Решетка атомно-молекулярная

Каталитическая активность поверхностей нередко, впрочем, в сильнейшей степени зависит от природы молекул. Молекулярная архитектура активных участков, несомненно, является чрезвычайно важным фактором в катализе. Это можно объяснить деформацией молекул при адсорбции Пусть, например, молекула АВ адсорбируется на поверхности, период атомной решётки которой превышает нормальное расстояние АВ. Тогда при адсорбции молекула будет растягиваться и, вероятно, приближаться к реактивному состоянию. Многое будет зависеть от геометрии атомов в реагирующей молекуле и атомов твёрдой поверхности. При соответствующем растяжении молекул и сближении атомов, адсорбция на твёрдой поверхности может сама по себе привести атомы А, В, С и В в переходное состояние или,, по крайней мере, приблизить их к нему. [c.364]

Кроме того, кристаллические структуры различаются также и по характеру распределения в них структурных узлов. Помимо координационных решёток (ионных и атомных), а также молекулярных, обычно наблюдаются, слоистые (например Ссиг), сетчатые (например графит), цепные (например селен) решётки, что вызвано спецификой пространственного распределения связей в соответствии с характером последних. [c.158]

Если в III группе появились, в отличие от предыдущих групп, валентные структуры, то, начиная с V группы, возникает новая особенность по свойствам простые вещества, входящие как в эту, так и следующую группу, не похожи друг на друга ни в смысле химического поведения (сравним инертный азот, активный фосфор), ни по характеру кристаллической решётки (молекулярная у азота, атомная у мышьяка, металлическая у висмута). И всё же, исключая азот, четыре остальных элемента образуют отдельные, сходные по расположению атомов, структуры. [c.338]

Рассмотрим конкретный пример. Поставлена задача определения изотопного состава молекулярных водорода и азота. Можно использовать атомные спектры этих веществ, и конкретно, линию с Л = 656,3 нм и АЛн-о = = 0,178 нм для водорода и линию с Л = 963,0 нм и АЛ14м 15] = 0,0052 нм для азота (см. табл. 4.3.2). Имеется дифракционный прибор со следующими параметрами плотность штрихов решётки — 1800 штр./мм, размер её рабочей части — 100 мм (ш = 180000), фокусное расстояние прибора 2 м, os< = sine = = 1. При этих параметрах линейная дисперсия прибора равна в 1-м порядке [c.101]

Закон термоэлектронной эмиссии можно также найти и методами волновой механики, решая задачу о прохождении электронной волны через границу металл — вакуум. Результаты такого решения, данные Фаулером и Нордгеймом [154, 162—164], совпадают с формулой (42) и позволяют сделать некоторые заключения о коэффициенте I) и его зависимости от формы потенциального барьера. Форма же потенциального барьера зависит от природы металла (от конфигурации кристаллической решётки и от строения атомного электрического поля данного металла), а также от наличия тех или иных посторонних молекулярных слоёв на поверхности металла. Эта форма, вообще говоря, неизвестна. При подсчёте коэффициента прозрачности О её апроксимируют [c.92]

Образование кристаллов неполярными молекулами, типа 0 , На, молекулами углеводородов и т. д. за счёт сил Ван-дер-Ваальса, известных химику из классических курсов физической химии, заставило выделить группу кристаллических структур с молекулярными решётками в самостоятельную группу, отличающуюся тем, что в таких кристаллах существуют значительные внутримолекулярные силы и слабые межмолекулярные, в отличие от ионных и атомных кристаллов, в которых границы молекул наметить не удаётся связи между всеми атомами кристалла в общем одинаковы ) и раз-.тичаются лишь по характеру в ионных кристаллах связь более близка к ионной, в атомных—к ковалентной. Мы говорим более близка потому, что, как вытекает из современных квантовохимических представлений, она практически никогда не бывает чисто ионной или чисто ковалентной, и между двумя крайними случаями существует множество промежуточных состояний, с которыми и приходится иметь дело при изучении структур веществ. [c.158]

Так как образование связей возникает у атомов элементов, например, V группы, главным образом, за счёт -электронов, то несмотря на естественные различия валентных конфигураций и /> -элементов воз1ш-кает некоторая аналогия со структурами группы элементов, симметрично расположенных по другую сторону от вертикали С — 81 — Ое — 8п - РЬ, а именно Оа — 1п ( /> -элементы). Решётки Ро, В1, Оа и Нд молено было бы назвать молекулярно-металлическими. Ни в одной из них нет ни плотной упаковки атомов, свойственной металлам других групп с к. ч. 12 или 8, ни правильной атомной структуры с к.ч. 4, свойственной группе —8 —Ое—8п, последний член которой РЬ имеет кубическую гранецентрированпую, т. е. н.тотную, упаковку. [c.357]

Учитывая изложенное выше, нам канчется пелесообразным объединить в группе II молекулярно-атомные 8, Р, 8е, Ав, Те, 8Ь и молекулярно-металлические структуры Б1, Ро, Са, 1п, Т1, IIg. Эти 12 элементов образуют не менее 8 разных типов, перечисленных выше, отражающих индивидуальные особенности строения атомов. Они отличаются также особо ярко выраженной тенденцией к образованию своеобразных а.тиютропических форм как в твёрдом, так и в жидком состоянии в разных фазах этих веществ возникают сложные равновесные состояния, в которых одна форма переходит в другую, вторая —в третью. Наблюдаются колебания валентных углов, вследствие компромисса между силовым по.тем решётки и внутренним силовым полем молекулы. [c.358]

В, результате перечисленных выше опытов, не может быть больше сомнения в том, что внутри и на поверхности активиро ванного оксидного катода существует избыточный свободный барий в количестве около 0,2 молекулярного процента от всего оксидного слоя (если пренебречь результатом Прескотта и Моррисона ввиду особого рода применённого ими способа активиро-ваиня). Согласно первоначальной гипотезе (Коллер [16] Эспе [17] Беккер [19]) этот избыточный барий присутствует и оказывает действие лишь на поверхности. Этот взгляд, однако, неверен, так как уже из опытов Беккера и Сирса [23], описанных в 42, Ь определённо следует, что величина эмиссионного тока оксидного катода зависит от количества имеющегося внутри (ЖСИДНОГО слоя свободного бария (рис. 148). Кроме того, легта себе представить, что столь большое количество избыточного бр-рия в оксидном слое, как 0,2 молекулярного процента, не ь1 ожет присутствовать на одной лишь внешней поверхности слОя, Обозначив через й постоянную решётки ВаО и через А толщину оксидного слоя, можно легко подсчитать, что это количество б -рия образовало бы на поверхности 2 10- о/(й/2)й400 атомных слоев, так в нашем случае ( о 50 м. Таким образов, [c.333]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология