Фотошаблон

Композиции предназначены для экспонирования через растровый фотошаблон. [c.152]

Фотошаблоны по хрому и диоксиду кремния, БИС [c.280]

Изготовление железоокисных фотошаблонов контактным и проекционным способами, ИС [c.280]

Более высокую разрешающую способность обеспечивает фото-рельефная печать. Этот метод основан на фоточувствительности некоторых органических соединений, что позволяет получать требуемый рисунок путем нанесения сплошной фоточувствительной органической пленки с последующей обработкой светом через фотошаблон. Облученные участки приобретают иные физико-химические свойства по отношению к растворителям, что позволяет произвести избирательное удаление пленки в процессе последующего проявления с выявлением требуемого рисунка. Например, при субтрактивном методе изготовления печатных плат применяют защитную маску под которой при последующем травлении должна сохраниться фольга в виде заданного рисунка проводниковых соединений. Защитную маску из теплостойкого лака применяют на всех печатных платах для локализации зоны лужения и пайки на контактной площадке. [c.164]

Установим требования к точности и разрешающей способности рисунка фотошаблона для печатных плат. Исходным документом является чертеж платы, где указано число слоев, ширина проводников и зазоров между ними и другие данные, определяющие поле технологических размерных допусков. Минимально возможные размеры ширины проводников и зазоров между ними (разрешающая способность) устанавливаются с учетом двух условий — эксплуатационных к производственных, [c.164]

R ii о> о/ Ш1 где Rm — заданная разрешающая способность фотошаблона Ro — технически выполнимая разрешающая способность фотооригинала Дш — заданный допуск на фотошаблон До — технически выполнимый допуск на фотооригинале. [c.166]

Поэтому экспонирование в вакуумной раме необходимо проводить не только для плотного, беззазорного совмещения фотошаблона и слоя ФПК, но и для ослабления кислородного ингибирования. [c.187]

Экспонирование (П1 стадия) следует производить в течение нескольких секунд параллельным пучком УФ света с высокой энергией, спектральная характеристика которого согласована со спектральной характеристикой ФПК. Наибольшее распространение для экспонирования имеют лампы ЛД-40 и ЛУФ-80, применяемые в установках с расстоянием лампа — подложка 50 мм. Время экспонирования обычно составляет 1 —10 мин в зависимости от источника света, плотности фотошаблона и состава ФПК- [c.193]

Радиопромышленность Контроль качества печатных плат на телевизионных и оптических проекторах, контроль геометрии фотошаблонов и др. [c.487]

Для контроля прецизионных изделий типа фотошаблонов применяют телевизионные (ТВМ) и фотоэлектрические (ФЭМ) микроскопы, имеющие высокое пространственное разрешение (до 0,01 мкм при полях зрения порядка 0,1 мм). Для измерений средней точности используют измерительные микроскопы различных конструкций оптико-механического типа. [c.504]

Фотошаблоны. Общие технические условия 4 071.076—84 Система автоматизированного проектирования. Микросхемы [c.111]

Система автоматизированного проектирования. Микросхемы полупроводниковые. Фотошаблоны. Термины, определения и буквенные обозначения Система автоматизированного проектирования. Язык описания логической схемы БИС Организация работ по созданию гибких производственных систем. Основные положения Кристаллы специализированных больших и сверхбольших интегральных схем. Состав и требования к конструкторской документации при автоматизированном проектировании Альбомы рабочих чертежей унифицированных изделий. [c.112]

Оригиналы и фотошаблоны печатных плат. Типовые технологические процессы. (Ред. 1—76). — Взамен ОСТ 4 ГО.054.052. (Ред. 1—72) [c.137]

Пластины маскированные для фотошаблонов. Термины и [c.272]

Заготовки и пластины для фотошаблонов интегральных [c.289]

Установка экспонирования предназначена для проведения процессов экспонирования одно- и двусторонних печатных плат с нанесенным на них фоторезистом. Прижим плат с фотошаблоном осуществляется в вакуумных рамах насосом-компрессором, создающим вакуум. Освещенность, создаваемая ртутными лампами, 80 ООО лк. [c.57]

ФП-617 30,0 22,0-24,0 2,0/1.0 0,1 интеграции Фотошаблоны по хрому и диоксиду кремния, БИС [c.280]

ФП-626 Ф П-636 18,0 2,0 22,Э 2,0 2,0/1,0 0,1 Изготовление железоокисных фотошаблонов контактным и проекционным способами. ИС [c.280]

Фотолитография включает след, стадии нанесение слоя фоторезиста на пленку 8Ю2, покрывающую кремниевую пластину экспонирование слоя фоторезиста через фотошаблон-стеклянную пластину с множеством одинаковых рисунков областей прибора проявление слоя фоторезиста получение оксидной маски травлением пленки 810 через окна в проявленном фоторезисте удаление фоторезиста. Используют фотолитографто контактную (фотошаблон контактирует со слоем фоторезиста) и проекщюнную, осуществляемую либо однократным проецированием фотошаблона с множеством структур на всю пов-сть пластины, либо пошаговым экспонированием, при к-ром на пластину с определенным сдвигом (шагом) многократно проецируют фотошаблон с изображением одной структуры. Кроме фотолитографии используют также рентгеновскую и электронную литографию. [c.557]

Ф. обычно включает 1) нанесение фоторезиста на металл, диэлектрик или полупроводник методами центрифугирования, напыления или возгонки 2) сушку фоторезиста при 90-110 °С для улучшения его адгезии к подложке 3) экспонирование фоторезиста видимым или УФ излучением через фотошаблон (стжло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения осуществляется с помощью ртутных ламп ( и контактном способе экспонирования) или лазеров (гл. обр. при проекц. способе) 4) проявление (визуализацию) скрытого изображения imeM удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и орг. р-рителями либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда 5) термич. обработку (дубление) полученного рельефного покрьп ия (маски) при 100-200 С для увеличения его стойкости при травлении 6) травление [c.171]

Процесс изготовления микроаналитических систем базируется на технологиях, использующихся при производстве интегральных схем (чипов). В их основе лежат хорошо изученные и отработанные на практике процессы фотолитографии и травления либо в растворах, либо в газовой фазе (например, реакционное ионное травление). На рис. 15.2-1 представлен типичный процесс изготовления устройства с системой микроканалов. Подложку, обычно из кремния, стекла или кварца (в принципе, возможно использование полимеров), покрьшают пленкой металла (обычно хром или золото с тонким слоем хрома для улучшения адгезии) и слоем фоторезиста. Затем с использованием фотошаблона, на котором нанесен рисунок будущего микроустройства, поверхность подвергают действию УФ-излучения. После соответствующей химической обработки (проявления) пленка фоторезиста удаляется с участков, подвергнутых экспозиции. Пленка металла, не защищенная фоторезистом, удаляется в травильных ваннах. Затем, на второй стадии травления травится и сама подложка (обычно в НГ/НКОз или КОН). В зависимости от выбранного травителя и типа подложки получающиеся микроканалы имеют различный профиль. Стеклянные и другие аморфные подложки обычно изотропны по свойствам и травятся с одинаковыми скоростями в любом выбранном направлении. Протравленные каналы, как правило, имеют скругленные кромки. На монокристаллических кремниевых или кварцевых подложках в присутствии подходя1цих травителей возможно анизотропное травление, приводящее к получению каналов со специфичными профилями, зависящими от расположения кристаллографических плоскостей, подвергнутых травлению. На заключительной стадии процесса по- [c.642]

Азидсодержащие фоторезисты могут быть использованы для создания контрастных фотошаблонов, защищающих от УФ-излучения при экспонировании светом 340—450 нм [яп, заявка [c.144]

Сохранение размеров изображения, задаваемого фотошаблоном, в большой степени зависит от того, насколько уменьшен эффект стоячих волн, возникающих в слое фоторезиста при отражении света от подложки. Считается, что для точного воспроизведения размеров изображения, заданного фотошаблоном, важно сохранить значения поглощения света композиций во все время экспонирования, несмотря на падение по мере облучения оптической плотности собственно диазидного компонента. С этой целью в фоторезисты вводят соединения, повышающие экстинкшию всей системы в целом. Предлагается [пат. США 4287289, 4268603 заявка Японии 53—151842] в обычные композиции резистов вводить моно- и бисазокрасители, обладающие высокими коэффициентами экстинкции в области 330—430 нм, следующих формул [c.148]

Фотошаблоны для применения в печатных процессах. При фоторельефтгой печати инструментом служит рабочий фотошаблон, содержащий непрозрачный рисунок проводников или пробельных участков в натуральную величину. При изготовлении трафарета для трафаретной печати также необходим фотошаблон. В обш,ем случае применяют комплект фотошаблонов, совмещаемых друг с другом с высокой точностью. [c.164]

Эталонный инструмент для изготовления рабочих фотошаблонов. Для получения требуемых фотошаблонов, обладающих достаточной износостойкостью при частом контакте с экспонируемой поверхностью, необходим исходный точный эталонный фотошаблон. Он используется как первичный инструмент. Редкое использование такого инструмента позволяет применить тонкую светочувствительную эмульсию. Рисунок на эталонном фотошаблоне можно получить прямым способом и путем пересъемки. Прямой способ позволяет изготБвить эталонный фотошаблон непосредственно в натуральную величину с помощью фотокоорди-наюграфа, который вычерчивает на светочувствительной эмульсии точный рисунок тонко сфокусированным световым лучом, управляемым программой, записанной на перфоленте. Программа содержит набор команд для шагового перемещения луча по двум координатам. Один шаг перемещения (кадр) соответствует прямолинейному участку рисунка. Программное управление позволяет компактно [c.165]

При необходимости получить более высокую разрешающую способность и точность применяют способ пересъемки. В этом случае вначале выполняют фотооригинал — чертеж конфигурации технологического слоя структуры (печатной платы или микроузла), предназначенный для получения фотошаблона, и содержащий рисунок в увеличенном масштабе. Погрешности в размерах уменьшаемого при пересъемке рисунка снижаются в число крат выбранного уменьшения. При этом способе вместо фотокоординатографа применяют координатограф с резцом для изготовления крупномасштабного фотооригинала (например, координатограф 706) и репродукционную камеру для уменьшающей пересъемки (например, установка ФАП-7). [c.166]

В репродукционной камере держатель фотооригинала и собственно камера с объективом закреплены на одной масивной станине, изолированной от вибрации здания. Объектив не должен вносить искажений по всей площади изображения, поэтому при изготовлении фотошаблонов для печатных плат и микроузлов предпочтителен не короткофокусный, а длиннофокусный объектив, например, с фокусным расстоянием 450 мм. Станина репродукционной камеры должна обеспечивать установку расстояния от фотооригипала до объектива около 4 м (напри-кер, камера ФАП-7). [c.166]

Фотоэмульсию экспонируют через фотошаблон или, при мелкосерийном производстве, с помощью фотокоординатографа (см. гл. П, 2) с последующим проявлением и закреплением. [c.182]

Экспонирование производят через фотошаблон, не отделяя верхней прокладки, которая защищает тонкий слой ФР от повреждений при экспонировании. При этом образуется зазор в 25 мкм между фотошаблоном и слоем ФР. Чтобы избежать искажения размеров из-за рассеяния света в зазоре, необходимо применять строго параллельный световой поток. При использовании ртутной лампы нысокого давления 1IPK-7 или ДРШ-1000 с излучением 0,35 мкм экспозиция составляет 60 с в установке с интенсивным водяным охлаждением. После экспонирования для завершения темновой фотохимической реакции необходима выдержка при комнатной температуре в течение 30 мин перед удалением верхней защитной пленки. Обе защитные пленки уничтожают из-за наличия на них следов токсичного фоторезиста, вызывающего раздражение кожи. [c.189]

К числу светочувствительных материалов в известной мере можно отнести и тонкие ферроэлектрические пленки 8гВ 2Ха209, полученные из соответствующих светочувствительных растворов на Рг/Х1/8102/51 подложках путем УФ-облучения через фотошаблон. Длительное УФ-облучение (900 мДж/см ) позволяет получить позитивное изображение с разрешением до 1 мм [324]. [c.292]

Контролируемый объект (фотошаблон и т.п.) устанавливается в иммерсионной кювете для устранения влияния оптических неоднородностей материала его подложки. Если дефектов (отклонение в топологии рисунка, царапины) нет, то в плоскости наблюдательного экрана видно только контурное изображение объекта. При наличии дефектов, обычно имеющих широкий дифракционный спектр, их спектральные компоненты проходят мимо зафадительной маски и формируют изображение на экране в виде светлых пятен. Оператор ведет отбраковку в соответствии с критериями годности. Процедура контроля однотипных изделий может быть автоматизирована, Эффективно применение телевизионных систем наблюдения. Пофешность установки объекта в кювете не должна превышать 0,01 мм. Наклоны объекта не должны превышать 0,5°. [c.513]

Муаровый интерферометр с решетками описанного типа широко применяется в автоматических устройствах, связанных с точными измерениями линейных и угловых перемещений. На этой основе созданы делительные машины с интерференционным управлением для изготовления дифракционных решеток, универсальные измерительные микроскопы с цифровым отсчетом, компараторы, длиномеры, генераторы изображения и фотоповторители для изготовления фотошаблонов микроэлектронных схем, стереокомпараторы для измерения координат, приборы для гамма-резонансного анализа и ряд других точных измерительных устройств. Часть этих приборов выпускается серийно. [c.63]

Для повышения разрешающей способности копирования с фотошаблона при экспонировании в большинстве случаев применяют контактную печать (рис. 3.93), однако в этом случае резист., нанесенный на кристалл, прилипает к фотошаблону и загрязняет его, что является основной причиной снижения выхода годных изделий. Избежать орилипания удается путем нанесения на фотошаблон мономо-лекулярного слоя фторсодержащих силанов, обладающих низкой поверхностной энергией. При этом увеличивается срок службы хромовых масок, повышается выход годных изделий и на порядок снижается число дефектов, обусловленных прилипанием [60]. [c.264]

Приборы электровакуумные. Г азопоглотители титановые высокопористые со встроенными крепежными элементами. Технологический процесс Пластины из стекла для фотошаблонов. Механическая обработка. Технологический процесс. — Взамен ОСТ 11 аЯО.054.004—71 Изделия электронной техники. Пластины лейкосапфира. [c.145]

ОСТПП. Платы печатные. Фотошаблоны. Общие технические [c.339]

Рассмотренный метод фотоселективной металлизации субстратов позволяет заменить процессы с фототравлением, применением фоторезистов и медной фольги процессами аддитивной технологии печатных плат [61], повысить разрешение сравнительно с галоген- серебряными материалами при изготовлении фотошаблонов для интегральных схем [72]. Имеются указания и о применимости процессов с физическим проявлением непосредственно для изготовления интегральных схем [57]. Поскольку олеофильное металличе- [c.88]

В том случае, когда пленочный фоторезист наносится с целью защиты от вытравливания (негативный процесс) применяют фоторезист толщиной 20 мкм, для защиты от осаждения металла при гальванических операциях используются фоторезисты толщиной 40 и 60 мкм. После накатки СПФ заготовки плат выдерживают в течение 30 мин при комнатной температуре в темном месте для снятия внутренних напряжений, после чего платы подвергают экспонированию. Операция экспонирования заключается в следующем на слой фоторезиста в специальном приспособлении, обеспечивающем точное совмещение рисунка схемы с отверстиями на заготовке, накладывается фотошаблон печатной схемы приспособление помещается в светокопировальную раму, где под действием сильного источника света (ртутно-кварцевые лампы) происходит задубливание фоторезиста на освещенных участках. Продолжительность экспонирования подбирают опытным путем в пределах 0,5—2,0 мин. После экспонирования следует операция проявления, т. е. растворение и удаление фоторезиста с незадубленных светом 216 [c.216]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология