Травление У гол краевой

Из исследования адсорбции на поверхности кислотоупорного покрытия методом краевых углов смачивания видно, что ПАВ для эмульсионного травления адсорбируется на эмали кислотоупорных покрытий. Обработка поверхности в эмульсии повышает краевой угол смачивания по сравнению с углом на пластине, обработанной в водном растворе ПАВ, более, чем на 100° С. Столь сильная гидрофобизация поверхности эмали при контакте ее с эмульсией дает возможность полагать, что в данном случае на поверхности копировального слоя образуются адсорбционные пленки ПАВ — углеводород, подобные адсорбционным полимолекулярным [c.126]

Второй метод оценки поверхности сводится к измерению количества поверхностного окисла, образовавшегося на кристаллах [2]. Дегазирование в высоком вакууме при 950° С высвобождает поверхностные окислы в виде окиси и двуокиси углерода, которые измеряются затем как двуокись углерода. Установлено, что чешуйчатый графит образует около 8- Ю молекул окисла на атом углерода. Предварительная обработка графита травлением в пламени или хлором увеличивает количество выделяющегося окисла в два или более раз. Эти результаты позволяют предположить, что либо шероховатость субмикроскопической поверхности края кристалла увеличивает площадь примерно в десять раз, либо поверхностные окислы образуются на всех поверхностях, включая атомы плоскости слоя решетки, либо поверхностный окисел на краевых атомах является многослойным [3]. Первое из этих трех предположений [c.340]

При контакте с ненасыщенным раствором амфитеатр будет углубляться. На рис. 22 видны ямки травления, образованные на поверхности кристалла сахарозы. У больших ямок можно отчетливо видеть спиральную форму они, вероятно, образовались в местах выхода винтовых дислокаций с большими значениями вектора Бюргерса. Мелкие ямки могли возникнуть или на винтовых дислокациях с малыми значениями вектора Бюргерса, или на краевых дислокациях, или же, что менее вероятно, в результате образования зародышевого островка на совершенной поверхности далеко от выходов дислокаций (см., например, конец раздела V, 1, Д, где приведены опыты Сирса [61]). Большие ямки травления на поверхности кристаллов сахарозы часто образуют ряды (рис. 23). Эти ямки возникают при неравновесных условиях ненасыщенности, и поэтому их форма зависит от скорости отхода спиральной ступени и кинетики испарения или растворения в различных кристаллографических направлениях. [c.390]

После полировки поверхности золота окисью алюминия краевой угол составляет 34—56° и не изменяется даже после протравки этой поверхности царской водкой. С помощью дифракции электронов показано, что поверхность золота имеет следы АЬОз, которые не удаляются при травлении [c.185]

Схема формирования фигур травления на последовательных этапах (I—V) движения краевой дислокации Вид сбоку (а) и сверху (б) [c.351]

Плоскостей скольжения 110 имеется 12, а на грань куба (100) выходит шесть таких плоскостей две нормально к грани, а четыре, пересекающиеся друг с другом, — под углом 45°. Скопления дислокаций в этих плоскостях скольжения выявляются в виде рядов фигур травления, образующих звезду. Длинные, параллельные < 100> лучи этой звезды отвечают скоплениям краевых дислокаций, короткие, диагональные — винтовым дислокациям. Форма и ориентировка звезды не зависят ни от формы, ни от ориентировки вдавливавшейся пирамиды, а только от ориентировки плоскостей скольжения в кристалле. Длина лучей звезды фигур травления — характерный параметр вещества, по которому можно судить о подвижности дислокаций, а следовательно, и о пластичности кристалла. Если кристалл упрочнен введенной в него при росте примесью или если в нем под действием облучения возникли радиационные точечные дефекты, то при той же нагрузке образуется звезда с более короткими лучами. Это значит, что примесные [c.352]

Подсчет ямок травления вдоль малоугловой межзеренной границы. Как уже отмечалось, малоугловую наклонную границу, подобную показанной на фиг. 1,10, можно рассматривать как ряд параллельных краевых дислокаций одного знака. Расстояние между дислокациями О связано с углом поворота 0 одной части кристалла относительно другой и вектором Бюргерса уравнением [c.45]

Смачиваемость поверхности определенными жидкостями сильно зависит от ее шероховатости (действительная площадь поверхности/теоретическая площадь поверхности). Поверхности с микроскопической шероховатостью иногда смачиваются легче благодаря изменениям краевого угла [12]. Достаточно хорошо полированная поверхность нержавеющей стали характеризуется шероховатостью 1,4, а стеклянная поверхность, полированная в пламени, — около 1. Понимая, что травленая стеклянная поверхность должна иметь иную смачиваемость, некоторые исследователи изучали способы предварительной обработки поверхности с применением таких реагентов, как соляная кислота (обычно в форме сухого пара), раствор гидроокиси натрия или плавиковая кислота, причем иногда при повышенных температурах. Один из наиболее эффективных способов обработки описали [c.35]

Поверхностные дефекты. Как правило, кристаллы состоят из отдельных маленьких блоков, несколько различающихся пространственной ориентировкой. Границу между ними можно представить как ряд параллельных краевых дислокаций ( стенку из дислокаций) (рис. 59). Такое блочное, или мозаичное, строение кристаллов обнаруживается теми же методами, какие используются для выявления дислокаций. При обработке поверхности тра-вителями вдоль границ блоков образуется цепочка ямок травления. При декорировании ряды параллельных цепочек, образованных выпавшей примесью вдоль границ, идущих от одной поверхности кристалла до другой, -можно наблюдать, меняя фокусировку микроскопа [50] (на рис. 56 им соответствуют наиболее яркие полосы). [c.128]

Свинец, который покрыт естественной (образовавшейся на воздухе при комнатной температуре) окисной пленкой, не смачивается ртутью краевой угол достигает 140° и уже при небольшом наклоне капля ртути скатывается с образца. Чтобы обеспечить смачивание, нужно повредить окисную пленку механически или же полностью удалить ее химическим травлением. При этом достаточно обеспечить непосредственный контакт ртути со свинцом на очень малой площади. Далее, несмотря на наличие окисной пленки на всей остальной поверхности свинца, ртуть постепенно распространяется от места начального контакта, образуя вокруг капли хорошо различимое матовое пятно с резкой границей. Если после окончания роста пятна растворить окисную пленку свинца, то матовый оттенок пятна исчезнет, а вместо него появится характерный для ртути зеркальный блеск. Этот опыт показывает, что под окисной пленкой свинца растекается фазовый слой ртути, причем по мере растекания происходит отслаивание (отделение) окисной пленки от свинца. Аналогичное растекание ртути наблюдается также при локальном повреждении окисной пленки индия, галлия, олова, висмута и некоторых других металлов [138]. [c.141]

Кристаллам слоистой структуры, обладающим политипией, присуще образование винтовых дислокаций, возникаюгцих при обходе препятствия растущими слоями, которые не смыкаются точно. Краевые дислокации в слюде образуются в результате перекрытия незаверщенных слоев. Дислокации часто декорированы скоплениями закрытых расслоений типа газовых пузырьков. Изучение дислокационного строения кристаллов фторфлогопита может быть проведено с помощью травления и электронной микроскопии. [c.45]

Бетге и Келлер [9—11] применили этот метод для изучения процессов испарения с поверхности кристаллов Na l. Поскольку испарение происходит в первую очередь с дефектных мест, то на поверхности образуются характерные фигуры термического травления. В местах выхода на по верхность краевых дислокаций наблюдаются кольцевые ступеньки, а около винтовых — спиральные (рис. 4). В этом состоит преимущество метода перед химическим травлением, которое не различает винтовые дислокации от краевых. [c.290]

В этом разделе мы подходим к проблеме, которая, вероятно, станет одной из наиболее важных из всех приложений дислокационной теории в химии. Теоретически вероятно, что каждая дислокационная линия представляет путь, вдоль которого диффузия происходит быстрее, чем через недислоцированную кристаллическую решетку. Для этого есть несколько причин. Одна, которая не может быть применена к самодиффузии, обусловлена просто повышенной концентрацией на дислокациях. Вторая обусловлена отрицательным давлением на одной стороне дислокации, имеющей краевую компоненту. Эти два эффекта действуют в противоположных направлениях для растворенных атомов, которые сжимают решетку, и в одном направлении для атомов, которые расширяют ее. Третья возможная причина состоит в том, что атомные перегруппировки могут происходить более часто в местах относительно беспорядочного расположения атомов возле ядра дислокации. Четвертая обусловлена тем, что вакансии, подобно растворенным атомам, могут присутствовать в повышенной концентрации вблизи дислокации. Непосредственная демонстрация диффузии по индивидуальным дислокациям требует довольно трудных экспериментов в микроскопическом масштабе, но Тэрнбулу и Гофману [19] уже удалось показать, что повышенное проникновение радиоактивного серебра имеет место вдоль границы с дезориентацией в 9°, которая должна состоять из дискретных дислокационных линий. Некоторые менее прямые доказательства, полученные Форти и Фрэнком, упоминаются ниже, в разделе Дислокации и травление . [c.27]

Olio справедливо только для таких малоугловых границ, которые построены из чисто краевых или винтовых дислокаций. Для смешанных дислокаций соотношение (10.16) должно быть соответственно модифицировано. Выражение (10.16) можно проверить экспериментальным определением расстояния D. Расстояние между дислокациями можно узнать, например, с помощью травления поверхности с малоугловой границей зерен, так как при определенных условиях имеется соответствие между точками выхода дислокаций и фигурами травления (см. 15.2.3). [c.229]

В области ядра дислокации кристаллическая решетка заметно деформирована. В окрестностях краевых дислокаций имеются как сжатые, так и растянутые области решетки. В растянутые места стремятся переместиться внедренные в межузлиях атомы. Атомы примесей могут при этом образовать целые облака или атмосферы Котрелла , которые в случае перемещения дислокации (например, при пластической дефор-, мации) следуют за ней как хвост. На этом, в частности, основан один из прямых методов наблюдения дислокаций — метод декорирования , заключающийся в том, что примеси, диффундируя в кристалл, селективно конденсируются на дислокационных линиях. Другой метод — травления — позволяет выявить выход дислокации на поверхность кристалла. Для этого необходимо использовать какой-нибудь травитель, который бы селективно воздействовал на ядро дислокации, создавая ямки Б местах ее выхода. Оба метода существенно дополняют друг друга. [c.92]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология