Одномерное температурное поле

На практике, кроме трехмерного температурного поля, когда оно является функцией трех координат, часто встречаются двумерные и одномерные температурные поля, являющиеся функцией соответственно двух и одной координат. [c.121]

ОДНОМЕРНОЕ ТЕМПЕРАТУРНОЕ ПОЛЕ [c.34]

С учетом одномерности температурного поля уравнение (11.14) можно записать так [c.270]

Можно отметить, что проще всего решаются задачи нахождения одномерного температурного поля (безграничная пластина, бесконечно длинный цилиндр, шар) при постоянных физических свойствах, постоянном коэффициенте теплоотдачи и отсутствии теплообмена излучением. Именно такие задачи будут рассматриваться в этой главе. Результаты, которые при этом будут получены, с одной стороны, имеют самостоятельное практическое значение, а с другой — позволяют достаточно просто выяснить основные закономерности, присущие также нестационарным процессам теплопроводности в телах более сложной геометрической формы. [c.90]

При такой конфигурации образца становится возможным создать одномерное температурное поле и достаточно точно измерить разности температур, а также точно измерить расстояние между изотермическими плоскостями /. Основные недостатки метода— создание одномерного осевого теплового потока и его измерение. [c.452]

Линии теплового потока в таком ребре должны иметь форму, показанную на рис. 3-12. Они представляют собой ряд равноудаленных друг от друга прямых, параллельных оси ребра. При постоянном тепловом потоке температура изменяется вдоль линии теплового потока по линейному закону от температуры у основания ребра. Необходимо добиваться того, чтобы температура на вершине ребра как можно меньше отличалась от температуры окружающего газа. Изменение температуры внутри ребра показано в верхней части рис. 3-12. На расстоянии х от вершины ребра температура равна t. Вследствие одномерности температурного поля разность между температурой t и температурой газа tf можно выразить следующим образом [c.78]

Температурное поле в образцах конечных размеров тем сильнее отличается от одномерного температурного поля, чем меньше отношение к = для цилиндра и чем оно выше для пластины. В связи с этим возникает вопрос об оптимальном соотношении геометрических размеров образца, позволяющем с достаточной точностью оперировать одномерными зависимостями, из которых получены расчетные формулы (1У.17) — (1У.19). [c.72]

ОДНОМЕРНОЕ ТЕМПЕРАТУРНОЕ ПОЛЕ ПОЛОГО ЦИЛИНДРА [c.57]

В данной работе анализируется процесс теплообмена, сопутствующий направленной кристаллизации в одномерном температурном поле, с целью выявления методов управления кристаллизацией. [c.243]

Рассмотрен процесс теплообмена при движении плоского фронта кристаллизации в одномерном температурном поле. [c.247]

Уравнения (VI.3) и (VI.За) предполагают одновременное изменение температуры тела по направлениям всех трех осей координат, поэтому нх часто называют уравнениями трехмерных температурных полей. На практике встречаются случаи, когда 0 изменяется вдоль двух осей и даже вдоль одной оси, т. е. случаи двухмерных и одномерных температурных полей. В первом случае [c.270]

Применительно к стационарному процессу = 0 и одномерному температурному полю получим [c.275]

Однако для упрощения вычислений стремятся использовать внутренние обратные задачи теплопроводности, приводящие к явным аналитическим выражениям для X, а, с, независимо связывающими их с тепловым воздействием, температурным полем и геометрией образца. В частности, можно обеспечить условие одномерности температурного поля Т(г, t), где г - радиус-вектор. [c.540]

Проведенный расчет ограничен случаем одномерного температурного поля. Разумеется, в практических условиях, например при выращивании монокристаллов, их форма, близкая к цилиндрической, требует решения объемной задачи теории термоупругости, и проблема усложняется. Однако возможна ситуация (например, кристаллизация тонких пленок из жидкой фазы на подложке), при которой условия близки к рассмотренным выше. [c.247]

Следует отметить, что подобные условия специфичны для одномерного температурного поля твердой фазы. Прямолинейность теплового тока, соответствующая одномерному полю температур, не позволяет использовать способ управления процессом, применяемый в аппаратах обычного типа. [c.243]

Рассмотрим в качестве примера плоскую систему, имеющую наиболее простую геометрию фронта кристаллизации. При этом одномерность температурного поля твердой фазы легко реализуется. [c.243]

Полученные результаты можно использовать при разработке методов управления процессом направленной кристаллизации в одномерном температурном поле. [c.247]

Рассмотрен процесс теплообмена в условиях кристаллизационной очистки веществ при движении плоского фронта кристаллизации в одномерном температурном поле. Определены условия, при которых поле температур в системе можно без большой погрешности рассматривать как квазистационарное. Рис, 1, библ. 3 назв [c.283]

Брус конечной длины с конечным числом нагревателей (фиг. 23). Разделим брус на вспомогательные объемы и для каждого из них определим температуру теплового источника и температуру на поверхности торца бруса, исходя из условий одномерного температурного поля. [c.50]

Могут быть случаи, когда температура не зависит от одной из координат. Тогда поле называют плоским или двухмерным Т= Т х,у) или Т= Т г, ф). Если к тому же дТ ду = О или <ЗГ/<)ф = О, то получаем Т = Т(х) или Т = Т г). Этот частный случай представляет одномерное температурное поле. [c.17]

Установление стационарного режима и одномерности температурного поля требует кропотливой и продолжительной работы. Кроме того, этот метод не позволяет одновременно определить теплоемкость материала и его коэффициент температуропроводности. Определение методом стационарного режима коэффициентов теплопроводности влечет за собой отдельное определение теплоемкости материалов, обычно калориметрическим методом. Для изоляционных материалов это представляет целую проблему, более сложную, чем определение коэ ициента теплопроводности и требует отдельных подсчетов по определению коэффициентов температуропроводности. [c.198]

ГЛУБОКАЯ ОЧИСТКА ВЕЩЕСТВ МЕТОДОМ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ В ОДНОМЕРНОМ ТЕМПЕРАТУРНОМ ПОЛЕ [c.29]

Нередко представление об аналогии возникает вполне естественно. Так, в знакомом нам примере аналогии между одномерным температурным полем и распределением потенциала в линейном проводнике [I, 37] правомерность сопоставления в качестве аналогов потенциалов термического (температуры) и электрического принимается как нечто само собой очевидное — понятное непосредственно, без каких-либо дальнейших рассуждений. Но совсем не просто показать (если не обращаться к формальным соответствиям и исходить из чисто физических соображений), что аналогом коэффициента температуропроводности надо считать величину 1// С, где Я — электрическое сопротивление, С — емкость. Иногда (и это, вероятно, происходит чаще, чем может показаться на первый взгляд) с самого начала, уже при постановке задачи, она намеренно формулируется так, чтобы оказалось возможным использовать математический аппарат, разработанный ранее при изучении задач совсем другого содержания. В таких случаях применяемый аппарат в значительной мере предопределяет выбор физической схемы, закладываемой в основу решения, и в родственности физических представлений надо видеть не столько причину, сколько следствие общности средств исследования. Впрочем, в этом можно найти объяснение только формального происхождения аналогии вопрос же о ее природе в более глубоком смысле (почему применение избранного аппарата оказалось реально возможным), конечно, остается открытым. [c.185]

Потребность ряда областей новой техники в веществах высокой степени чистоты ставит перед исследователями задачу совершенствования способов их получения. К числу перспективных способов глубокой очистки веществ относится кристаллизация из расплава, противоточная, нормальная направленная, зонная, выращивание монокристаллов. Настоящая работа посвящена исследованию процесса направленной кристаллизации в одномерном температурном поле (ОТП), который заключается в получении кристаллического слоя на плоской, цилиндрической или сферической охлаждаемой стенке. Из известных процессов к направленной кристаллизации в ОТП можно, например, отнести кристаллизацию на внутренней поверхности охлаждаемой трубы из турбулентного потока расплава [1], кристаллизацию на поверхности предварительно охлажденных тел [2], выращивание монокристаллов по методу Што-бера [3]. [c.29]

Одномерное температурное поле в пластине толщиной 26 [c.23]

Экспериментальные исследования показали, что из аппаратов для направленной кристаллизации в одномерном температурном поле наиболее эффективным является аппарат плоского типа с нагревателем, скользящим по поверхности кристаллического слоя [11]. Аппараты цилиндрического и сферического типов по эффективности приблизительно одинаковы. [c.34]

Уравнения теплопроводности (1.14), (1.15), (1.17) по классификации И. Г. Петровского относятся к классу дифференциальных уравнений в частных производных параболического типа. Для одномерного температурного поля [c.15]

Для одномерного температурного поля скалярная величина теплового потока [c.9]

В основу метода положены закономерности развития одномерного температурного поля в полуограниченном теле при нагревании его постоянным тепловым потоком. Выражение для избыточной температуры в любой точке полуограниченного тела в любой момент времени может быть записано в виде [1] [c.156]

Уравнение материального баланса броуновских частиц в одномерном температурном поле в отсутствие конвекции имеет вид [c.73]

Тела с одномерным температурным полем [c.29]

О. Уравненне, определяющее одномерное температурное поле T(t). Обычно в большинстве практических расчетов сведения о средней температуре насадки Т(/) получают с помощью коэффициента теплопередачи (см. рис. 1). Средняя температура 7(0. или интегральная среднекалорическая температура, определяется с помощью следующего выражения [c.433]

Измеряемая температура относится к месту расположения геометрического центра чувствительного элемента. Температуру на поверхности теплообмена находят путем пересчета по формулам теплопроводности (см. разд. 2). Наиболее прост пересчет в случае одномерного температурного поля. В сложных температурных полях производится анализ поля темперахуры методами элект-ротепловой аналогии. [c.410]

Для толстостенных труб осевые, потоки теплоты по стенкам могут бьПъ соизмеримыми с радиальными и изменение осевых потоков может существенно влиять на радиальные потоки. Расчет значений дс на внутренней поверхности трубы диаметром й по тепловому потоку д1, подведенному на ее наружной поверхности, с диаметром Ъ по соотношению д —д 01й) возможен только для одномерного температурного поля в ра диальном направлении и для квазиодномер ного поля, когда температура по длине трубы изменяется по линейному закону. В об щем случае расчет до по измеренным зна [c.422]

Сферическая стейка. В данном случае для поверхности произвольного радиуса т (рис. V1-4, а) при одномерном температурном поле уравнение (VI.1) будем иметь следующий вид [c.273]

Совместим начало координат с открытым концом полубесконеч-ной трубки с круговым сечением и направим ось Ож вдоль оси трубки (рис. 75). Тогда одномерное температурное поле внутри трубки, с учетом дополнительной теплопередачи через ее стенки в окружающую среду ( баню с температурой Тоа), описывается для случая кристаллизации расплава уравнением dT(x,t) d T(x,t) [c.219]

Отсутствие компенсационных приспособлений может сильно исказить температурное поле и сделать его неодномерным. При этом расчетные формулы, а следовательно, и результаты, полученные в предположении одномерности температурного поля, окажутся неверными. [c.198]

Работа посвящена исследованию процесса направленной кристаллизагщи в одномерном температурном поле, который заключается в получении кристаллического слоя ва плоской, цилиндрической или сферической охлаждаемой стенке. Таблиц 1. Иллюстраций 1. Библ. И назв. [c.266]

Для плоской пластины (Я = onst), равномерно охлаждаемой с обеих сторон, заданы температура среды tm и коэффициент теплоотдачи а. Одномерное температурное поле в пластине [c.23]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология