Пути кристаллизации расплавов

Выше (стр. 365) уже отмечалось, что твердая фаза, после того как она образовалась путем кристаллизации расплава, может претерпевать дальнейшие изменения. В тех случаях, когда выделившиеся кристаллы индивидуального химического соединения представляют собой неустойчивую модификацию, дальнейшие превращения имеют место после достаточной выдержки при той же температуре. [c.413]

Пути кристаллизации расплавов в системе нередко носят сложный характер в связи с тем, что в системе много инконгруэнтно плавящихся соединений, а следовательно, и инконгруэнтных пограничных кривых. Рассмотрим некоторые из путей кристаллизации, относящиеся к наиболее легкоплавким составам системы, имеющим значение для технологии пироксеновых ситаллов. [c.127]

Пути кристаллизации расплавов, составы которых лежат в полях кристаллизации А. В и С (см. рис. 30), будут исходить из соответствующих вершин треугольника. Составы, попадающие в поле [c.77]

На рис. 44 представлен тип диаграммы состояния двухкомпонентной системы А—В с эвтектикой (без бинарных химических соединений и твердых растворов). Рассмотрим путь кристаллизации расплава состава а. Прежде всего определим, что конечными фазами кристаллизации любого бинарного состава в этой системе будут компоненты А и В, а кристаллизация всех подобных составов будет заканчиваться при эвтектической температуре 4 в точке эвтектики. При понижении температуры от точки а до будет происходить только охлаждение расплава. При достижении температуры ликвидуса tb жидкая фаза (расплав) состава Ь окажется насыщенной по отношению к компоненту А (в области IKteE в равновесии с жидкостью находятся кристаллы А, что указывается на диаграмме соответствующим обозначением А + ж) и последний при дальнейшем охлаждении будет кристаллизоваться из расплава. Состав жидкой фазы будет изменяться при этом по кривой ликвидуса от точки Ь к точке Е (система моновариантна). При достижении эвтектической температуры 4 жидкость, отвечающая эвтектическому составу Е, кристаллизуется с одновременным выделением кристаллов А и В, поскольку точка Е принадлежит одновременно обеим кривым ликвидуса txE и t E) и, следовательно, жидкость состава Е насыщена по отношению к обоим компонентам. При этом пока не исчезнет вся жидкая фаза, температура 4 и состав (Е) жидкой фазы будут оставаться постоянными, поскольку система при этих параметрах инвариантна (температура при отводе от системы теплоты будет поддерживаться постоянной за счет выделения теплоты кристаллизации). Кристаллизация закончится в точке эвтектики Е. [c.223]

Составы, лежащие в поле кристаллизации муллита или шпинели, имеют более сложные пути кристаллизации. Пограничные кривые между областями кристаллизации сапфирина — шпинели и муллита — кордиерита инконгруэнтны, а инвариантная точка с температурой 1482° между полями шпинели, муллита и сапфирина является точкой двойного опускания. Поэтому пути кристаллизации расплавов могут проходить две тройные инвариантные точки и заканчиваться в третьей. Так, состав а, который относится к фазовому треугольнику сапфирин — муллит — кордиерит, будет иметь путь кристаллизации, проходящий через точку двойного подъема с температурой 1578° (шпинель — муллит — корунд), а затем через точку двойного опускания с температурой 1482° (шпинель — муллит — сапфирин) и заканчивающийся в точке двойного подъема с температурой 1460° (сапфирин — муллит — кордиерит). В точке двойного опускания (1482°) закончат кристаллизацию лишь составы, лежащие в фазовом треугольнике шпинель — сапфирин — муллит. [c.140]

Рассмотрим некоторые пути кристаллизации расплавов в системе. [c.143]

Таким образом, все расплавы, составы которых располагаются в элементарном треугольнике С38—СзА—Сг8, окончательно закристаллизуются при составе остаточного расплава и температуре точки 3. Путь кристаллизации расплава точки п (см. рис. 5.11) свидетельствует о том, что все расплавы, составы которых располагаются в элементарном треугольнике С38—С3А—Сг8, окончательно закристаллизовываются при составе остаточного расплава и температуре точки 7. [c.149]

Состав а2. Путь кристаллизации расплава состава йз графически ничем не отличается от путей кристаллизации составов в системе с эвтектикой. Однако соединение АВ имеет три полиморфные формы низкотемпературную АВ, стабильную до температуры is, форму А В с областью стабильного существования от температуры is до /з и высокотемпературную форму А"В", существующую выше температуры t , поэтому при указанных температурах одна полиморфная форма переходит в другую (система при этих температурах инвариантна). [c.229]

Состав а. По достижении кривой ликвидуса (точка Ь) из расплава этого состава начинают выделяться кристаллы твердого раствора 5в(а> состава с (точка на кривой солидуса). При дальнейшем охлаждении состав жидкости будет изменяться по кривой ликвидуса от точки Ь до эвтектоидной точки , а состав выпадающих твердых растворов — по кривой ликвидуса от точки с до точки С]. При эвтектоидной температ фе /1 жидкость эвтектоидного состава Е полностью закристаллизовывается с выделением двух твердых растворов — 5д(в) состава Я и 5в(а> состава При дальнейшем охлаждении составы этих двух твердых растворов, находящихся в равновесии, будут изменяться по бинодальным кривым ёк и 1 1. Таким образом, графически путь кристаллизации расплава состава а можно изобразить следующим образом [c.233]

Состав а2. Путь кристаллизации расплава состава а2 ничем не отличается от такового в системе с непрерывным рядом твердых растворов (см. рис. 48). [c.233]

Пути кристаллизации расплавов [c.215]

Пути кристаллизации расплавов 217 [c.217]

Выше уже отмечалось, что твердая фаза, после того как она образовалась путем кристаллизации расплава, может претерпевать дальнейшие изменения. В тех случаях, когда выделившиеся кристаллы индивидуального химического соединения представляют собой неустойчивую модификацию, дальнейшие превращения имеют место после достаточной выдержки при той же температуре, например, при переходах сера жидкая- сера моноклиническая ->сера ромбическая при температуре Т (рис. 32). Если же полученные кристаллы термодинамически устойчивы, то дальнейшие превращения возможны лишь в результате изменения условий существования твердой фазы, например, при дальнейшем понижении температуры или при изменении давления, как это можно проследить на диаграмме состояния воды (рис. 29). [c.242]

Большой интерес представляет разработанный в последние годы метод гранулирования расплавленных веществ путем кристаллизации расплава непосредственно в псевдоожиженном слое [210, 211]. [c.138]

Выше стр. 367) уже отмечалось, что твердая фаза, после того как она образовалась путем кристаллизации расплава, может претерпевать [c.391]

Провести путь кристаллизации расплава этой смеси. [c.10]

Построить путь кристаллизации расплава состава, отве-чаюш,его точке т (см. рис. 17). [c.27]

Пример 26. Определить путь кристаллизации расплава, отвечающего составу, изображаемому точкой на диаграмме М—А—8 (рис. 18). [c.31]

Пример 26. Определить путь кристаллизации расплава, отвечающего составу точки к на диаграмме С — Л —5 (рис. 19). [c.32]

В таблице показан путь кристаллизации расплава состава точки (см. рис. 19). [c.34]

Для диаграммы состояния (см. рис. 7) составить таблицу путей кристаллизации расплавов, составы которых лежат [c.51]

Рассмотрим путь кристаллизации расплава, состояние которого характеризуется точкой а. При температуре 1 однофазный расплав распадается на две фазы жидкую состава 1 и твердый раствор состава 51. Составы фаз, находящихся в равновесии, определяются точками пересечения соответствующей конноды с линиями ликвидуса (/]) и солидуса ( 1). [c.67]

Итак, чтобы построить путь кристаллизации расплава трехкомпонентной смеси, нужно найти положение точки заданного состава на диаграмме, соединить ее с точкой состава того компонента, в поле кристаллизации которого лежит заданная точка (в данном случае с вершиной треугольника), и продолжить полученную прямую до пересечения с первой пограничной кривой. Далее путь кристаллизации пойдет по пограничной кривой в сторону понижения температур к тройной эвтектике (или в общем случае в тройной точке системы, о чем будет сказано ниже). В точке тройной эвтектики путь кристаллизации всегда заканчивается. [c.74]

Этот же процесс идет и на пограничной кривой ид. Если путь кристаллизации расплава попадет на пограничную кривую иО, то будет происходить не одновременное выделение кристаллов А и АгпВп, а растворение кристаллов А и образование АтВп- В этом отношении пограничная кривая иО резко отличается от рассмотренных ранее. В связи с этим пограничные кривые делятся на два типа конгруэнтные, вдоль которых при охлаждении одновременно выделяются две твердые фазы, и инконгруэнтные, вдоль которых протекает химическая реакция между ранее выделившимися кристаллами и остаточной жидкой фазой с образованием нового вещества. Однако независимо от типа на пограничной кривой всегда будут в равновесии с жидкостью две твердые фазы. Направление [c.78]

Пути кристаллизации расплавов в системе осложняются инконгруэнтным характером плавления калиевого полевого шпата. Пограничная кривая между полями кристаллизации КгО-АЬОэ-бЗЮг и лейцита КгО-АЬОз-45102 является инконгруэнтной. Если путь кристаллизации попадет на эту кривую, то вдоль нее будет происходить растворение кристаллов лейцита с образованием калиевого полевого шпата. [c.136]

Указать на рис. 10 фазы, находящиеся в равновесии в точке О. Определить число степеней свободы системы в данной точке. 2. Описать путь кристаллизации расплава, состоящего из 85% 8102 и 15% N320 (масс, доли, %). Сделать табличную запись результатов охлаждения по следующей форме [c.72]

Рассмотрим пути кристаллизации расплава состава а и Ь. Точка а расположена в элементарном треугольнике С5А3—СА— —СгЗ в поле кристаллизации моноалюмината кальция СА. Первыми при охлаждении расплава выпадают кристаллы СА, путь кристаллизации лежит на продолжении прямой СА — а на кривой 9—11 совместно выпадают кристаллы СА и СгАЗ, путь крис-сталлизации идет к точке 9. В точке 9 начинается химическая реакция — ранее выпавшие кристаллы СгАЗ взаимодействуют с расплавом, появляются кристаллы р-СгЗ. Число имеющихся фаз равно четырем расплав, кристаллы СА, кристаллы СгАЗ, кристаллы р-СзЗ. Число степеней свободы равно [c.151]

Состав аь Начальный путь кристаллизации расплава этого состава аналогичен предыдущему состав жидкости при охлаждении изменяется от 1 до й], а состав твердого раствора 5в(а> — от С до С . Окончательное затвердевание расплава произойдет при температуре, соответствующей точке с/. При дальнейшем охлаждении происходит понижение температуры твердого раствора от точки С1 до точки б1, лежащей на бинодальной кривой 1 1. При температуре 2, соответствующей точке 61, твердый раствор 5в(а) оказывается насыщенным по отношению к компоненту А, который начинает выделяться, но не в чистом виде, а виде другого твердого раствора 5а(в), состав которого (точка е) определяется концом конноды 6)6, лежащей на бинодальной кривой gk (этот процесс по аналогии с процессом ликвации можно представить как расслоение одного твердого раствора на два несмешивающихся твердых раствора). При дальнейшем охлаждении составы образовавшихся твердых растворов изменяются по бинодальным кривым соответственно от точки в до Й1 и от точки е до к. [c.233]

Опишите путь кристаллизации расплавов, содержащих (см, рис. 43) а) 90% А и 10% В б) 45% А и 55% В в) 5%, А и 95% В г) расплава, точно соотг-етствующего по составу соединению АзВз. [c.247]

Исследование процесса деформации частично кристаллических полимеров в твердом состоянии было начато в нашей лаборатории на примере экструзии полиэтилена высокой плотности (ПЭВП) через конические фильеры [1—3]. Экструдаты ПЭ получали путем кристаллизации расплавов полимера в условиях комбинированного воздействия ориентации и давления в капиллярном реометре типа Инстрон, подбирая оптимальные условия переработки материала. При этом полимер кристаллизуется в массе у входа в фильеру и в цилиндре реометра. Затем полукристаллическая масса входит в капилляр довольно узкого диаметра и перемещается в нем с постоянной скоростью под действием давления, создающего высокое напряжение сдвига. Плавление ориентированного ПЭ, обусловленное сдвигом, ранее наблюдал Петерлин [4]. Соутерн и Портер [1] установили, что после кристаллизации давление резко возрастает, вследствие чего проводить экструзию при постоянной скорости невозможно. [c.63]

Определяем на диаграмме составы твердого вещества, находящегося в равновесии с расплавами при кристаллизации до температур 1600° (точка с), 1500° (точка d), в точке Ь (температура 1670°) и в точке 4. Для этого из точек Ь, с, d и 4 проводим прямые через точку ш до пересечения с соединительной прямой МА —MS (стороной элементарного треугольника МА — AigS — Mg aSg). Состав твердого вещества при достижении точки Ь (пограничная кривая 6—4) на пути кристаллизации расплава ш будет соответствовать МА, так как вторая фаза MgS еще не начала кристаллизоваться. [c.43]

Для диаграммы состояния системы ZnO—SiOg (рис. 31) составить таблицу путей кристаллизации расплавов, лежащих [c.53]

Составить таблицу путей кристаллизации расплавов по диаграмме состояния системы ZrOa—SiOj (рис. 32), составы которых лежат [c.53]

Составить таблицу путей кристаллизации расплавов по диаграмме состояния системы TiOa—SiOa (см. рис. 10) следующих составов [c.53]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология