Скорость диффузии активатора

Всасывание лекарственных веществ из мазей, как правило, значительно возрастает при наличии в их составе активаторов всасывания. Известно, что при введении лекарств через кожу, ее рогоюй слой действует как липофильный барьер, существенно ограничивающий скорость проникновения лекарственных веществ. Скорость их диффузии может быть увеличена путем изменения структуры защитного слоя (эпидермиса) кожи за счет растворения липидов или повышения растюримости (дисперсности) лекарственных веществ, что улучшает их способность диффундировать через кожу. [c.245]

Подчеркнем, что двухкомпонентные системы типа (5.2.6) допускают установление стационарных неоднородных структур при гораздо менее жестких ограничениях, чем однокомпонентные системы вида (5.1.1), где сосуществование фаз возможно лишь при выполнении условия (5.2.5). Модели такого типа широко используются при изучении явления морфогенеза, т. е. позиционной дифференциации отдельных клеток в многоклеточном организме. Предполагается, что такая дифференциация обусловлена взаимодействием между клетками, осуществляющимся посредством веществ двух типов — активаторов и ингибиторов, причем скорость диффузии ингибитора превышает скорость диффузии активатора. Устанавливающиеся стационарные неоднородные распределения этих двух веществ определяют структуру организма. Подробнее с этими вопросами можно ознакомиться в [7, 41—44]. [c.155]

Диффузия часто играет важную роль при росте кристаллов из многокомпонентных систем. Диффундирующий к растущей кристаллической грани материал может быть усвоен ею или отторгнут. Ясно, что растущая поверхность служит стоком для компонента, образующего кристалл. Она захватывает или оттесняет примесь или активатор в зависимости от того, больше или меньше единицы эффективный коэффициент распределения эфф- При выращивании из раствора или посредством химической реакции растворитель и продукты реакции, не участвующие в построении кристалла, отталкиваются поверхностью. В обоих случаях, как показано на фиг. 3.1, у поверхности раздела возникает такой градиент концентрации, что с удалением от границы раздела концентрация возрастает для вещества, усваивающегося растущим кристаллом, и убывает для отталкиваемых компонентов. Особенности распределения примеси или активатора в непосредственной близости от растущей поверхности зависят от наличия адсорбированного слоя и ряда других факторов и здесь нами не затрагиваются. Скорость диффузии опи- [c.94]

Авторы указывают также, что вследствие большой разницы в скоростях диффузии меди и марганца в сульфиде цинка получаемые обычным способом образцы имеют неравномерное распределение марганца по объему, что подтверждается неоднородностью свечения отдельных зерен ЭЛ. В связи с этим предлагается получение ЭЛ путем одновременного осаждения сульфида цинка с активаторами. [c.13]

При облучении ПВХ в присутствии О 2 характер радиационно-химических превращений вследствие окисления продуктов радиолиза изменяется. Присоединяясь к радикалам и по двойным связям, кислород препятствует реакциям сшивок макромолекул. Как следствие протекания интенсивных окислительных процессов, в полимере формируется значительное число функциональных кислородсодержащих групп, являющихся активаторами разложения ПВХ, например карбоксильные, карбонильные (полоса 1730 и гидроксильные группы, характерные для продуктов превращения соответствующих полимерных гидроперекисей. Окисление идет наиболее интенсивно, когда скорость диффузии О2 в ПВХ соизмерима со скоростью образования продуктов радиолиза, т. е. при облучении тонких пленок, порошков, а также при небольшой интенсивности излучения, причем вследствие высоко проникающей способности ионизирующих излучений реакционные процессы протекают не только на поверхности, но и в объеме полимерных частиц [c.81]

Очевидно, что изменение Ств в процессе кристаллизации должно привести к неравномерному распределению активатора в кристалле, если скорость диффузионного выравнивания концентрации меньше скорости роста кристалла, как это, действительно, в большинстве случаев имеет место. Найдем функцию, выражающую зависимость Ств от закристаллизовавшейся доли исходного объема, полагая, что в расплаве примесь распределяется равномерно, а в кристалле ее диффузией можно пренебречь [93, 29]. Пусть go — количество активатора в единице объема расплава до начала кристаллизации, а — его количество, оставшееся в жидкой фазе после того, как доля х единицы объема превратилась в кристалл. При затвердевании бесконечно тонкого слоя расплава объемом dx количество активатора в жидкой фазе уменьшается на dg, и потому концентрация его в образовавшемся слое кристалла составит [c.253]

Особенности вхождения активатора в решётку экспериментально освещены в многочисленных работах для люминофоров весьма разнообразного состава и кристаллической структуры. В хорошо известном изящном опыте по методу слоёв Вейсс [308] установил резкую разницу температуры, при которой каждый из активаторов вступает во взаимодействие с решёткой. В случае сульфида цинка диффузия меди начинается уже при 330° и ведёт к образованию нормальных люминесцентных центров в кристалле. При том же методе слоёв для марганца требуется 580—600° или 670—700° в условиях обычной термической обработки. Характерно, что близкая к марганцу температура взаимодействия с решёткой установлена для кадмия, который образует с сульфидом цинка непрерывный ряд твёрдых растворов. Реакция между тесно соприкасающимися порошками сульфидов цинка и кадмия получает заметную скорость при 650°, причём почти скачкообразно. При [c.124]

Большое число наблюдений показывает, что скорость диффузии активатора в решётку тем больше, чем больше постоянная решётки (слабее связь между узлами) и чем меньше радиус активатора. Наглядным примером служат сублимат-фосфоры Клемента [134] — активированные таллием щёлочно-галоидные соли. Зависимость скорости диффузии от размеров внедряющегося атома, подмеченная Тиде и Вейссом [294], вызвала предположение, что атом активатора по своим размерам должен быть меньше основного катиона решётки. В силу большого числа противоречий (например, Ag в ZnS) эта точка зрения была позже оставлена в пользу более широкого толкования. В действительности размеры активирующего атома не должны лишь превышать известной величины, характерной для данного трегера. Свинец и висмут, например, являются энергичными активаторами сульфидов щёлочно-земельных металлов, но совершенно неактивны в сульфидах цинка и кадмия. Параметры решётки последних слишком малы для включения обоих металлов [239]. Неспособность решётки сульфида цинка удерживать атомы свинца и висмута экспериментально доказана. Радиоактивные изотопы данных металлов (ThB и Th ) не удерживаются в решётке сульфида даже в концентрации 10 и соответственно не могут рассматриваться в ней как вероятные активаторы [227]. [c.125]

Если принять, что вследствие кинетического тормсжения электрохимических процессов скорость окисления металла нод адсорбционной пленкой влаги без анодного активатора несравнимо меньше скорости диффузии влаги через защитную пленку (т. е. не вся влага, проникающая через пленку, реализуется на кор])озионные процессы), то для достаточно большого времени (/ оо) толщина адсорбционной плен ги влагн на поверхности металла становится функцией активности воды в коррозионной среде (т. е, относительной влажности воздуха или активности воды в электролите). Другими словами, вследствие конечной величины влагопроницаемости полимерной пленки и относительно небольшой его толщины в результате диффузии влаги устанавливается адсорбционное равновесие поверхности металла с внешней средой. С этой точки зрения естественно было бы ожидать ощутимую скорость коррозии металла под защитными полимерными пленками. Однако в действительности, как показывают эксперименты, не наблюдается однозначной зависимости скорости окисления металла под пленкой от влалаюстп среды или коэффициента влагопроницаемости, так как лимитирующие стадии коррозионного процесса зависят как от внешних, т к и от внутренних факторов. [c.40]

Что касается хрома, то он, образуя иа границе раздела подложка — покрытие интерметаллидные фазы типа фаз Ла-веса КЬСгг и ТаСгг, эффективно замедляет диффузию кремния в основу. Скорость диффузии хрома из этих фаз в металлическую основу невелика [120]. Сродство хрома к кремнию меньше, чем у МЬ и Та, поэтому хром, образуя с силицидами твердые растворы, слабо диффундируют в них. По литературным данным [97, 98] высокими защитными свойствами обладает комилексное силицидное Сг—Т1—51-покрытие на КЬ, Та и их сплавах (№ 12, табл. 9). Покрытие это наносится обычно в 2 стадии вначале проводят хромтитанирование с активатором в порошковой смеси 60 Сг—40 Т1 при температуре 1200—1300° С в течение 8—16 час., а затем силицирование [122]. Па рис. 14 показана микроструктура полученного та- [c.253]

Это видно из представленных на рис. 131 данных, полученных при термической обработке малых порций шихты, загружавшихся в нагретую до температуры прокаливания кварцевую пробирку, которая была вставлена в вертикальную печь, и выгружавшихся из нее в воду или на холодную поверхность. В этих условиях скорость образования люминофора отчетливо зависит от природы активатора и соактиватора. Очевидно, она в значительной мере определяется скоростью диффузии галогенидов AgHal, СиНа1 и 2пНа12, ко- [c.300]

Все катализаторы значительно (в десятки и сотни раз) повышают скорость возникновения и протекания гомогенных стадий при этом весьма сильно сказывается активность контактов и способность их к участию в доокислении промен уточных продуктов. Так, мотанол в присутствии платины иа 55—60% мгновенно превращается только в формальдегид в момент впуска горючей смеси в сосуд длиной 16 см и диаметром 3,8 см. Доокисление же формальдегида, лимитируемое диффузией его из объема к поверхности контакта, продолжается в течение 3—5 мин. Этот факт говорит о дегидрогенизационном радикально-цепном гетерогенно-гомогенном эндотермическом механизме образования формальдегида. Кислород при этом в начальной стадии играет роль гетерогенного активатора [46]. ( пециа гьными опытами этот механизм в основном уже подтвержден. [c.374]

Концентрационное переохлаждение, естественно, не играет большой роли в чистых или почти чистых расплавах (например, при выращивании кристаллов большей части полупроводников и окислов неорганических веществ). Однако диффузия и концентрационное переохлаждение могут доставлять неприятности при высоких концентрациях активаторов (например, при производстве диодов по методу Есаки [27]) и при выращивании инкон-груэнтно плавящихся окислов неорганических материалов и других соединений, у которых максимальная температура плавления не соответствует нужной стехиометрии и у которых кристалл и расплав сильно различаются по составу. Перемешивание расплава уменьшает толщину диффузионного слоя, снижая вероятность возникновения зоны концентрационного переохлаждения. Но как показал Хэрл [28], концентрационное переохлаждение возможно даже в перемешиваемых расплавах. При ко < 1 концентрация примеси или активатора перед кристаллической поверхностью возрастает по мере роста и достигает стационарного уровня Со. Развивая представления Бартона и др. [24], рассматривавших зависимость эфф от скорости перемешивания, Хэрл [28] вывел уравнение, связывающее возникновение концентрационного переохлаждения со скоростью перемешивания. [c.128]

Большая скорость процесса растворения активатора в основании люминофора объясняется тем, что диффузия его по поверхности и границам блоков, из которых состоят агломераты осажденных сульфидов, происходит весьма быстро. Распределение же активатора по объему блоков является непродолжительным из-за их малого размера. Резкое увеличение скорости растворения примесей при уменьшении размеров монокристаллических блоков вытекает из тех зависимостей, которые были получены в предыдущем параграфе [см. уравнения (Х.13) и (Х.17)]. Расчет применительно к Сс15-С1 (700° С)-фосфору показал [48], что при коэффициенте диф- [c.300]

Вулканизаты на основе однокомпонентных составов, в отличив от двухкомнонентных, являются адгезивными, хотя это до сих пор Не имёёт однозначного объяснения. К недостаткам самовулканизующихся композиций следует отнести невозможность получать за один прием покрытия толщиной более нескольких миллиметров. Это объясняется прежде всего тем, что скорость вулканизации таких композиций лимитируется диффузией паров воды в глубь слоя покрытия [218], Этот недостаток, однако, в значительной мере устранен в последнее время введением в состав композиций активаторов или послойным нанесением покрытий. Нарекания потребителей вызывает также выделение паров уксусной кислоты или аминов при отверждении композиций. Поэтому для ряда материалов найдены структурирующие агенты, не выделяющие при вулканизации побочных продуктов кислого или основного характера. [c.16]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология