Индекс грани

Рис. 40. К определению индексов грани кристалла

Рис. 1.68. Кристаллографические индексы граней кубического и октаэдрического кристаллов

Обычно грани кристаллов описывают обратными величинами кратных отношений стандартных отрезков отсюда возникает другое название-закон рациональных индексов. На рис. 9-7 три линии, выбранные в качестве осей, могут быть также ребрами кристалла. Рассматриваемая грань ЛВС отсекает на этих осях отрезки а, Ь, с. Какая-то другая грань кристалла, нанример DE , может быть описана через эти отрезки как ajh. Ь/к, с/1. Здесь h, к, / простые целые числа или нуль. Их называют индексами Миллера. Отрезок бесконечен, если грань параллельна какой-то оси, тогда h, к или / соответственно будут равны нулю. Для ортогональных осей индексы граней куба (100), (010) и (001). Индексы грани DE на рис. 9-7 равны (231). [c.407]

Частицы, нз которых состоят кристаллы, - атомы, ионы или молекулы - располагаются в пространстве в правильном порядке, образуя кристаллическую решетку, которая состоит из элементарных ячеек, имеющих форму параллелепипедов. На законе целых чисел основана система обозначений граней кристаллов. Для каждой грани пишут набор обратных значений длин отрезков, отсекаемых ею на осях х, у и г. Эти длины характеризуют целыми относительными значениями, выраженными как отношения длин отрезков к величинам, пропорциональным периодам кристаллической решетки (периоды решетки соответствуют ребрам элементарной ячейки-параллелепипеда). Такие обозначения называют кристаллографическими индексами граней, или индексами Миллера (1829 г.). На рис. 1.68 показаны индексы Миллера для граней кубических и октаэдрических кристаллов (знак минус пишут над цифрой). [c.147]

Индексами грани (индексами Миллера) на-3 ы в а ю-т три взаимно простых числа, взятые [c.120]

Это число зависит от индекса граней, которые выходят на поверхность поликристаллического образца. [c.184]

Индексы граней и направлений [c.118]

Положение любой грани кристалла можно задать так называемыми индексами грани. Для этого выбирают какую-либо грань кристалла, пересекающую все три оси координат, например грань Af,Bg на рис. 40, и принимают отрезки, отсекаемые ею на осях, за единичные. Такую грань называют единичной. Отрезки ОА , 08 и ОС единичные. Они могут быть равными и неравными друг другу. Ими измеряют расстояния по осям х, у, г, параллельным ребрам кристалла. Если теперь взять любую грань кристалла АБС, которая отсекает на осях отрезки О А, ОВ и ОС (параметры грани), то эти отрезки, выраженные в единичных отрезках, будут относиться друг к другу как [c.120]

В местах выхода дислокаций на поверхность кристалла после травления образуются микроскопические углубления ( ямки травления ), которые легко наблюдать в микроскоп. Форма ямок зависит от ориентации кристаллографических плоскостей, подвергающихся травлению (от индексов грани). Например, на плоскостях 111 германия и кремния получаются ямки треугольные Л, на плоскостях 100) — квадратные и на плоскостях (ПО) —прямоугольные Г 1. [c.140]

Г. К. Бореоковым [178] подробно рассмотрено влияние двух структурных факторов — индекса граней и размера кристаллов — на каталитические свойства металлов. Предполагается, что причиной небольших различий в удельной каталитической активности различных граней металлических катализаторов является реконструкция поверхности металла. Отмечается, что различия в каталитических свойствах различных граней сложно применить на практике из-за трудности приготовления стабильных катализаторов с преимущественным развитием определенных граней, обладающих более высокой свободной энергией поверхности, чем у наиболее устойчивых структур. Однако возможна искусственная стабилизация каталитически активных граней путем введения добавок. Отмечается также, что основной причиной изменения удельной каталитической активности нанесенных металлических катализаторов с размером кристаллов меньше 3 нм является, по-виднмому, взаимодействие частиц металла с носителем. [c.253]

Влияние ионной бомбардировки на структуру поверхности исследовано довольно подробно [19—29]. Прежде всего при указанной обработке устраняются такие особенности микрорельефа, как царапины, выступы и углубления, так что в относительно крупном масштабе поверхность становится более гладкой. Однако в атомном масштабе явно имеются шероховатость и другие виды нарушения структуры поверхности. Поверхность ноли-кристаллнческого образца из-за неодинаковой ориентации индивидуальных кристаллов слагается из различных граней. Поскольку скорость удаления металла зависит от индекса грани, с поверхности одних кристаллитов металл распыляется быстрее, чем с других, и между соседними кристаллитами образуются ступеньки. Кроме того, по границам зерен могут появляться углубления (канавки). После бомбардировки грань кристаллита, обращенная в газовую фазу, может стать иной, чем исходная, и этот эффект усиливается при условии наклонного падения ионного пучка. Все это увеличивает шероховатость поверхности. Если шероховатость поверхности необходимо свести к минимуму, предпочтительно ионный пучок направлять по нормали к поверхности. Если бомбардировке подвергаются монокристаллы, рассмотренные источники образования шероховатости отсутствуют, но нарушение структуры поверхности все же наблюдается. Нарушение структуры поверхности, вызываемое пучками с обычно применяемой для очистки энергией, состоит в образовании микрограней (фасеток) и микрокристаллитов, а также появлении на новерхности точечных дефектов и дислокаций. Этот вид нарушения структуры поверхности наблюдается и на каждой грани поликристаллического образца. [c.126]

Выбор травителя для данного соединения и для той или иной конкретной цели иногда очень затруднителен. Кинетика травления, как других гетерогенных процессов, очень сложна (гл. I, 23), зависит от чистоты материала и реактивов, от концентрации травильных смесей, от индексов граней кристаллов, от концентрации дислокаций и других дефектов в материале, от состава травителей, от состояния и чистоты поверхности, от температуры и от освещения, поверхности, от концентрации дырок и электронов и т. д. Современная теория пока не может учесть влияния всех факторов и требует дальнейшего изучения этого сложного явления. Травление требует строгого соблюдения правил безопасной работы. [c.253]

Вещество Индекс грани 0, град [c.47]

Как было показано выше, энергия активации процесса связана с работой выхода ф. В литературе почти не имеется данных о связи ф с энергиями активации и скоростями каталитических реакций на серебре. Хейс [302] обнаружил уменьшение энергии активации разложения N50 на сплавах серебра с различными металлами, уменьшающими ф. Сосновский[303] исследовал каталитическую активность Е и разных граней монокристаллов серебра по отношению к реакции разложения муравьиной кислоты. С увеличением индекса граней (уменьшение ф) и реакции возрастают. Для процесса окисления этилена в окись этилена связь ф со скоростью реакции пс обнаружена. [c.208]

Атомный номер Элемент Индекс грани Работа выхода <р, эВ Примечание [c.314]

Адсорбент—адсорбат Индекс грани Нк1 Энергия адсорбции атома Иона) д, эВ Степень покрытия адсорбента 0 Метод определения д При.мечание [c.326]

Куммер [96] изучал окисление этилена над монокристаллами серебра. Оп нашел, что скорость реакции и отношение окиси этилена к двуокиси углерода не зависят от индекса грани кристалла. Присутствие на поверхности серебра серы или хлора уменьшает общую скорость реакции и увеличивает селективность катализатора к окиси этилена. [c.264]

Рис. 12. Форма роста кристаллов гексаметилентетрамина (а) и форма, образовавшаяся при закаливании этих кристаллов (б). Индексы граней а — (011) 6 —(001),

Работа выхода электронов ф=4,24 эВ, для монокристалла с индексом грани (0001) ф = 3,63 эВ. [c.123]

Если аттракционное взаимодействие между адсорбированными частицами достаточно велико (удобной в этом отношении является совместная адсорбция катионов тетрабутиламмония и анионов йода), а поверхность твердого электрода является кристаллографически неоднородной (на поверхность выходят кристаллиты с различными индексами граней), то на С, -кривых можно наблюдать характерное расщепление пиков адсорбции — десорбции, как это показано на рис. 1.12, в. Явление это объясняется тем, что потенциалы адсорбционных пиков на монокристаллических электродах из одного и того же металла, но и с различными кристаллографическими индексами не совпадают друг с другом (при Сорг= = onst) из-за соответствующего различия в потенциалах нулевого заряда. [c.26]

Числа 1 1 и 4 называются индексами грани, а совокупность их — символом грани, Сршвол грани записывается в круглых скобках (114), а направление, перпендикулярное к грани — в квадратных [114], Таким образом, индексы символа любой грани — числа, обратно пропорциональные отрезкам, отсекаемым этой гранью на осях, при условии, что они измерены по каждой оси отрезками, отсекаемыми единичной гранью. [c.88]

Отличительная морфологическая особенность кристаллов исследуемой фазы состоит в том, что они значительно тоньше и длиннее волокон фторрихтеритов, синтезированных в идентичных термодинамических условиях. На рис. 44, а представлен общий вид микромонокристаллов фторкупфферита. С помощью метода платиноугольных реплик удалось отчетливо наблюдать грани этих лентовидных кристаллов (рис. 44,6). Индексы граней легко установить, если в соответствии с данными рентгеновского анализа принять, что наиболее развиты грани (ПО) и (100). С помощью метода микродифракции удалось установить, что амфиболовые кристаллы волокнистой щетки , синтезированной при 900—950 °С, имеют моноклинную ячейку с пространственной группой Р 2]/т. [c.125]

При свободной электрокристаллиза-ции новые адсорбирующиеся атомы а электроосаждаемого металла могут с одинаковой степенью вероятности диффундировать в двухмерном пространстве как к зародышу К,, так и к зародышу К2, вступая в кристаллические решетки. Однако кристаллические зародыши легче всего образуются на углах и ребрах растущих кристаллов, так как на этих местах отмечается наибольшее сгущение линий электрического поля. Поэтому степень заполнения разных граней кристаллов атомами или ионами металла неодинакова, и энергия образования кристаллических зародышей, или перенапряжение электрокристаллизации является функцией индексов граней. [c.35]

Почти во всех случаях, где на одних и тех же окислах в одинаковых условиях изучалось одновременно дегидрирование и дегидратация спирта, Е дегидрирования была меньше Е дегидратации спирта [78, 347—349], а кд для дегидрирования на 1—2 порядка меньше, чем к для дегидратации. Значения к для дегидратации спиртов (10 —10 мин -м ) совпадают с вычисленными из теории абсолютных скоростей, если предположить, что активированный комплекс теряет поступательные и лишь часть вращательных степеней свободы. Вероятно, адсорбированная молекула спирта вращается вокруг связи, соединяющей ее с катализатором. При этом скорость реакции не будет зависеть от параметра решетки. Напротив, пониженные значения /с о для дегидрирования спиртов обусловлены дополнительной потерей вращательных степеней свободы в активированном комплексе, т. е. образованием двух- (или много-) точечной связи. Этот факт вполне согласуется с закономерностями подбора катализаторов, рассмотренными выше,.по которым каталитическая активность в реакции дегидрирования спиртов коррелирует с параметром решетки. Двухточечной адсорбцией спирта можно объяснить и данные Ринекера [372] о сильном влиянии индекса грани на каталитическую активность Ое в дегидрировании спиртов. Согласно этим данным, скорость реакции к изменяется на разных гранях в порядке /сюо > 110 >> 111- а энергия активации щ > юо > Е> 110- [c.112]

Хашимото и Уеда [38] наблюдали возникновение муаровых полос при прохождении электронного пучка через два тонких кристалла сульфида меди с расстоянием между плоскостями (110) (1 1,88 А. При угле поворота кристаллов одного относительно другого в сотые доли радиана авторы, в согласии с указанным выше соотношением, отметили возникновение муаро вых полос с /)я= 100 А. Помимо областей с правильной структурой, были обнаружены участки, на которых фигуры муара соответствовали наличию дислокаций в кристаллах (фото 48, а, б, в). Это была первая работа, в которой дислокации были обнаружены в результате углового смеш ения двух кристаллов одного и того же соединения. На основании искажений муаровых узоров Гудмен [39] указал на присутствие дефектов решетки в изученных им пластинчатых кристаллах нитрида бора. Анализ темнопольных снимков, полученных с ограниченных участков кристаллов, позволил автору уверенно определять индексы граней, ответственных за ноявление полос и, благодаря повышенной контрастности изображения, наблюдать серию полос, отстояш их друг от друга на 60 А. Возникновение муаровых полос для ряда кристаллов описано также в работах [40, 41]. [c.197]

Оказалось, что грани, ограничивающие реальные кристаллы, имеют небольшие миллеровскне индексы. Этим небольшим целочисленным значениям индексов граней кристаллов можно дать [c.19]

Морфологическая значимость кристаллической грани обратно пропорциональна ее ретикулярной площади 3, если решетка относится к гексаэдри-ческому виду (нецентрирована) и пространственная группа не содержит винтовых осей и плоскостей скольжения. Влияние центрирования, винтовых осей и плоскостей скольжения состоит в том, что индексы грани в выражении для 8 заменяются кратными индексами рентгеновских отражений низшего порядка, совместимыми с пространственной группой . [c.332]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология