Световое излучение плазмы разряд

Важный фактор смешения — фотохимическое воздействие светового излучения плазмы разряда, так как большая доля излучения лежит в ультрафиолетовой зоне спектра. [c.86]

Протекание электрического разряда в жидкости вызывает сложный комплекс явлений ионизацию и разложение молекул в плазме канала и возле него, световое излучение канала разряда, ударные волны, интенсивное ультразвуковое излучение, пульсацию газового пузыря, кавитационные процессы, импульсные магнитные поля [141—143]. [c.84]

Искра. В качестве источника света широко используется конденсированный искровой разряд между металлическими электродами [12, 10.15, 10.19]. Простейшая схема получения такого разряда показана на рис. 10.13, в. Ток от повышающего трансформатора Т заряжает емкость С (0,01—0,1 мкф) до напряжения 5—10 кв. При некотором напряжении происходит пробой искрового промежутка I. Его длина обычно составляет 1—5 мм. В контуре С — Ь — I возникает колебательный разряд, энергия которого постепенно рассеивается в виде светового излучения разрядного промежутка, электромагнитного излучения и тепловых потерь в разрядном контуре и плазме. [c.269]

Отсутствие самопоглощения линий при небольших мощностях разряда объясняется тем, что вследствие скин-эффекта, заключающегося в тенденции плазмы концентрировать высокочастотное поле вблизи поверхности лампы, в излучении принимает участие узкий слой, прилегающий к стенкам лампы, толщиной 1,6 мм [23]. Это предположение подтверждается визуальными наблюдениями структуры разряда в лампах. При небольших мощностях разряда видны две различные по окраске зоны внешняя зона, с характерным излучением резонансных линий металла, и внутреннее ядро, окраска которого соответствует свечению инертного газа. Световой поток лампы обусловлен излучением поверхностного слоя, обращенного к наблюдателю. Излучение же слоя, находящегося с обратной стороны лампы, при прохождении через центральную, несветящуюся часть лампы полностью поглощается. [c.95]

Поглощающей средой, вообще говоря, может служить полученный любым способом нагретый газ или низкотемпературная плазма пламя электрический разряд (дуга, искра, ВЧ-разряд, тлеющий разряд) факел, полученный при воздействии светового импульса лазера на исследуемый объект, и т. п. Способы получения поглощающих сред описаны в работе [7] и других цитированных пособиях по атомно-абсорбционному анализу. Здесь мы остановимся только на свойствах и способах получения поглощающих сред, наиболее часто используемых в аналитической практике. Сформулируем прежде всего основные требования, которым должны удовлетворять свойства таких поглощающих сред с точки зрения теории. Очевидно, температура плазмы должна быть достаточно высокой для обеспечения возможно более полной диссоциации соединений определяемых элементов, но не достигать значений, соответствующих появлению интенсивного излучения аналитических резонансных линий, чтобы избежать помех от собственного свечения плазмы. Не менее важна стабильность свойств поглощающего слоя — основное условие высокой воспроизводимости измерений. [c.47]

Например в ходе количественного эмиссионного спектрального определения с конечной фотографической регистрацией спектра осуществляются следующие основные процессы и операции а) испарение и перенос пробы из канала угольного электрода в плазму разряда б) возбуждение атомов элементов в плазме и излучение характеристических спектральных линий элементов в) отбор определенной доли светового потока из общего потока, излучаемого плазмой, с помощью дозирующей щели спектрографа г) пространственное разложение полихроматического излучения на соответствующие характеристические частоты (развертка спектра) с помощью призмы илн дифракционной решетки д) фотохимическое взаимодействие светочувствительного материала с квантами электромагнитного излучения (образование скрытого изображения спектра на фотопластинке или фотопленке) е) химические реакции восстановления ионов серебра до металла и растворения галогенидов серебра в комплексующих агентах (проявление и фиксирование) ж) поглощение света спектральными линиями на фотографической пластинке при измерении плотности почернения спектральных линий определяемого элемента и фона с помощью микрофотометра а) сравнение полученных значений интенсивностей спектральных линий с илтен-сивностью соответствующих линий эталонов или стандартов и интерполяция искомого содержания элемента в пробе по градиуровочному графику. [c.42]

Энергию вводят в плазму при помогци луча лазера, сконцентрированного в какой-то точке объема, изолированного от окружаюгцей среды соответствуюгцим ограждением или без него [16]. Схема эксперимента по возбуждению оптического разряда показана на рис. 2.39. Разряд горит в фокусе или вблизи пего, если плотность потока могцности достаточно велика. В качестве источника энергии используется газовый лазер на СО2, дающий излучение в инфракрасном диапазоне электромагнитного спектра. Коэффициент поглощения светового излучения в плазме круто падает с увеличением частоты. Поэтому возбуждение оптического разряда на частотах видимого света потребовало бы мощности, превышающей мощность излучения в инфракрасном диапазоне в 10 Ч-10 раз. [c.93]

Общая схема плазменно-водородной технологии переработки гексафторида урана в металлический уран и безводный фторид водорода. Схема процесса и его аппаратурное оформление показаны в общем виде на рис. 11.24. Первая стадия заключается в восстановлении урана из гексафторида урана до элементного урана или до низших фторидов урана. Эта промежуточная цель достигается возбуждением электрического разряда в потоке смеси газообразного гексафторида урана с водородом при этом смесь гексафторида урана с водородом превращается в уран-фтор-водородную плазму, содержащую смесь атомов урана, водорода и фтора, молекулы фторидов урана (UF4, UF3, UF2, UF), фтора, водорода, положительно и отрицательно заряженные ионы и электроны. Если при этой операции температура плазмы составляет при атмосферном или близком к нему давлении 6000 К, основная часть урана содержится в виде атомов U, т.е. в газовой фазе имеет место полное восстановление урана. По выходе (и-Е-Н)-плазмы из зоны электрического разряда происходит интенсивная рекомбинация молекул фторидов урана, сопровождаемая мощным световым излучением и конденсацией нелетучих ири обычных условиях фрагментов молекул гексафторида урана тетрафторида и трифторида урана, а также элементного урана. Рекомбинация может приводить к образованию летучих фторидов иентафторида, и даже гексафторида урана. Закалка, т. е. быстрое и глубокое понижение температуры до уровня, на котором рекомбинация кинетически заторможена, понижает глубину и скорость рекомбинации, но радикально не меняет ситуацию. [c.591]

В связи с противоречивостью данных различных авторов и сложностью процессов в распадающейся плазме в последнее время была предложена аппаратура для одновременного измерения плотности ионов, метастабильных атомов и светового излучения, состоящая из масс-спектрографа и оптического спектрографа [196]. С помощью этой аппаратуры были проведены систематические исследования распада плазмы гелия [197—198] и смеси гелия и неона [199] в послесвечении тлеющего и высокочастотного разрядов при давлении от 1 до 20 мм рт. ст. В результате этих работ было показано, что излучение спектральных линий вызвано тройной рекомбинацией иона Не" ", полос — тройной рекомбинацией иона HeJ, а спад концентраций ионов обусловлен ударно-радиационной рекомбинацией. Процесс диссоциативной рекомбинации при этом обнаружен не был. Результаты работ [200—201] также подтверждают, что основным процессом при распаде гелиевой плазмы в аналогичных условиях является ударнорадиационная рекомбинация, причем результаты с точностью до коэффициента 2 совпадают с теоретическими расчетами скорости этого процесса. Кроме того, в работе [202] экспериментально показано, что в положительном столбе разряда постоянного тока при давлении 2—20 мм рт. ст. необходимо учитывать процесс Хорнбека—Молнара Не - -Не-> HeJ+e, а в [203] указывается на влияние процесса Пен-нинга, приводящего к уменьшению измеряемого коэффициента рекомбинации (до 40%) в диапазоне N,=10 —слг и Г =250—4000° К 2Ие(2 3) -> Не(115)+Не++е. [c.71]

Низкотемпературная плазма может быть использована как высокоэнталь-пийный источник энергии, источник положительных и отрицательных ионов для ионно-молекулярных реакций, мощный источник светового излучения для фотохимических реакций. Низкотемпературная плазма может генерироваться в генераторах плазмы с дугой высокой интенсивности, плазмотронах постоянного тока, переменного тока промышленной частоты, высокочастотных и сверхвысокочастотных, а также в тлеющем и коронном разрядах, установках адиабатического сжатия, ударных трубах, с помощью мощных лазеров (см. гл. 1). [c.222]