Метод кристаллического поля

Метод кристаллического поля приложим к тем переходам, которые локализованы в основном у центрального иона, и согласие между теорией и экспериментом оказывается во многих случаях замечательным, особенно в отношении энергий переходов. [c.275]

Расчеты по методу кристаллического поля [72] показали, что ни й — р-,ня (I — /-смешение не может объяснить происхождения оптической активности однако учет тригонального расщепления энергетических уровней приводит к появлению результирующей вращательной силы. Во всех теоретических моделях оптической активности при увеличении параметров тригонального расщепления (обозначаемых далее К) оптическая активность возрастает. [c.180]

Проанализируем теперь предсказания о возможном знаке градиента электрического поля в ферроцене на основе разных представлений о строении этой молекулы. В соответствии с расчетами по методу кристаллического поля, проведенными с использованием эллипсоидального потенциала для иона Ре " в предположении, что на каждом циклопентадиенильном кольце имеется отрицательный точечный заряд, равный единице, основное состояние комплекса должно иметь конфигурацию й% (1ху, Для градиента электрического поля, обусловленного шестью -электронами, можно записать следующее выражение [c.284]

ТЕОРИЯ ЭПР В рамках метода КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПОЛЯ [c.341]

Доказательство неадекватности метода кристаллического поля [c.374]

Метод кристаллического поля неадекватен не только при вычислении -фактора аналогичные трудности возникают и при вычислении дипольной части сверхтонкого взаимодействия с ядром металла. Дипольные вклады в константы сверхтонкого расщепления оказываются меньше вычисленных по величине (г > для свободного иона. В рамках метода кристаллического поля нельзя объяснить и наличие сверхтонкой структуры от ядер лигандов, которая наблюдалась для комплексов, содержащих ядра F, С1, и Н. [c.376]

Недостаток метода кристаллического поля заключается прежде всего в том, что этот метод не учитывает должным образом электроны лигандов . Этот недостаток естественно устраняется в методе молекулярных орбиталей (МО), в котором орбиталь отдельного электрона рассматривается как линейная комбинация атомных орбиталей (ЛКАО) различных атомов . В качестве примера рассмотрим простую трехэлектронную систему атом металла с одним -электроном связан с одним атомом лиганда, имеющим на внешней орбитали два электрона. Из двух атомных орбиталей можно построить две молекулярные орбитали [c.376]

Метод кристаллического поля не столько недостаточно полно учитывает электроны лигандов, сколько пренебрегает возможностью обобществления электронов центрального иона и лигандов.— Прим. перев. [c.376]

Таким образом, видно, что методы валентных связей и кристаллического поля приводят к качественному объяснению реакционной способности октаэдрических комплексов переходных металлов. Однако при этом метод кристаллического поля более удовлетворителен, так как дает по крайней мере частичное объяснение относительной скорости реакций в ряду комплексов, которые в противном случае просто относятся к лабильным или инертным. Тем не менее, нужно подчеркнуть, что метод кристаллического поля здесь является слишком упрощенным, так как предпвлагает идеальную геометрию различных многогранников и игнорирует такие факторы, как отталкивание лиганд—лиганд. [c.299]

В рамках метода кристаллического поля величина -фактора определяется следующим выражением [c.409]

Метод кристаллического поля [c.298]

Оценка расщепления -уровня переходного металла на 2 подуровня, сделанная методом кристаллического поля в работе [21], дала значения 0,9 эв для СоО и 0,7 для NiO. Последний результат, возможно, занижен лучше согласуется с экспериментальными данными число (1,1 эв), полученное Йоргенсеном [22]. [c.52]

Энергия связи определялась калориметрическим методом и по данным десорбции. Рассмотрение энергий стабилизации комплексов металла в поле лигандов с применением МО или метода кристаллического поля приводит к росту энергии связи от V к 7п с с промежуточным максимумом на Ре [3]. [c.120]

Метод кристаллического поля неадекватен также при вычислении дипольпой части сверхтонкого взаимодействия с ядром металла. Экспериментальные дипольные вклады в константы сверхтонкого взаимодействия меньше вычисленных по величине <г ) для свободного иона. В рамках ТКП нельзя объяснить наличие ДСТС от ядер лигандов, которая наблюдается в комплексах, содержащих ядра Р, Ч 1, - С и Н. [c.310]

Теоретическая Н. х. Этот раздел Н. х. рассматривает вопросы хим. связи в неорг. в-вах, структуры в-в, их св-ва и реакц. способность. Основными в Н. х. являются периодич. закон, закон постоянства состава в-в и др. Однако ключевой проблемой сейчас является природа хим. связи. В неорг. в-вах встречаются все виды хим. связи - ковалентная, ионная и металлическая. Теория хим. связи, в частности, рассматривает вопросы природы связи, ее энергии, длишл, полярности. Наиб, распространение получили молекулярных орбиталей методы, наряду с е-рыми используют валентных связей метод, кристаллического поля теорию и др. Для Н.х. особенно актуально приложение методов мол. орбиталей к твердым телам. [c.212]

На следующем этапе расчета методом возмущений определяется степень расщепления уровней, а также сдвиг нерасщеп-ленных термов. Общий подход при количественном решении задач методом кристаллического поля был описан в разд. 6.8. Остается лишь описать наиболее удобный способ представления оператора возмущения (ограничимся случаями, когда можно [c.274]

Плоские квадратные комплексы также можно рассматривать спомощью методов кристаллического поля или поля лигандов [91, 97], но теория включает более одного параметра и требует более подробного рассмотрения, чем это можно сделать в настоящей главе. Этот вопрос рассмотрен в работах [6, 134]. [c.233]

В табл. 18 приведены параметры спнн-гампльтониана некоторых комплексов, центральный ион которых имеет конфигурацию d . Если кристаллическое поле обладает октаэдрической симметрией, то основное состояние вырождено и состоит из двух орбитальных состояний, не связанных спин-орбитальным взаимодействием. Можно ожидать, что для этого состояния искажение, обусловленное эффектом Яна — Теллера, будет большим, и ЭПР можно наблюдать при температурах, значительно более высоких, чем температура жидкого гелия. При симметрии кристаллического поля, близкой к октаэдрической, ЭПР иона Си -+ наблюдается, хотя линия поглощения широкая. Еслн же искажение кристаллического поля значительное, то линии ЭПР узкие даже при комнатной температуре. Так как тригональное искажение не может снять вырождения основного состояния, то искажение должно быть тетрагональным или ромбическим. При тетрагональной симметрии искажение может сводиться к удлинению связей вдоль оси z. При этом основным состоянием становится состояние с неспаренным электроном на орбитали (ху) и в рамках метода кристаллического поля компоненты -тензора определяются равенствами [c.427]