Ток в ячейке определяющие факторы

Плотность тока, перенапряжение, материалы электродов и диафрагм в процессе электролиза воды. Плотность тока, протекающего через ячейку, определяет скорость выделения водорода на единицу поверхности электрода и, таким образом, является важным фактором в определении удельной стоимости оборудования для данной скорости получения водорода. И эффективность, и удельная стоимость могут меняться при простом изменении эксплуатационных параметров ячейки. Таким образом, имеется ряд характеристик— действующее напряжение (эффективность), скорость выделения водорода (ток) и капиталовложения, которые зависят от индивидуальной вольт-амперной характеристики данного типа электролизера. [c.299]

Интенсивность брэгговского отражения определяется относительными положениями и рассеивающей способностью атомов в элементарной ячейке. Для упругого рассеяния вклад отдельных атомов может быть учтен при помощи сложения векторов. Атом j приведет к образованию волны с амплитудой которая носит название фактора атомного рассеяния, и фазовым углом по отношению к атому, помещенному в центр координат элементарной ячейки. Фактор атомного рассеяния /, который служит мерой оценки рассеивающей способности атома относительно такой способности индивидуального электрона, помещенного вместо данного атома, определяется вьфажением [c.396]

Во втором случае, когда плотность тока на электродах в большой и малой ячейках одинакова, падение напряжения в электролите большой ячейки будет значительно больше, чем падение напряжения на границе фаз электрод—раствор, а в малой — наоборот. Причина этого заключается в том, что поляризация электродов при одинаковой плотности тока одинакова в обеих ячейках, а сопротивление электролита в большой ячейке будет много больше, чем в малой из-за значительно большого межэлектродного расстояния. Таким образом, приведенные выше соотношения сохраняются и картина остается такой же. Следовательно, при одинаковом напряжении на электродах, так же как при одинаковой плотности тока на них, распределение тока в большой и малой ячейках определяется различными факторами. Поэтому нельзя переносить результаты исследования распределения тока с малой ячейки на большую без до.полге тельных условий. Эти условия следующие [c.412]

Рассмотрим позицию а в какой-нибудь примитивной ячейке, например находящейся в начале координат. Все операции совмещения пространственной группы, которые оставляют ее инвариантной или ставят ей в соответствие конгруэнтную позицию в другой ячейке, образуют подгруппу З е данной пространственной группы. Группа З е может быть разложена на комплексы относительно инвариантной подгруппы трансляций. Таким образом, мы определяем фактор-группу Же , которая является подгруппой фактор-группы е1 - Группа 36е 3 и группа позиционной симметрии изоморфны. Мы можем пока ограничиться рассмотрением представительных операций комплексов. Представительные операции фактор-группы не включенные в группу позиционной симметрии, осуществляют перенос данной позиции в гомологическую ей. Такие гомологические позиции характеризуются одной и той же позиционной симметрией при переходе от одной позиции к другой может меняться только ориентация в пространстве их элементов симметрии. В ячейке число позиций, обладающих данной симметрией, не может быть любым. В самом деле, мы можем разложить фактор-группу порядка д на комплексы по отнощению к группе порядка к и при этом каждому комплексу будет соответствовать некоторая позиция следовательно, имеется //г = п гомологических позиций и позиционные группы гомологических положений изоморфны. [c.122]

Существование большой группы интерметаллических соединений разнообразного качественного и количественного состава, но сходных по физико-химической природе, обусловлено преимущественным влиянием фактора электронной концентрации. Все эти фазы обладают металлическим характером и кристаллизуются в структурах трех типов р-латуни (ОЦК), -латуни (сложная кубическая структура с 52 атомами в ячейке) и е-латуни (ГПУ). Тип кристаллической структуры определяется не свойствами взаимодействующих компонентов, а так называемой формальной электронной концентрацией (ФЭК), т. е. отношением общего числа валентных электронов (соответствующих номеру группы) к числу взаимодействующих атомов в формульной единице. Эти фазы называются электронными соединениями Юм-Розери. Впервые они были обнаружены в системе Си—2п, и в 1926 г. Юм-Розери выявил закономерности образования подобных фаз. Обычно электронные соединения образуются в системах, содержащих, с одной стороны, [c.385]

Закон постоянных соотношений в химическом соединении свидетельствует о необходимости насыщения ковалентных связей небольшого числа атомов или валентностей небольшого числа ионов в соответствии с формулой молекулы. Когда же образуется кристалл, то насыщение связей между огромным числом атомов не является единственным фактором, определяющим устойчивость кристаллического образования. В полярных или в ковалентных кристаллах основной структурной единицей является не молекула, а элементарная ячейка. Состав элементарной ячейки, определяется в первую очередь условиями упаковки атомов и уравновешивания зарядов, а кристаллическая структура соединения — геометрическими и электростатическими факторами. В ковалентных кристаллах требования насыщения валентностей и их пространственного распределения жестки, и состав кристалла должен соответствовать стехиометрической формуле. Известно, однако, что образования в кристаллах вакансий и межузельных атомов являются процессами эндотермическими, и, следовательно, при всех конечных температурах концентрация таких дефектов должна иметь конечное значение. Это показывает, что в кристаллах довольно легко осуществляется перераспределение межатомных связей, обеспечивающее локальное, а значит, и суммарное отклонение от стехиометрии. [c.194]

Симметрия элементарной ячейки определяется следующими факторами [c.77]

Симметрия элементарной ячейки определяется следующими факторами а) метрикой элементарной ячейки (т. е. осевыми отрезками а, 6, с и углами [c.115]

Удобно расписать структурный фактор элементарной ячейки (8) подробно, выразив его через положения каждого атома и соответствующие атомные рассеивающие факторы. Используя уравнения (13.27) для молекулярного структурного фактора, воспользуемся системой координат, связанной с векторами а, Ь и с. Положение у-го атома в элементарной ячейке определяется тогда выражением [c.344]

Рассматриваемый метод позволяет исследовать и другие процессы, обладающие скоростями, в 10 и 10 раз большими, чем скорость процессов, изучаемых компенсационным методом снятия г—ф-кривых. Уже отмечалось, что при прохождении тока переменного направления через электрод фазы между током и напряжением сдвигаю тся, следовательно, полное сопротивление электрохимической ячейки переменному току (импеданс) можно рассматривать как сумму активных и реактивных составляющих. Величина этих составляющих, а также соотношение между ними определяются свойствами исследуемого электрода и процессами, которые с различной скоростью протекают на границе фаз при прохождении тока. Измеряя раздельно омическое Рх и емкостное Сх сопротивления электрода, включенные последовательно, и исследуя их зависимость от различных факторов, можно судить о кинетических параметрах реакций. Достаточно хорошие результаты здесь могут быть получены в случае применения электродов с гладкой поверхностью (ртуть и т. п.), так как в противном случае наблюдается некоторая зависимость двойного слоя [c.318]

Методы электрохимического анализа, рассмотренные в предыдущих главах, имеют, по меньшей мере, одну общую черту, во всех случаях электрохимическая система находится в состоянии равновесия или близком к нему. Если через межфазную границу электрод/раствор электролита протекает ток, то электрохимическая система не будет находиться в состоянии равновесия. В этом случае между величиной тока, протекающего через электрод, и его потенциалом существует взаимосвязь, которая определяется концентрацией электроактивного вещества, природой электролита, материалом электрода, конструкцией электрохимической ячейки и другими факторами. [c.262]

Испарившись в потоке газа-носителя, образец находится в условиях, близких к условиям вакуумной перегонки. Сильным разведением в инертном газе достигается его эффективная защита от дальнейшего повреждения. Выбор газа-носителя определяется используемым детектором (см. ниже), а также и другими факторами, которые следует принимать во внимание. Газ-носитель переносит испарившийся образец в ячейку прибора, где происходит разделение, зависящее от различных физических и химических параметров, обсуждаемых ниже. [c.297]

Естественное решение этого противоречия — переход к рассмотрению реальной хаотической структуры частиц, в которой деформация ячеек существенно связана с перетеканием иммобилизованной воды из одних ячеек в другие через относительно узкие зазоры (см. рис. 57, в, г). Следуя этой схеме, полагаем, что сдвиг Е вызывает изменение объема ячеек в среднем на величину и соответственно влечет перетекание через зазоры между ячейками объемов воды V = 3/ е, где р — фактор (порядка нескольких единиц), учитывающий, что в хаотической неправильной структуре частиц микропроцесс перетекания охватывает несколько соседних элементарных объемов. Если течение происходит в зазоре толщиной а, шириной Ь и длиной с (рис. 48), то средняя скорость в потоке составляет = Р 1аЫ. Распределение скорости в потоке определяется при этом, как известно, параболическим законом [c.241]

В случае применения высокочастотных токов электрохимические процессы на электродах не протекают и зависимость между силой тока и напряжением определяется электрохимическими свойствами всей химической системы, заключенной между электродами. Возникающие в ходе титрования химические изменения влияют на диэлектрическую проницаемость и удельную электропроводность раствора, определяя величину полной проводимости ячейки. Полная проводимость является суммой активной и реактивной проводимостей. Основным фактором, определяющим активную проводимость, является перемещение ионов, вызываемое градиентом потенциала в растворе. Реактивная проводимость определяется поляризацией атомов молекулы (поляризация смещения) и упорядочением расположения дипольных молекул (поляризация ориентации) под влиянием внешнего электрического поля. [c.173]

В ОДНИХ местах и меньшей в других. Как и любую периодическую функцию, это распределение можно представить в виде суммы синусов и косинусов (ряд Фурье), и коэффициенты при членах этого ряда оказываются равными отдельным структурным факторам, поделенным на объем элементарной ячейки. Используя предварительный набор структурных факторов, можно вычислить, таким образом, электронную плотность р(х, у, г) в зависимости от положения в кристалле. Эти вычисления довольно трудоемки, и часто предпочитают, особенно на первых стадиях структурного исследования, рассчитывать двумерные синтезы Фурье, дающие р(х, у) и т. д. Величины р(х, у) представляются в виде контурных карт, изображающих проекции электронной плотности на выбранную плоскость кристалла. Если какие-либо молекулы расположены более или менее параллельно рассматриваемой плоскости, то из проекции довольно точно можно определить положение атомов таких молекул. Положения атомов, выведенные таким путем из нескольких проекций электронной плотности, могут использоваться теперь для получения лучшего соответствия с наблюдаемыми интенсивностями, и затем строятся новые синтезы Фурье. Несколько повторений такой операции приводят, наконец, к наилучшему возможному набору параметров для исследуемой структуры. Карта электронной плотности приведена в приложении на рис. 17. [c.315]

Газонаполнение электролита определяется соотношением скоростей двух процессов образования газовых пузырьков в электролите, заполняющем ячейку, и отвода и отделения их от электролита. Величина газонаполнения электролитов при электролизе водных растворов щелочей, хлоридов щелочных металлов и некоторых других электролитов, зависимость газонаполнения от различных факторов и влияние газонаполнения на величину сопротивления электролита изучались многими авторами Установлено, что газонаполнение электролитов возрастает с увеличением плотности тока, высоты электродов, вязкости электролита и уменьшением расстояния между электродами, т. е. с уменьшением объема электролита в ячейке. [c.52]

Реакция также зависит от положения термистора в ячейке (для ячейки диффузионного типа она медленнее, чем для прямоточного), от теплопроводности газа-носителя и от разницы температур между шариком и газом. При одном и том же изменении температуры реакция термистора будет в пять раз быстрее в гелии, чем в азоте отношение поверхности термистора к массе также влияет на постоянную времени термистора, приблизительно так же, как оно влияет на константу рассеяния. Приближенно можно сказать, что термисторы с высоким значением константы рассеяния имеют высокие значения постоянной времени. Следовательно, для получения максимально быстрой реакции должны применяться термисторы малого размера с требуемым сопротивлением. Постоянные времени термисторов колеблются в пределах от 0,1 до 10 сек в зависимости от факторов, перечисленных выше. Как отмечалось в гл. IX, постоянную времени термистора можно определить экспериментально. [c.230]

Предыдущий раздел был посвящен геометрическим условиям дифракции на решетке было показано, что кристаллическая решетка, пли элементарная ячейка, определяет, прн какой орпеи-тацпп возможна дифракция. Картина, наблюдаемая в разрешенных для дифракции точках (илп направлепнях), помимо других факторов, зависит от природы и расположения рассеивающих центров (атомов, ядер, электронов или других частиц) в элементарной ячейке. Для наших целей достаточно отметить, что ип-тенсивпость, наблюдаемая при любом измерении, может принимать любые значения от нуля (точно нуля или слишком малых величин, чтобы их можно было измерить) до относительно больших величин. [c.23]

Огромное значение симметрии для предсказания спектров кристаллов обсуждалось рядом автором [44, 54, 102], в частности Уинстоном и Халфордом [108]. Они рассматривают различные математические группы, составленные из операций симметрии кристалла. Пространственной группой является группа всех операций симметрии, включая трансляции паЛ, щ Ь, ПсС) вдоль осей элементарной ячейки. Набор этих трансляций сам образует группу, называемую группой трансляций. Показано, что пространственная группа является произведением группы трансляций и группы, называемой фактор-группой (которая представляет собой набор всех смежных классов группы трансляций). Фактор-группа изоморфна одной из 32 точечных групп, возможных в кристаллах, но в дополнение к чисто точечным операциям может включать и операции, соответствующие винтовым осям или плоскостям скольжения. Фактор-группу часто называют группой элементарной ячейки. Элементарная ячейка определяется как наименьший объем кристалла, который даст всю решетку кристалла, когда на него подействуют элементы группы трансляций (этот объем меньше, чем элементарная кристаллографическая ячейка, в том случае, когда последняя центрирована). [c.583]

Согласно сказанному в предыдущем параграфе в этом случае можно пренебречь концентрационным перенапряжением. Ток, идущий через ячейку, определяется совокупностью чисто электрических факторов (электропроводность раствора, геометрическая форма электродов и их взаимное расположение в ячейке) и химических факторов (зависимость химического перенапряжения от плотности тока). Поскольку задача о нахождении распределения тока в растворе служиФ примером задачи о прохождении постоянного тока через систему с распределенными постоянными, для определения тока следует найти распределение потенциала в растворе. Потенциал в растворе удовлетворяет уравнению Лапласа [c.265]

Если структура завершена, то карта АР в любой области элементарной ячейки не имеет пиков или провалов. Если даже положения всех атомов определены, часто обнаруживают, что вокруг атомов, чьи электронные плотности нельзя хорошо согласовать с моделью стационарного атома, возникают странной формы области положительной и отрицательной плотностей. Теперь мы подошли к моменту, требующему введения концепции температурного фактора. Этот фактор отвечает за колебания молекул, вследствие чего атомы следует рассматривать, исходя из их усредненных по времени положений. Атомы можно рассматривать как колеблющиеся либо изотропно (в сферически симметричной форме), либо анизотропно (в форме эллипсоида). Различие состоит в том, что в первом случае для описания движения необходим только один параметр, а во втором случае — шесть. Смысл математического подхода заключается в простой корректировке фактора рассеяния на тепловое движение исходя из того, что размазывание электронной плотности вызывает более быстрое чем обычно уменьшение / в зависимости от 81п0Д. Для изотропного и анизотропного случаев соответственно можно записать [c.401]

Задача о теплопередаче от неподвижного диска в системе двух дисков в настоящее время не решена. В связи с этим температура поверхности рабочего электрода определялась с помощью эмпирических уравнений, полученных методом математического планирования эксперимента. За выходной параметр принималась температура поверхности металла, определяемая с помощью зачеканенной в образец хромель-копелевой термопары, а факторами были частота вращения верхнего диска, температура раствора в ячейке и плотность теплового потока (при теплоотдаче от раствора к металлу - температура хладагента). [c.176]

Морфология образующихся частиц зависит от целого ряда факторов, но наиболее важным является соотношение скоростей их зарожд ения и роста, которые в свою очередь в значительной степени зависят от пересыщения системы. Окончательный размер частиц определяется числом центров кристаллизации и скоростью осаждения вещества. Умеренно растворимые вещества, например карбонаты, обычно осаждаются в виде очень мелких частиц. При медленном, регулируемом росте умеренно растворимых солей можно получать монодисиерсные осадки. При высоких степенях пересыщения первичный критический центр кристаллизации может быть меньше размера элементарной ячейки решетки и начинает расти, не имея упорядоченной кристаллической структуры. Таким путем можно получать аморфные или частично кристаллизованные осадки [И]. При низких степенях пересыщения образуется хорошо сформированный кристаллический осадок, причем форма частиц зависит от структуры кристалла и от процессов, преобладающих на поверхности раздела фаз в ходе роста. На морфологию осадка сильно влияет скорость роста кристаллов. При низких скоростях образуются компактные кристаллы, форма которых соответствует кристаллической структуре. Ионы в растворе вблизи поверхности раздела кристалл — жидкость играют важную роль в модификации формы кристалла. При высоких степенях пересыщения нередко образуются объемистые осадки с дендритными частицами. При еще больших уровнях пересыщения получаются очень мелкие частицы, способные к агломерации или образованию золей. [c.19]

С увеличенпем кратности пены (отношение объема пены к объему жидкости, пошедшей на ее образование) возрастает роль структурно-механического фактора в ее устойчивости. До кратности пены 10—20 пузырьки ее имеют обычно сферическую форму, так как они разделены достаточно толстыми прослойками жидкостн. С ростом кратности пены ее структура переходит в ячеистую, или сотообразную, в которой каждая ячейка представляет собой многогранник. Кратность таких пен доходит до нескольких десятков и даже сотен. Пузырьки газа в них разделены тончайшими пленками жидкости, образующими каркас, прочность которого определяется свойствами пенообразователя и его концентрацией. [c.350]

Наряду с указанными примерами полного или преобладающего контроля скорости коррозии каким-либо одним фактором встречаются случаи смешанного контроля. Этим и определяется необходимость точной оценки степени контроля каждого фактора для харак теристики работы коррозионного эле мента. На практике такие определени могут быть проведены на модели кор розионного элемента с электродами ма кроскопических размеров. Электриче ская схема установки для этой работь приведена на рис. 140. Основная часть установки — коррозионный элемент, состоящий из двух электродов, помещенных в ячейку. Электроды изготовлены из различных металлов (если преследуется цель моделирования процессов структурной коррозии гетерофазного сплава) они могут состоять также из одного и того же материала, но тогда различаться должна либо подготовка поверхности электродов, либо состав среды. Оба электрода коррозионной пары последовательно замкнуты на переменное сопротивление R и токоизмеряющий прибор (микро- или миллиамперметр). В процессе работы коррозионном пары потенциалы электродов измеряют с помощью потенциометра или же регистрируют на автоматическом электронном самописце. [c.254]

Существование большой группы интерметаллических соединений разнообразного качественного и количественного состава, но сходных по физико-химической природе, обусловлено влиянием фактора электронной концентрации. Все эти фазы обладают металлическим характером и кристаллизуются в структурах трех типов / -латуни (ОЦК), 7-латуни (сложная кубическая струк гура с 52 атомами в элементарной ячейке) и е-латуни (ГПУ). Тип кристаллической структуры опре-д( ляется не свойствами взаимодействующих компонентов, а так называемой формальной электронной концентрацией (ФЭК), т.е. отношением общего числа валентных электронов (соответствующих номеру группы) к числу взаимодействующих атомов в формульной единице. Эти фазы называются электронными соединениями Юм-Розери. Обычно электронные соединения образуются в системах, содержащих, с одной стороны, элементы 1В- и УП1В-групп, а с другой — металлы ПВ-, П1А-И 1УА-групп. Эти соединения не подчиняются классическим прави.лам валентности, и их состав определяется лишь формальной электронной концентрацией. Трем видам электронных соединений соответствует определенная формальная электронная концентрация. Так, для ОЦК-структуры /3-латуни ФЭК = = 21/14 = 3/2 (числитель — общее число валентных электронов, знаменатель — число атомов в формульной единице соединения). Сложная структура 7-латуни определяется величиной ФЭК, равной 21/13, а структуре е-латуни (ГПУ) отвечает ФЭК = 21/12 = 7/4. Примеры типичных электронных соединений в различных системах приведены в табл. 20. Обращает на себя внимание существенно различный состав соединений Юм-Розери, кристаллизующихся в одинаковом [c.219]

Разберемся подробнее в том, почему кристаллическая структура обычных бинарных солей определяется относительными размерами катиона и аниона. Решающим фактором, оказывающим влияние на число ближайщих соседей каждого иона, является геометрия их расположения. Рассмотрим, например, кристаллическую структуру типа СзС1 (изображенную на рис. 10.15), в которой каждый ион С5 окружен восемью ионами С1 . Подсчитаем критическую величину отношения радиусов катиона и аниона ( катип / янипн) при которой еще может осуществляться такая структура. Если анионы соприкасаются друг с другом и имеют радиус а, то длина ребра элементарной ячейки тако- [c.177]

Уравнение 11.2-8 можно рассматривать как некое суммарное представление так называемой фазовой проблемы рентгеноструктурного анализа, а именно того факта, что фазовые углы фш и, следовательно, структурные факторы Fhki недьзя измерить напрямую. Если бы это было возможным, то опредеде-ние кристаллических структур представляло бы собой тривиальную процедуру, требующую лишь суммирования Фурье по выбранным узлам координатной сетки (xyz) в элементарной ячейке. Как обсуждалось вьпие, ведичины факторов атомного рассеяния / зависят от среднего распределения электронной плотности в кристаллической решетке для вовлеченных атомов. Функция электронной плотности p(xyz) в кристалле, следовательно, определяется обратным фурье-преобразованием (ур. 11.2-9) структурного фактора [c.400]

Кейли и Хьюм 27], рассматривая факторы, связанные с проблемой измерения температурных изменений, проверили, что может дать подключение маленькой электронагревательной спирали для подвода известного количества тепла в титровальную ячейку с раствором. Они установили, что повышение температуры в зависимости от времени при этом получается линейным, если нет тепловых потерь в окружающую среду. Однако типичные кривые зависимости температуры от времени,получаемые при обычных нормальных экспериментальных условиях, постоянно имеют закругление из-за тепловых потерь. Можно, правда, определить величину теплоемкости системы по первоначальному линейному наклону [c.133]

Практически любое фазовое превращение в твердом теле сопровождается перестройкой кристаллической решетки и соответствующим изменением формы и размеров ее элементарной ячейки. Поэтому сопряжение фаз с различными кристаллическими решетками долншо предусматривать взаимную аккомодацию этих решеток. Аккомодация может происходить за счет упругих смещений атомов из своих положений равновесия, а также за счет не-упругйх смещений, связанных с разрывами сплошности материала, обусловленными дислокациями несоответствия и вакансиями, конденсирующимися на границах. Однако только упругие смещения атомов являются источником внутренних напряжений. Величина последних определяется двумя факторами — несовпадением кристаллических решеток обеих фаз в плоскости сопряжения и способом сопряжения фаз, определяющим механизм компенсации этого несовпадення. [c.194]

Ранее [2] нами бьисо показано, что для измерения полуширины линии успешно могут испол1.зоваться методы малых добавок и двойного частотного резонанса. Сущность этих методов заключается в том, что при последовательном введении в ячейку ряда малых порций исследуемого компонента фиксируются соответствующие изменения пиковой интенсивности и полуширины линии поглощения. Это позволяет определить величину фактора уширения Кц и, следовательно, используя зависимости (4) и (5), вычислить диаметры соударений молекул Ъц. [c.36]

Функции, полученные из уравнения с помощью операций фактор-группы, являются функциями подобного же вида, принадлежащими разным местам элементарной ячейки, заданным одним из значений индекса . Линейные комбинации уравнения (19) и его преобразований могут быть составлены так, чтобы они принадлежали представлениям фактор-группы. Пример будет приведен ниже . Даже если вектор к не равен нулю, может, однако, случиться, что он инвариантен по отношению к определенным операциям фактор-группы. Эти операции образуют подгруппу фактор-группы, названную Бокартом и др. [5] группой волнового вектора. Из функций [уравнение (19)], принадлежащих к-му представлению группы трансляций, тоже могут быть составлены такие комбинации, которые обладают свойствами представлений группы волнового вектора. В качестве примера для простого кристалла нафталина и антрацена (Р21/й) уже было показано, что для к = О волновые функции кристалла преобразуются подобно представлениям фактор-группы. Сг/г, приведенным в табл. 1. Существуют два занятых места, пронумерованных 1 и 2, и /2 молекул в каждом наборе молекул, связанных трансляцией. Из операций фактор-группы, приведенных в табл. 1, как вращение, так и отражение переводят набор 1 в набор 2 и наоборот. Инверсия переводит каждый набор сам в себя, а представления фактор-группы должны иметь те же самые характеры ( или и), что и волновые функции молекулы. Прежде чем рассматривать другие операции, следует найти соотношение между системами координат молекул в этих двух местах. Это делается следующим образом. Предположим, что прямоугольная правовинтовая система осей совмещена с осями симметрии молекулы в месте 1 элементарной ячейки при выбранном произвольно положительном направлении. Тогда расположение осей для молекулы в месте 2 будет определяться преобразованием исходных осей с помощью операций 0/1. Теперь преобразование функции при помощи каждой операции симметрии фактор-группы фиксировано, а следовательно. [c.521]