Структура кристаллов слоистая

Кристаллы льда не обладают слоистой структурой, подобной, например, структуре кристаллов слюды. Применение понятия слоя к кристаллам льда носит более условный характер. [c.10]

Низкая твердость свойственна минералам, в состав которых входит кристаллизационная вода или гидроксильная группа (ОН) . В таких минералах появляется водородная связь, обладающая очень низкой энергией. По всем параметрам подобные минералы приобретают аномальные свойства (например, вода). Структура кристаллов слоистая или близкая к ней, отличается пониженной плотностью упаковки атомов, в связи с чем соединения, содержащие водород, обладают низкими плотностью и прочностью. Они легко разрушаются при нагревании, хорошо растворяются, имеют пониженную твердость и низкие показатели преломления. [c.109]

Структура кристаллов соединений Э (II) весьма сложна. Так, SnO и красный РЬО имеют слоистую решетку (рис. 178), образованную тетрагональными пирамидами (зонтиками) ЭО4 с локализованной электронной парой при атоме Э [c.430]

На рис. 15.1 показаны различные виды изотерм (кривые 1—4). Одной из наиболее типичных является 5-образная (рис. 15.1, кривая 2) диэлектрическая изотерма, полученная для ряда органических и неорганических сорбентов. Эта изотерма состоит из трех участков А, В, С. Согласно слоистой модели, молекулы первого слоя (участок А) обладают сравнительно малой ориентационной способностью в электрическом поле вследствие их сорбции на наиболее активных центрах. Такими центрами являются функциональные группы, способные образовывать водородные связи, дефекты структуры кристалла, координационно ненасыщенные атомы [647]. Молекулы второго слоя более подвижны и дают больший вклад в ориентационную поляризацию сорбата, что выражается в более высоких значениях й /йа (участок В). Однако при достаточно больших величинах сорбции с развитием сетки водородных связей происходит цементация сорбата, его структура становится более жесткой. [c.243]

Уравнение (60.8) —закон 7-кубов Дебая —подтверждается опытными данными для твердых веществ с объемной решеткой и широко используется в термодинамике. Для кристаллов слоистой структуры (типа слюды) при низких температурах справедливо соотношение (Тарасов) [c.202]

В зависимости от особенностей упаковки цепных молекул различают лиотропные и термотропные полимерные жидкие кристаллы [53]. Лиотропное жидкокристаллическое состояние наиболее характерно для жесткоцепных полимеров, способных к весьма специфическому фазовому расслоению. Жидкие кристаллы этого типа обычно представляют собой двух- или трехкомпонентные системы, различающиеся по типу структур на слоистые, стержневидные и кубические. В термотропном жидкокристаллическом состоянии обычно находятся линейные блок-сополимеры и гребнеобразные полимеры. Их термодинамически устойчивое мезоморфное анизотропное состояние занимает промежуточное положение по отношению к твердой и жидкой фазам. [c.30]

Обычные формы всех трех элементов характеризуются однотипной слоистой структурой кристаллов (рис. 1Х-53). Каждый атом связан с тремя другими того же слоя [с = 2,5 (Ав ), 3,90 (8Ь), 3,10 А (В1У] и имеет трех ближайших соседей в другом слое = 3,33,(Аз), 3,36 (8Ь), 3,47 А (В )]. Как видно из приведенных цифр, различие ядерных расстояний при переходе по ряду Аз—5Ь—В1 последовательно уменьшается (0,83—0,46—0,37), т. е. происходит некоторое приближение к характерному для типичных металлов равенству ядерных расстояний от каждого данного атома до всех его соседей. Вместе с тем относительная (Не = 1) электропроводность элементов по ряду Аз (2,7) — (2,5) — В1 (0,8) не только не возрастает, но даже уменьшается. Повышение давления влияет на электросопротивление всех трех элементов очень различно (рис. 1Х-54). Сурьма способна образовывать смешанные кристаллы и с Аз,-и с В1, но последние не образуют их друг с другом. В жидком состоянии элементы подгруппы мышьяка смешиваются при любых соотношениях. [c.467]

Механизм роста кристаллов фторфлогопита. Механизм роста определяется как порядок отложения кристаллизуемого вещества на гранях. Его отражают морфология поверхности и формы роста кристаллов. Для кристаллов слоистой структуры характерен слоевой механизм роста. [c.41]

Если молекулы адсорбата многоатомны, как это обычно бывает, необходимо суммировать энергии взаимодействия с поверхностью всех атомов молекулы. Значения Гу в уравнении (П. 7) для конкретного адсорбента с известной кристаллической решеткой могут быть выражены через расстояние г между центром адсорбированной одноатомной молекулы (или атома) и математической плоскостью, на которой лежат центры атомов адсорбента, образующих его поверхность. Для слоистой структуры кристалла это расстояние 2 представляет собой сумму половины расстояния между слоями и радиуса адсорбированной молекулы. Значения констант с , и Сд могут быть получены при помощи приближенного квантовохимического расчета [63, 64] [c.36]

Армирующие наполнители воспринимают осн. долю нагрузки К. м. По структуре наполнителя К. м. подразделяют на волокнистые (армированы волокнами и нитевидными кристаллами), слоистые (армированы пленками, пластинками, слоистыми наполнителями), дисперсноармированные, или дисперсноупрочненные (с наполнителем в виде тонкодисперсных частиц). Матрица в К.м. обеспечивает монолитность материала, передачу и распределение напряжения в наполнителе, определяет тепло-, влаго-, огне- и хим. стойкость. По природе матричного материала различают полимерные, металлич., углеродные, керамич. и др. композиты. Подробнее о ф-ции матрицы и армирующего наполнителя, а также о технологии получения волокнистых полимерных К. м. см. Армированные пластики. [c.443]

Другой возможный источник ошибок заключается в действии электронного пучка на объект. Изменение структуры пленки после электронной бомбардировки отмечено, например, для хлористого натрия [19]. Пленки германия, напыленные на коллодиевую подложку при комнатной температуре, являются аморфными [20, 21]. При нагревании их электронным пучком до 250—500° образуются кристаллы размером 100—200 A, которые в слоях толщиной 300—400 A и более при резком нагревании вследствие собирательной рекристаллизации превращаются в крупные кристаллы слоистого строения [21 ]. Дифракционные исследования показали, что слоистые кристаллы представляют собой двойниковые образования. [c.214]

Зависимость твердости от ретикулярной плотности сеток видна на кристаллах алмаза (рис. 38). Чем выше значение ретикулярной плотности плоской сетки, тем выше значение твердости на ней. Твердость определяется плотностью упаковки атомов в структуре кристаллов она возрастает с уменьшением радиуса действия атомов, увеличивается с возрастанием их валентности, координационного числа и, как правило, увеличивается в кристаллах компактной структуры. Минералы, обладающие слоистой структурой, имеют низкую твердость. Твердость довольно низкая у минералов ленточной структуры. В полиморфных модификациях одного и того же химического соединения твердость повышается с увеличением плотности и с уменьшением энтропии. Жесткая и прочная решетка кристаллов обусловливает высокую твердость и резко ограничивает возможности для беспорядка в расположении атомов и перемещения их в кристаллическом пространстве. [c.73]

В кристаллах средней категории преобладают ленточные или слоистые структуры. Минералы слоистой структуры имеют индивиды плохой огранки. Это большей частью листочки или пластинки с характерным тетрагональным или гексагональным очертанием. [c.274]

Химические реакции протекают также при использовании твердых смазок, например при взаимодействии МоЗг или графита с металлами. МоЗг и графит кристаллизуются в гексагональной слоистой решетке с преимуще- ственным скольжением параллельно плоскости базиса. Нельзя, однако, считать, что уменьшение коэффициента трения связано только с влиянием структуры кристалла следует принимать во внимание также химические свойства кристалла и окружающей его газовой атмосферы. Эти факторы обусловливают различное поведение графита и МоЗг. [c.462]

Кристаллические структуры некоторых простых окислов перечислены в табл. 17, в которой приведены типы структур и координационные числа атомов, входящих в состав данного окисла в порядке М 0. Структуры расположены в соответствии с типо.м комплекса в кристалле. Сначала перечислены ионные трехмерные комплексы, представленные структурами флюорита, рутила и др. с высокими координационными числами ионов металла. Затем идут структуры цинковой обманки, вюрцита и др., в которых атом металла обладает тетраэдрической или более низкой координацией, после чего следуют слоистые и цепочные структуры. Наконец, приведены окислы, содержащие отдельные молекулы, в состав которых входят наиболее электроотрицательные элементы. Изменения в типе структуры могут быть связаны вообще с изменением типа связей—от чисто ионных структур через слоистые и цепочные структуры к чисто ковалентным молекулярным окислам. Эти изменения можно показать на структурах двуокисей элементов четвертой периодической группы. Для каждого соединения в таблице приведены координационные числа для М и О и тип структуры. Начиная от молекулярной СОд, мы переходим через структуры силикатов с ионно-ковалентными связями к преимущественно ионным структурам двуокисей более тяжелых металлов. [c.359]

Величина 7 сравнительно велика главным образом за счет больших значений термоэлектродвижущей силы исследован ) ных образцов. Последнее обстоятельство, по-видимому, обусловлено слоистой структурой кристаллов (см. рис. 1—3), что приводит к возникновению термобатарей внутри каждой ветви термоэлементов. [c.308]

Для 2г(804)2 4Н2О с помощью ИК-спектров установлено существование двух типов связанной с анионом воды с энергией связи 8,5 и 5,6 ккал/ связь, с другой стороны, согласно данным рентгеноструктурного анализа также предполагается существование водородной связи двух типов лежащей в плоскости одного слоя (структура кристалла — слоистая) и имеющей длину 2,685 А и другой, связывающей близлежащие слои структуры и имеющей длину 2,029 А. [18]. Из сказанного следует, что данные, полученные с помощью обоих методов, не только не противоречат друг другу, но и согласуются между собой. [c.276]

При переходе вещества в твердое состояние молекулы независимо от конфигурации их остова и размеров могут служить нульмерными структурными единицами в молекулярных кристаллах, включая кристаллы соединений включения, обладающих структурой островного, цепочечного, слоистого и каркасного типа. Как мы уже видели, молекулы трехмерного строения, вроде Р458, неоцен-тана С (СНз) 4 или адамантана — симметричного трициклодекана С10Н16, в строении соответствующих молекулярных кристаллов играют роль точечных, нульмерных структурных единиц. Длинные цепочечные молекулы, например углеводорода —СшНза или полиэтилена, в соответствующих молекулярных кристаллах обычно складываются во вторичные структурные единицы, такие как слои в структуре кристаллов нормальных парафинов. [c.90]

На рис. 5 для сравнения приведены элементарные ячейки молекулярных структур иода (а) и диоксида углерода (б). Их важнейшей особенностью в отличие от предыдущих типов кристаллов является то, что в узлах кристаллической решетки находятся не атомы, а молекулы. При этом расстояния между атомами в молекуле меньше, чем межмолекулярные расстояния в кристалле. В них атомы связаны в молекулы прочными ковалентными связями, а между молекулами действуют слабые силы Ван-дер-Ваальса (см. 1 гл. V). Это значит, что структуры иода и диоксида углерода являются гетеродесмичными. К рассмотренным выше так называемым островным молекулярным структурам (Тг и СО2) относится абсолютное большинство органических соединений. Однако некоторые неорганические вещества, не имеющие молекулярной структуры (цепочечные, слоистые, каркасные), также гетеродесмичны, так как внутри цепей, слоев и каркасов межатомные связи ковалентные, а между цепями, слоями и каркасами функционируют силы Ван-дер-Ваальса. [c.15]

Метод изображения кристаллических структзф шарами разных размеров 141 7. Геометрические пределы устойчивости структзф с различными координационными числами 141 8. Поляризация ионов 144 9. Зависимость размеров атомов и ионов от координационных чисел. Структурный тип перовскита 145 10. Слоистые структуры 146 11. Влияние поляризации на структуру кристаллов 148 12. Факторы, определяющие структуру кристаллов (правило Гольдшмидта) 148 [c.397]

Кристаллам слоистой структуры, обладающим политипией, присуще образование винтовых дислокаций, возникаюгцих при обходе препятствия растущими слоями, которые не смыкаются точно. Краевые дислокации в слюде образуются в результате перекрытия незаверщенных слоев. Дислокации часто декорированы скоплениями закрытых расслоений типа газовых пузырьков. Изучение дислокационного строения кристаллов фторфлогопита может быть проведено с помощью травления и электронной микроскопии. [c.45]

Из рентгеноструктурных исследований формиата висмута следует, что он имеет слоистую структуру полимерного характера, а координационное число висмута в данном соединении равно 9. В кристаллической структуре В1(НСОО)з каждый атом висмута связан с тремя атомами кислорода, а расстояния Bi-O расположены в трех интервалах 2,34—2,40, 2,49—2,56 и 2,75—2,79 A. Координационный полиэдр висмута можно представить как слегка искаженный октаэдр. Через атомы С формиатных фупп октаэдры BiOe соединяются друг с другом, образуя бесконечные слои [В1(НСОО)з] . Структура содержит три независимые формиат-ные фуппы, расстояния С-0 в которых находятся в пределах 1,19—1,28 и 1,27—1,32 A, а углы О СО" изменяются в пределах 115—125°. Проекция структуры кристаллов В1(НСОО)з вдоль оси [c.185]

Теперь предположение о слоистой структуре кристалла может быть сформулировано в виде количественною соотношения, устанавливаюш,его иерархию сил межатомного взаимодействия [c.102]

В работах [24, 32, 36] рассмотрены структуры зон слоистых соединений — GaS и GaSe. В основу расчета структуры зон положена двухмерная модель зон одного четырехкратного слоя типа S—Ga—Ga—S. При этом использованы известные экспериментальные данные оптических, фотоэлектрических, магнетоонтических и других свойств рассматриваемых кристаллов. Валентная зона, а также минимум зоны проводимости носят двухмерный характер. Первая зона Бриллюэна этих кристаллов имеет вид тонкой гексагональной пластинки (рис. 7). В GaS минимум зоны проводимости и максимум валентной зоны не совпадают. Минимальное значение энергии соответствует непрямому переходу. Энергии междузонных переходов Е GaS имеют следующие значения [36] (в зв) [c.41]

Смотреть страницы где упоминается термин Структура кристаллов слоистая: [c.152] [c.203] [c.330] [c.446] [c.140] [c.284] [c.138] [c.109] [c.284] [c.446] [c.229] [c.310] [c.221] [c.664] [c.542] [c.234] [c.360] [c.128] [c.167] [c.326]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология