Декорирование кристаллических поверхностей

Декорирование кристаллической поверхности. ... [c.8]

ДЕКОРИРОВАНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОВЕРХНОСТИ [c.349]

Для доказательства микрогетерогенности, существующей в стеклах, используется электронномикроскопический метод, в особенности способ декорирования золотом поверхностей скола стекол (14.2). По расположению и распределению кристалликов золота, образующихся на поверхности стекла, можно сделать заключение о наличии кристаллических и аморфных зон. [c.202]

Особым видом декорирования кристаллических поверхностен является адсорбция коллоидов. Грани кристалла по-разному адсорбируют коллоиды из окружающей среды. По взаимодействию коллоидов с различными поверхностями кристалла можно сделать важные выводы об определенных свойствах поверхности. Таким образом можно охарактеризовать электрическую и реальную структуру поверхности некоторых кристаллов. Особенно подробно были исследованы силикатные слоистые структуры (каолинит и слюда). [c.356]

Для декорирования поверхности ионных кристаллов используют благородные металлы. Однако даже при повышенных температурах 300—400°С эти металлы обладают слабо выраженной селективностью по отношению к различным активным центрам. Кроме того, не исключена возможность осаждения частиц на бездефектные участки поверхности. Более подходящими для декорирования являются вещества с кристаллической решеткой низкой симметрии, сильными анизотропными свойствами. Такими качествами обладает висмут. Использование висмута снижает температуру декорирования до 80—110°С, создает возможность выявления активных [c.160]

Вакуумное декорирование — выявление элементов микрорельефа поверхности атомного масштаба и дефектов кристаллической решетки в результате выделения на них частиц металлов после напыления в вакууме. [c.288]

В современных исследованиях подложки с чистыми поверхностями изготовляются скалыванием монокристаллов в вакуумной камере, где предполагают проводить процесс наращивания второй фазы. Для определения рельефа сколотых поверхностей и изучения начальной стадии образования зародышей было предложено проводить скалывание и процесс вакуумного напыления непосредственно в камерах электронных микроскопов. Такие исследования показали, что зародыши новой фазы образуются либо на плоскостях с высокими индексами, содержащими многочисленные ступеньки, либо вблизи несовершенств кристаллической решетки. Это дает возможность наблюдать микрогеометрию поверхности (метод декорирования позволяет различать ступеньки атомного масштаба). Ввиду того, что число зародышей, осажденных на ступенях скола, значительно больше числа зародышей, осажденных на плоских участках поверхности, с помощью декорирования можно выявлять рельеф поверхности (рис. 5.12). [c.266]

Нарушения периодичности структуры обнаруживаются при непосредственном наблюдении поверхности кристалла с помощью ионного микропроектора. Для этих целей широко используются методы избирательного травления и декорирования. Хеннинг [54], например, наблюдал нерегулярности кристаллической поверхности графита по распределению на ней частичек золота. Последние наносятся на поверхность графита термораспылением и формируются в виде агрегатов, центрами которых являются нарушения структуры. [c.27]

Установлено, что поверхность щелочно-галоген-ных кристаллов в большей мере стимулирует кристаллизацию полимеров, чем любой другой нуклеант и кристаллическая поверхность собственно полимера. Этот эффект авторы работ [105, 106] связывают с полем даль-нодействующих сил и пытаются количественно его оценить [105]. В работах Дистлера [107—109], а также Дарлинга [110] по декорированию через аморфные прослойки экспериментально обнаружен дальнодействующий характер поверхностных сил. Важно подчеркнуть, что для эпитаксиальной кристаллизации полимеров совершенно не обязательна близость кристаллических параметров решетки подложки и полимера. Эпитаксиальные эффекты являются следствием ориентирующего влияния расположенных в определенной последовательности ионов подложки, а также следствием влияния поверхностных дислокаций. Эпитаксиальная кристаллизация полимеров происходит и на полимерных подложках — например, на одноосно вытянутых пленках кристаллических полимеров [111]. В работе [112] сделан вывод, что необходимым условием эпитаксиальной кристаллизации одного полимера на поверхности другого является наличие аналогии в двух параметрах кристаллографической решетки — двумерное подобие, а в [111] считают, что важно соотношение поверхностных натяжений нуклеан-та и кристаллизующегося полимера. В настоящее время вопросам эпитаксиальной кристаллизации полимеров на кристаллических подложках посвящено много работ [105, 113—116]. [c.96]

С помощью специальных методов электронно-микроскопических исследований (декорирования) удалось показать, что ориентирующее и зародышеобразующее действие подложки проявляется не по всей поверхности, а локализовано в активных центрах, которыми в случае кристаллических подложек являются места выхода дислокаций, центры вакансий, границы блоков, структурные дефекты. Дефекты обладают избыточной свободной энергией, и на них происходят поверхностные реакции. В результате структура граничных слоев, формирующихся на этих поверхностях, оказывается измененной. Так, кристаллизация полиэтилена на стекле сопровождается развитием обычной сферолитной структуры, в то время как на свежем сколе кристалла КаС1 возникает [379] двухосная текстура игольчатых кристаллов [379], расположенных под углом 82° друг к другу (рис. 111.33, см. вклейку). Аналогичные результаты получены в работе [359]. Полистирольный латекс на поверхности слюды образует равномерные небольшие скопления, а на угольной пленке возникаюг крупные агломераты [357] (рис. 111.34, см. вклейку). Дальнодействие проявляющихся в этих случаях сил оказывается весьма значительным, оно достигает иногда несколько сот и даже тысяч ангстремов [378—381]. Было установлено [221], что структурноактивные добавки, т. е. вещества, в присутствии которых преобразуется надмолекулярная структура полимеров, способны к химическому взаимодействию с макромолекулами. Так, в частности, с помощью ИК-спектров удалось наблюдать взаимодействие хлоридов меди и цинка с полиамидами, точнее, с модельным веществом форманилидом. Изменения в ИК-спектрах свидетельствовали об участии групп С= О и КН форманилида в образовании хелатных комплексов с добавками. Хлорид свинца в этих [c.141]

Чтобы исследовать тонкую структуру поверхностей кристалла и детали атомных размеров недостаточно прямого электронномикроскопического метода. При помощи декорирования, которое осуществляют напылением в глубоком вакууме на исследуемые грани кристалла, можно получить информацию об элементарной структуре поверхности. Основная задача этого метода состоит в том, чтобы напылить вещество на поверхность кристалла в таком количестве, при котором образуется не сплошная кристаллическая пленка, а субмикроскопиче-сие кристаллики ( островки ). Во время процесса напы- [c.349]

В области ядра дислокации кристаллическая решетка заметно деформирована. В окрестностях краевых дислокаций имеются как сжатые, так и растянутые области решетки. В растянутые места стремятся переместиться внедренные в межузлиях атомы. Атомы примесей могут при этом образовать целые облака или атмосферы Котрелла , которые в случае перемещения дислокации (например, при пластической дефор-, мации) следуют за ней как хвост. На этом, в частности, основан один из прямых методов наблюдения дислокаций — метод декорирования , заключающийся в том, что примеси, диффундируя в кристалл, селективно конденсируются на дислокационных линиях. Другой метод — травления — позволяет выявить выход дислокации на поверхность кристалла. Для этого необходимо использовать какой-нибудь травитель, который бы селективно воздействовал на ядро дислокации, создавая ямки Б местах ее выхода. Оба метода существенно дополняют друг друга. [c.92]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология