет увеличиваться. Таким образом, наиболее насыщенным является свет, отразившийся от грунта, поскольку он проходит через наибольшее количество частиц пигмента. [c.63]

Отечественные приборы ранних моделей (ФБ-1А, ФБ-2) предусматривали применение фотодатчиков на базе селеновых фотоэлементов, спектральная характеристика которых имеет вид кривой с экстремумом в желто-зеленой области спектра. Но фотоэлементы на основе селена не обладают достаточно высокой, чувствительностью, поэтому в схеме прибора есть дополнительные устройства, усиливающие первичный сигнал. С этой же целью прибегают к увеличению апертур осветителя и фотодатчика. Поэтому вместе с зеркально отраженными лучами на фотоэлемент попадают и лучи, отраженные диффузно. Для получения более объективной оценки блеска покрытия попадание диффузно отраженных лучей должно быть сведено к минимуму. [c.160]

Рассеиваемый свет попадает на фотоэлемент. По силе возбужденного фототока, для измерения которого предназначена та или иная схема, оценивают интенсивность диффузного отражения. Помещая между источником света и образцом последовательно различные светофильтры, можно установить интенсивность отражения световых волн разной длины и получить представление [c.446]

Различия в приборах. Измерение количества отраженного данным материалом света зависит от оптической схемы используемого прибора. Существуют различные схемы устройства приборов для измерения диффузного отражения , что является причиной значительного расхождения результатов, полученных на разных приборах Международный светотехнический комитет рекомендует освещать образец под углом 45° и проводить наблюдение по нормали к его поверхности или освещать образец по нормали и наблюдать его под углом 45° (рис. 12.15), хотя для большинства [c.388]

Рис. 1 7. Схема приставки для съе.мкн спектров диффузного отражения ПДО-1

Рис. 118. Схема приставки для съемки спектров диффузного отражения

Для получения спектров диффузного отражения может использоваться также приставка, схема которой приве- [c.300]

Принципиальная схема прибора для измерения спектров диффузного отражения представлена на рис. 3, а. Пучок света, выходящий из щели СФ-4 (5), отражается алюминированным зеркалом 6, помещенным в кюветное отделение 7, и падает на исследуемый или стандартный образец 8. Образцы, помещенные на специальном держателе 9, рукоятка которого выведе- [c.65]

На основе анализа имеющихся в литературе данных по электрическим свойствам сплавов 5гп5е—и ЕиЗе—ЬаЗе предложены схемы энергетических зон указанных веществ. Приведены спектры поглощения пленок Еи5, ЕиЗе и его сплавов с ЕаЗе, полученных термическим испарением в вакууме, а также спектры диффузного отражения порошков Еи5 и ЕиЗе. На основе оптических исследований предложены схемы электронных переходов, ответственных за установленное поглощение света в приведенных полупроводниковых соединениях. [c.366]

На рис. 6-2,6 показана схема теплопередачи в печи с нагревателем с нарушенной сплошностью, например с ленточным зигзагообразным или проволочным спиральным. В такой печи изделие и футеровка видят друг друга через просветы между зигзагами или спиралями нагревателя и между ними существует непосредственный теплообмен. Следовательно, здесь уже нельзя говорить о независимом теплообмене между нагревателем и изделием, с одной стороны, и нагревателем и футеровкой — с другой, в теплообмене участвуют три тела нагреватель, изделие и футеровка. Не вся лучистая энергия, поглощенная изделием, попадает к нему непосредственно от нагревателя, часть ее предварительно падает на футеровку и, лишь отразившись от последней, доходит до изделия. А так как участвующие в теплообмене тела являются серыми телами, то картина теплопередачи еще более усложняется многократным диффузным отражением лучистых потоков. Кроме того, лишенный сплошности нагреватель нельзя рассматривать как сплошное, невогнутое тело, приходится учитывать взаимоэкранирование частей нагревателя и экранирование ими непосредственного теплообмена между изделиями и футеровкой. [c.197]

Если образец представляет собой монокристалл, то в результате дифракции рентгеновских лучей на кристаллической решетке на помещенной за образцом фотопленке (так, чтобы плоскость ее была перпендикулярна направлению падающего луча) появляется система пятен — точечных рефлексов, соответствующих отражениям от разных систем плоскостей (точечная рентгенограмма). При использовании монохроматического рентгеновского излучения (X = onst) для получения отражения от всех плоскостей монокристалла, образец вращают внутри полостй, образованной фотопленкой, свернутой в цилиндр. Если образец состоит из беспорядочно ориентированных кристалликов, то на плоской пленке, расположенной за образцом, получается система кольцевых рефлексов, порошковая рентгенограмма, или рентгенограмма Дебая — Шерера. При рассеянии рентгеновских лучей аморфным веществом, т. е. в отсутствие дальнего порядка, возникают широкие диффузные кольца (аморфные гало). Положение рефлексов дает возможность, используя уравнение (26), рассчитать межплоскостные расстояния для главных систем плоскостей в кристалле. Кроме того, существует специальная система приемов, позволяющая определить тип кристаллографической решетки и параметры элементарной ячейки. Однако часто рентгенограммы содержат недостаточную для этого информацию, и тогда при их расшифровке решают обратную задачу — выясняют, удовлетворяет ли дифракционная картина некоторой заданной структуре решетки. Интенсивность рефлексов различного порядка позволяет судить о расположении атомов и групп атомов в узлах кристаллографической решетки. Ширина каждого рефлекса А9 определяется степенью отклонения условий рассеяния от идеальных. Эти отклонения могут быть связаны со схемой прибора, некогерентностью излучения и т. д. Их можно учесть с помощью системы специальных попра-вок Более существенным, особенно для полимерных кристаллов, является уширение рефлекса вследствие ограниченных размеров отдельных кристаллов D и иска жений кристаллографической решетки, вносимых ра ного рода дефектами. При использовании рентгеновск лучей, для которых 0,5 — 2,5 А заметное увеличение [c.59]

Схема измерительного устройства показана на рис. 1У.З. Измерительную и сравнительную ячейки освещают одной и той же лампой ( ). На граничной поверхности между жидкостью (2) и поверхностью призмы часть светового потока (б) отражается. Эту часть не используют для измерения. Другая часть светового потока проходит через слой жидкости и диффузно рассеивается от задней стальной пластины (4), граничащей с обеими ячейками и служащей в качестве теплообменника. Эта часть светового потока попадает через оптическую систему на отдельные для каждой ячейки фотосопротивления (7). Если меняется показатель преломления жидкости, протекающей через измерительную ячейку, по сравнению с жидкостью в ячейке сравнения, то возникает разность освещенности между обеими отраженными частями светового потока от измерительной и сравнительной ячеек. В этом случае регистртруют разность значений сопротивлений обоих фотосопротивлений. Объемы обеих ячеек между призмой (9) и стальной пластинкой (ограниченные тефлоновой маской 5) могут быть очень малы ( 5 мкл). [c.67]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология