Выращивание из-под флюса

Более простой способ получения монокристаллов — выращивание из-под слоя [130] расплавленного борного ангидрида толщиной 10 мм. Флюс прозрачен и позволяет вести наблюдение за процессом роста. Чтобы не прорвались пары мышьяка через слой флюса, в камере поддерживается давление инертного газа 1,5 атм. В этом случае можно использовать обычные установки для вытягивания, применяемые для получения монокристаллов германия (см. И том). [c.273]

Плавень (флюс) — высокотемпературный растворитель, используемый при выращивании кристаллов нз раствора в расплаве. [c.155]

Обмен летучим компонентом между перекристаллизуемым веществом и окружающей средой особенно характерен для бестигельной зонной перекристаллизации тугоплавких металлов, для синтеза и выращивания монокристаллов многих полупроводниковых соединений, для легирования полупроводников при контакте с газовой фазой. Такой обмен имеет место во многих других неконсервативных процессах направленной кристаллизации. Легирующее или экстрагирующее действие на перекристаллизуемое вещество может оказывать покровный флюс. Для физико-химического анализа такие процессы представляют большой интерес, так как наряду с данными по равновесиям твердая фаза — жидкость они позволяют получать информацию о равновесиях твердая фаза — пар, жидкость — пар и т. д. Вместе с тем из-за усложнения характера фи-зико-химического взаимодействия системы со средой обработка результатов направленной кристаллизации становится более трудоемкой. Это особенно относится к зонной перекристаллизации как процессу многократному. Однако именно многопроходная зонная перекристаллизация позволяет в полной мере выявить относительно слабые эффекты межфазового взаимодействия. [c.88]

Наиболее чистый фосфид индия можно получить методом бестигельной зонной плавки. Однако из-за небольшого поверхностного натяжения жидкого InP необходимы значительные скорости прохода зоны для поддержания ее стабильности. Поэтому фосфид индия, выращенный методом плавающей зоны, при высокой его чистоте не отличается совершенством кристаллической структуры. Вытягивание кристалов InP по Чохральскому из нестехиометрических расплавов с избытком индия дает крупнокристаллические слитки. А выращивание монокристаллов из расплава стехиометрического состава этим же методом проводят под слоем флюса в автоклаве, а также под высоким давлением инертного газа. [c.148]

Полость формообразователя заполнена прозрачной герметизирующей жидкостью (флюсом). При выращивании профилированных монокристаллов арсенида галлия в качестве флюса использовался борный ангидрид. Флюс препятствует испарению [c.118]

Введение флюса позволяет улучшить капиллярные условия выращивания профилированных кристаллов увеличить высоту столба расплава и приблизить его форму к цилиндрической. [c.132]

К. X. - компонент электролита в кадмиевых гальванич. элементах протрава при крашении и печатании тканей компонент сорбентов для газовой хроматографии, вирирующих составов в фотографии, катализаторов орг. синтеза, флюсов для выращивания полупроводниковых кристаллов исходное в-во для получения кадмийорг. соединений. [c.283]

Успешный синтез Годена был воспроизведен рядом других французских и немецких химиков, экспериментировавших с различными солями в качестве компонентов для получения рубина. Работы того времени заложили основы метода получения кристаллов, который теперь известен как выращивание с флюсом или, по терминологии специалистов, кристаллизация из раствора в расплаве. Этот метод основан на растворении материалов с высокой точкой плавления в растворителе, или флюсе , имеющем значительно более низкую точку плавления. Кристаллы тугоплавкого компонента получают путем охлаждения раствора-расплава или испарением растворителя аналогично тому, как кристаллы сульфата меди образуются нз водного раствора. Получение кристаллов рубина стало возможным только благодаря тому, что было уже известно, что рубин состоит нз окиси алюминия и примеси окиси хрома, придающей ему красный цвет. [c.23]

ФТОРЙДЫ — соединения фтора с др. элементами. Высокая активность фтора позволяет получать соединения даже с инертными газами. Во Ф. элементы способны проявлять высшие валентности, образование субфторидов малохарактерно. Среди ионных галогенидов Ф. наиболее тугоплавки и термически устойчивы. Их расплавы высокоагрессивны, растворяют окислы и др. вещества. Ф. используют для выращивания монокристаллов тугоплавких веществ, в электролитическом произ-ве алюминия и др. активных металлов, в оптике (Ф. кальция, Ф. лития), в качестве теплоносителей и рабочих веществ в атомной энергетике, как флюсы для сварки тугоплавких металлов. Меж-галоидпые соединения фтора с хлором — окислители ракетных топлив. [c.680]

В работе [139, с. 127 ] описан метод выращивания монокристаллов dS в контролируемых газовых средах составляющих элементов — кадмия или серы. Цвет получаемых монокристаллов dS и их структура зависели от давления кадмия или серы. Полые конические монокристаллы dS были выращены из паровой фазы с различными температурными градиентами в вакууме и различных, средах (На, HaS) с использованием в качестве флюса Na l и добавлением небольшого количества d lj [159]. [c.53]

Игольчатые кристаллы ТЮ2, Zr02, У Ге20з. Для выращивания игольчатых кристаллов двуокиси титана из растворов в расплаве ранее использовались расплавы боратов щелочных металлов [20] с добавками окиси алюминия [21]. Существенным недостатком щелочноборатных флюсов является медленное растворение в воде и кислотах. В то же время известно, что фторсодержащие силикатные стекла обладают пониженной химической устойчивостью в растворах кислот и щелочей вследствие того, что ионы фтора в стекле частично замещают кислород, тем самым разрыхляя структуру стекла [22, 23]. По аналогии с силикатными стек- [c.206]

Наиболее широко распространенным методом выращивания в многокомпонентных системах является, по-видимому, кристаллизация из растворов в расплавах солей, ибо если как следует поискать, то почти всегда можно подобрать для данного кристалла растворитель в виде расплавленной неорганической соли. По вопросам выращивания кристаллов методом из раствора в расплаве имеются обзоры [49, 64]. При выращивании кристаллов в расплавленных неорганических солях, флюсах или расплавленных металлах используют высокую растворимость кристаллов тугоплавких соединений в неорганических солях и окислах при температурах, превышающих температуру плавления последних. В число обычных растворителей, используемых в виде расплавленных солей, входят KF, РЬО, В2О3 и их смеси. Обычно поступают так компоненты в количестве, достаточном для образования кристалла, растворяют при температуре, несколько превышающей температуру насыщения, а затем тигель (обычно из платины) медленно охлаждают. Рост происходит на спонтанно образовавшихся зародышах. Когда соответствующий цикл охлаждения завершен, иногда оказывается возможным вынуть тигель из печи, слить избыток расплава и механическим путем извлечь полученные кристаллы. Но чаще приходится отделять (выщелачиванием) затвердевший расплав от образовавшихся кристаллов с помощью растворяющего расплав и не действующего на кристаллы растворителя. В качестве таких растворителей часто пользуются сильными неорганическими кислотами. Ясно, что выращивание кристаллов на затравках значительно расширит возможности и повысит ценность метода выращивания из раствора в расплаве, но до сих пор все исследования по росту, за малым исключением [65, 129], проводились в отсутствие специально введенных затравок. [c.311]

Некоторые из указанных частей тепловой технологической зоны могут отсутствовать. Например, возможны установки, обеспечивающие бестигельные процессы выращивания профилированных кристаллов. С другой стороны, формообразующее устройство может содержать и некоторые дополнительные элементы, в частности флюс, герметиаирующий поверхность расплава и т. п. [c.110]

Выращи- ваемый кристалл Условия выращивания Темпера- тура кристал- лизации, Темпера- тура плавления флюса, Плотность вблизи температуры кристаллизации, г см Поверхностное натяжение на границе Капиллярная постоянная а [c.132]

Рассмотренные закономерности, имеющие место при использовании слоя компенсирующей жидкости (флюса), были экспериментально подтверждены в работе [66] при выращивании кристаллов арсенида галлия из-под слоя флюса В2О3. Полученные результаты сопоставлялись с параметрами процесса выращивания арсенида галлия без флюса в атмосфере мышьяка. В табл. 5 приведены физические свойства систем и для сравнения— данные по германию, выращиваемому в атмосфере аргона. [c.132]

Широкое применение в различных приборах благодаря высоким значениям подвижности электронов и ширины запрещенной зоны находят монокристаллы арсенида галлия (GaAs). Основная трудность в еще более широком использовании GaAs связана с тем, что это соединение разлагается при нагревании. Эта особенность приводит к необходимости выращивания кристаллов GaAs в герметичных системах в атмосфере мышьяка под давлением, либо в установках обычного типа, но под слоем легкоплавкого солевого или окисного флюса [388]. Вопросы роста профилированных монокристаллов арсенида галлия из-под слоя флюса рассматривались в главе 4. [c.227]

На базе разработки научных основ способа конструируются установки для выращивания профилированных кристаллов. При конструировании тепловых технологических зон применены современные теплофизические методы исследований теплообмена и моделирования теплового поля в кристаллизаторе. Найдены условия, определяющие выбор между формообразователями, смачиваемыми и не смачиваемыми расплавом, выполнена работа по поиску материалов формообразователей, химически инертных к расплавам, отработана технология выращивания профилированных монокристаллов из-под флюса. В результате разработаны установки для промышленного выращивания профилированных кристаллов германия, кремния, сапфира разных форм. Уже на стадии отработки оборудования показано, что выращенные кристаллы могут найти применение в разных отраслях науки и техники. Например, ленточный кремний — для солнечных фотоэлектропреобразователей, сапфировые трубки — в качестве важной детали натриевых ламп высокого давления и т, п. [c.255]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология