Дефекты взаимодействие

При малой концентрации дефектов взаимодействие между ними отсутствует, а распределение в пространстве случайно. По мере увеличения нестехиометрии дефекты вступают во взаимодействие, упорядочиваются и создают сверхструктуру. Взаимодействие дефектов может приводить к образованию кластеров, которые упорядочиваются силами кулоновского взаимодействия. [c.48]

На стадии подсчета эквивалентного размера а — неопределенность оценки остроты и формы исходного дефекта, взаимодействия [c.391]

Другое общее свойство микродефектов — наличие взаимодействия между ними, проявляющееся при их сближении. Действительно, энергия решетки изменяется при сближении дефектов. Это и означает, что дефекты взаимодействуют. [c.362]

Дефекты могут быть собственными, если они образуются вследствие теплового движения в кристалле, находящемся в условиях теплового равновесия при температурах выше 0°К. В дальнейшем мы коротко рассмотрим несколько примеров. Другие дефекты, такие, например, как химические примеси, могут появиться в твердом веществе случайно или в результате преднамеренного введения добавок. Собственные дефекты могут присутствовать в концентрациях, отличных от тех, которые можно ожидать в чистых кристаллах в состоянии равновесия. Это может быть результатом случайного или намеренного введения в кристалл различного рода дефектов, взаимодействия между дефектами или следствием неравновесных условий. Нам необходимо прежде всего описать и классифицировать различные типы дефектов, поскольку они определяют многие химические свойства твердых веществ, которые будут рассмотрены в последующих главах, а также и физические свойства. В гл. 5 говорится о концентрации дефектов. [c.50]

Во втором методе определения типа дефектов [13] также выводится зависимость активности более летучего компонента от х. Предполагается, что дефекты взаимодействуют, но, несмотря на это, распределены Б кристалле беспорядочно. Рассматривается лишь парное взаимодействие дефектов и число пар дефектов предполагается таким же, какое было бы в отсутствие взаимодействия. Распределение электронов и дырок не рассматривается. Свободная энергия дефектного кристалла представляется в виде независимых слагаемых суммы свободных энергий образования идеального кристалла, свободной энергии, связанной с конфигурационной энтропией распределения дефектов, рассчитанной в предположении идеального смешения и свободных энергий образования и взаимодействия шести возможных типов точечных дефектов. Предполагая, что только один тип дефектов является преобладающим, выводится шесть (по числу возможных типов точечных дефектов) зависимостей, связывающих активность кислорода ао в М.05 х и отклонение от стехиометрии. За- [c.85]

Все атомные дефекты, взаимодействуя с электронами проводимости или дырками, в зависимости от их химической природы могут проявлять донорные или акцепторные свойства, аналогичные свойствам примесных атомов. Так, если внешняя электронная оболочка междуузельных атомов заполнена меньше чем наполовину, как в случае электроположительных элементов, атом склонен терять эти электроны, передавая их в зону проводимости кристалла и превращаясь в положительный ион. При этом атом действует как донор. В противном случае междуузельные атомы предпочтительнее превращаются в отрицательные ионы, играя роль акцепторов. [c.41]

В гл. 6 Вы познакомитесь с типичными соединениями переменного состава и причинами их возникновения. Вы поймете, что отклонение состава кристаллов от стехиометрического связано с образованием точечных дефектов, взаимодействие которых друг с другом обусловливает специфику химического поведения, а также многие свойства кристаллов. Внимательное знакомство с материалом этой главы поможет Вам понять неизбежность возникновения точечных дефектов в кристаллах химических соединений и необходимость управления процессом дефек-тообразования для получения соединений переменного состава с заданными магнитными электрическими или оптическими свойствами. [c.299]

Укажем еш,е на то, что дефекты обладают подвижностью. Перемв ш,ение их по решетке требует некоторой энергии активации, значение которой определяется природой дефектов, структурой решетки и направлением движения дефекта. Де кты могут отталкиваться и притягиваться друг к другу. Так, пустые узлы в подрешетках атомов металла и неметалла притягиваются друг к другу, а одноименные отталкиваются. Электроны притягиваются к анионной вакансии,, образуя F-центры, и отталкиваются от катионной вакансии. ЭлектрО ны втягиваются в места дислокаций и вакансий валентных решеток германия и кремния. Продукты взаимодействия дефектов обладают новыми свойствами. Точечные дефекты взаимодействуют с дислокациями. Вакансии, собираясь в области дислокаций, образуют микрО каверны атомы в междоузлиях, взаимодействуя друг с другом вбли-ЗН дислокаций, образуют скопления атомов примесей, а затем ячейки новой фазы. [c.147]

Эйген и Де Майер [95] и Онзагер и Дупюи [261] отмечали, что некоторые ионные дефекты во льду могут быть пойманы в ловушку и, следовательно, не могут вносить вклад в проводимость. Примером захваченного иона НзО+ может служить случай, который возникает после появления -дефекта. Взаимодействие неподеленной пары электронов молекулы НгО нрн наличии в ней -дефекта с положительным зарядом на соседнем ионе [c.122]

Полное и окончательное выяснение природы и изучение ден тального поведения дефектов исключительно сложно. Свойства реального кристалла зависят от всей совокупности различных дефектов, взаимодействующих между собой, и определение парциальных концентраций дефектов различных типов, а также их ассоциатов, трудная задача. К счастью, в некоторых случаях в кристаллах преобладают обычные простые атомные дефекты (вакантные места в рещетке, атомы в междуузлиях, чужеродные атомы) и при математическом анализе результатов экспериментов рассматривать менее значимые дефекты нет необходимости. [c.13]

Работа с медью была, вероятно, наиболее исчерпывающей изучение отжига облученной меди ясно показало ваншость высокой чистоты материала. Образовавшиеся при облучении дефекты могут взаимодействовать с примесями, причем места расположения примесей становятся ловушками для дефектов, и это, конечно, сказывается на поведении дефектов при отн иге. Так, при концентрации дефектов 10 %, если дефекты взаимодействуют только между собой или решеткой, требуется, чтобы концентрация примесей была существенно меньше эксперименты с менее чистой медью, содержащей 10 % примесей, показали существенную разницу в поведении при отжиге (при содержании дефектов, вызванных облучением, 10" %) от поведения очищенного зонной плавкой материала [39]. Эксперименты, в которых умышленно добавляли к меди различные примеси (в сравнительно высоких концентрациях), ясно показали взаимодействие между примесями и дефектами, индуцированными облучением. [c.49]

Если дефекты в кристалле распределяются хаотически, то имеется определенная вероятность того, что они займут соседние места решетки, т. е. образуют ассоциаты (пары, триплеты и т. д.). Когда дефекты взаимодействуют друг с другом, концентрация ассоциатов зависит от характера взаимодействия при взаимном притяжении дефектов она будет больше, чем при хаотическом распределении, а при взаимном отталкивании — меньше. Как показано в гл. XIII, концентрацию ассоциатов собственных атомных дефектов можно вычислить непосредственно, не обращаясь к свойствам простых дефектов. Однако, если в ассоциации участвуют примесные структурные элементы, образование ассоциатов лучше рассматривать, исходя из простых дефектов. Такой же подход можно применить и к ассоциатам собственных дефектов. [c.195]

Среди различных классов РНК полноценной активностью в отмене дефекта взаимодействия несингенных клеток обладает класс пре-мРНК ядра. [c.303]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология