Ассоциация дефектов степень

Например, для СигО (zi = 1, 22 = 2) расчет приводит к показателю степени Vs при давлении. Из измерений проводимости получают V [19], а из измерений коэффициента самодиффузии только 0,2—0,27. Этот коэффициент пропорционален полной концентрации вакансий — как нейтральных, так и диссоциированных.. Если существует прочная ассоциация вакансий с ды4)ками, то< можно пренебречь концентрацией свободных вакансий, и закон действующих масс дает зависимость типа Pot- Отсюда видно, какое значение имеет проблема ассоциации дефектов — вакансий и-межузельных ионов — с электронами и дырками. [c.313]

ТОЛЬКО при низких температурах, когда достаточно быстро диффундируют разве лишь междоузельные ионы. При повышении температуры дефекты становятся более подвижными, но зато уменьшается стабильность пар, и наблюдать за образованием пар можно только при более высоких концентрациях дефектов. На рис. 62 представлена концентрационная зависимость степени ассоциации в условиях равновесия при нескольких температурах для примеси донора лития и акцептора галлия в германии. [c.136]

В ассоциации могут участвовать больше двух дефектов, и часто такую систему изучать очень трудно. К числу подобных ассоциаций относится ионный триплет, который представляет собой простейшее усложнение рассмотренных выше ионных пар. Если один из дефектов дважды ионизован, как, например, акцептор Zn в Ge, триплет образуется при захвате двух однозарядных доноров. Так, в разд. 7.4. говорилось об образовании сильно связанной ионной пары Li+Zn j. Экспериментально установлено, что образуются также комплексы Li+Li+Zn j, которые могут в некоторой степени снижать диффузионную подвижность. [c.138]

Зная К, нетрудно определить степень ассоциации а. Например, если концентрации С дефектов и равны и ассоциирована доля а дефектов каждого типа, то [c.147]

Посмотрим теперь, какие выводы можно сделать из уравнений (V.13) и (V.15). Прежде всего из них следует, что константа равновесия К, а потому и степень ассоциации а будут расти с увеличением заряда взаимодействующих частиц и притом весьма резко. Это можно показать на примере ZnS- l-фосфора, в котором при активации образуется два рода одиночных дефектов — ls и Yzn", причем концентрация первых вдвое выше, чем вторых (см. гл. III, 2). Здесь могут иметь место две интеркристаллические реакции, отвечающие двум последовательным ступеням процесса ассоциации [c.148]

Здесь Qж , Qx — теплоты переноса соответствующих ионов Qмx = Qм + Qx — число переноса для аниона й — энтальпия образования пары дефектов по Шоттки р — степень ассоциации примесных ионов в комплексы (М + — катионная вакансия) х=Д/га — энтальпия образования подобных комплексов с+ и Сг — концентрации катионных вакансий и примесных ионов. Наконец, / = е(ф —(р )1кТ, где ф —ф — разность потенциалов между поверхностью 5 и телом Ь кристалла. Эта разность потенциалов определяется релаксацией катионов и анионов в поверхностных слоях ионных кристаллов. Теоретическое и экспериментальное определение ее встречает значительные затруднения. Заметим, что в тех случаях, когда =е(ф — —фЬ)/й7 >1, теория чрезвычайно упрощается, так как в этом случае можно пренебречь последним слагаемым в равенстве (XI.15). При интерпретации экспериментальных результатов к Такому упрощению обычно прибегают, пе имея, собственно говоря, для этого достаточного основания. В области высоких температур, где +>С и р О [c.183]

Ясно, что взаимодействие на больших расстояниях, стабилизируя свободные дефекты, вызывает заметное уменьшение энергии ассоциации. В соответствии с этим нужно ожидать, что степень ассоциации, рассчитанная без учета дальнодействующих сил, будет несколько завышена. [c.212]

Расчет по уравнению (V.12) показал [59], что энтальпия реакции (V.16) составляет —35,6 ктл/моль (-1,5-10 дж/моль), а энтальпия реакции (V.17)—вдвое меньше, т. е. — 17,8 ккал/моль (—0,75- 10 дж1моль). При 1100° С и мольной доле Zn b 10 первой из этих реакций отвечает а=0,995, а второй — а=0,09. Это означает, что первая ступень процесса ассоциации идет почти нацело, в то время как вторая происходит лишь в незначительной степени. В результате в ZnS- l-фосфоре преобладают два типа дефектов — ассоциативный дефект Vzn ls, с которым связано возникновение голубой люминесценции [124], и ls, приводящий к возникновению ловушки для электронов глубиной 0,28 эв (та же ловушка, обнаруживаемая по пику на кривой термовысвечивания, имеется и у ZnS- u, l- и ZnS-Ag, l-фосфоров, полученных в среде НС1 или H I + H2S). Таким образом, учитывая ассоциацию дефектов, механизм компенсации валентности в ZnS- l следует выражать равенством [c.148]

Существенное значение имеет и режим охлаждения люминофоров после прокаливания. Это следует из рассмотренных во второй части книги реакций ассоциации дефектов (гл. V), сегрегации примесей в области дислокаций (гл. IV), процессов, приводящих к изменению степени компенсации и к уменьшению концентрации собственных дефектов (гл. VI) и т. д. Некоторые важные в утилитар- [c.298]

Скорость процесса определяется температурой ферментации (в термофильных условиях она в 2—3 раза выше, чем в мезофильных), химическим составом сырья, его вязкостью, плотностью бактериальной ассоциации и степенью перемешивания. Ферментация протекает при значениях pH среды, равных 7,0—8,5. При более низком или высоком значении pH она обычно тормозится или прекращается совсем. Снижение величины pH среды ( прокисание ) связано с нарушением равновесия скоростей образования летучих жирных кислот (муравьиной, уксусной, особенно пропионовой, а также масляной) и дальнейшим их превращением, заканчивающимся образованием метана. Подобные дефекты вызываются, как правило, увеличением поступления в реактор легкосбраживаемых углеводов, а также нарушением соотношения углерода и азота в субстрате. Оптимальные значения соотношений С М находятся в пределах 11 —16 1. Повышение значений pH среды (> 8,5) связано либо с высокой концентрацией азотсодержащих органических веществ в субстрате и образованием из них в процессе брожения больших количеств аммония, либо наличием в среде значительных концентраций щелочно-земельных металлов. [c.624]

Согласно данным значениям, число переноса для Ре " в РеО составляет примерно 2-10 . Поэтому большая часть тока в Ре . -О переносится электронами. Этот подход справедлив, если считать, что эффекты ассоциации и взаимодействия незначительны. Однако это допущение неправильно, по крайней мере, для вюститов со значительным дефицитом ионов железа, как будет показано в следующем разделе, так как коалесценция дефектов приводит к образованию магнетитоподобных (Ред04) скоплений (см. главу третью, раздел II, А). Если эти скопления подвижны в любой степени, их движение будет способствовать увеличению коэффициента самодиффузии, но не электрической проводимости, так как скопления электрически нейтральны. А если все это так, то уравнение Нернста — Эйнштейна неприменимо. Тем не менее необходимо отметить, что расчеты по уравнению Нернста — Эйнштейна дают приемлемые значения чисел переноса для ионов Ре " в вюстите, если считать, что механизм и диффузии, и ионной проводимости в этом окисле действительно один и тот же, т. е. они вызваны миграцией вакансий, которые в действительности заряжены отрицательно. Можно отметить, что если принять во внимание эффекты ассоциации, то число переноса для ионов Ре должно быть меньше, чем значение, приведенное выше. [c.271]

В связи с вышесказанным представляются важными щанные о степени ассоциации примесных ионов, которые ожно получить из результатов измерения диэлектрических потерь. Результаты расчета приведены в табл. 2. Расчет проводился по ранее описанной методике [5]. Из табл. 2 видно, что процент ассоциированных дефектов зсть величина, монотонно возрастающая с ростом концентрации примеси. При больших концентрациях примеси доля ссоциатов от общего числа примесных ионов несколько /меньшается. Это объясняется достижением предельной концентрации твердого раствора, о которой говорилось зыше. [c.93]

Далее, из уравнения (У.15) можно сделать вывод, что с ростом концентрации дефектов увеличивается степень их ассоциации. Это было показано на примере 2п5-Оа-фосфора, в котором имеют место процессы, аналогичные изображенным уравнениями (У.16) и (У.17). Более высокая растворимость в сульфиде цинка ОагЗз, по сравнению с 2пС1г, позволяет проследить за увеличением степени протекания реакции типа (У.17). Сравнение результатов расчета с измерениями зависимости спектров излучения 2п5-Оа-люминофо-ра от концентрации активатора (рис. 67) приводит к выводу, что длинноволновая (оранжевая) полоса, доля которой в спектре возрастает по мере увеличения концентрации галлия, связана с нейтральным тройным ассоциатом Угп Сагп)2 [60]. Аналогичный эффект имеет место и у люминофоров, активированных серебром и [c.149]

Как уже отмечалось, дефекты могут образовывать различные ассоциации, обладающие своими специфическими свойствами. Величина многих физических свойств кристаллов, например величина проводимости, определяется суммарным, результирующим действием всех дефектов, присутствующих в кристалле в электрически активном состоянии. В случае таких полупроводни-жовых материалов, как германий, кремний, и многих других, на-шболее контролируемым и воспроизводимым методом управления ВЕЛИЧИНОЙ и типом проводимости является введение в кристаллы определенных концентрации соответствующих примесей. Однако воспроизводимость этого метода обусловливается в общем случае степенью очистки исходного материала от остаточных неконтролируемых примесей. Часто для достижения требуемого комплекса физических свойств или из-за технологической необходимости в кристалл вводится не одна, а две и более различных примесей. Следовательно, при изучении зависимости свойств материала (например, типа и величины его проводимости) от природы и концентраций различных дефектов рассматривают следующие разновесные состояния в кристалле [c.174]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология