Неправильный рост

Структурные пересыщения — неправильный рост кристаллов, дефекты в кристаллической решетке, изменения расстояний между узлами решетки— деформация решетки, недостаток или избыток атомов в решетке и т. п. [c.219]

Причины мозаичности заключаются в неправильном росте кристаллов (образование дендритов). Грани растущего кристалла могут адсорбировать посторонние вещества, наличие которых нарушает его рост. [c.149]

VII.78. Правильный и неправильный рост. Поскольку мы еще далеки от понимания механизма правильного роста, то в случае неправильного роста приходится ограничиться лишь кратким обсуждением. Когда кристалл находится в контакте с раствором, расплавом или паром при очень малых пересыщениях, он растет правильно , т. е. грани кристалла прозрачные, общие очертания выпуклые, без входящих углов, форма более или менее изометричная. Если пересыщение возрастает, происходят различные отклонения от правильного роста, которые лучше всего описать на реальных примерах. Предельное пересыщение, при котором правильный рост сменяется неправильным, варьирует от случая к случаю. Неясно даже, можно ли для некоторых кристаллов вообще добиться правильного роста. [c.251]

По-видимому, образование игл и других форм неправильного роста связано прежде всего с изменением механизма роста и следующего из него закона роста, когда пересыщение превышает определенную величину. Это может иметь место для очень многих кристаллов. Внешнее диффузионное поле будет в этом случае играть роль вторичного фактора, изменяющего пересыщение на поверхности. Надо, однако, добавить, что пока нет каких-либо определенных соображений, с молекулярной точки зрения объясняющих смену механизмов роста, которая происходит при определенных пересыщениях и вызывает неправильный рост. [c.253]

Обсудим более детально некоторые частные формы неправильного роста. [c.254]

VII.87. Включения. Другой тип неправильного роста — образование включений. Кристаллы, растущие из раствора, часто содержат полости, заполненные этим раствором, а иногда и газами, которые первоначально были растворены в жидкости. Включения могут иметь форму узких щелей или пустот, расположенных параллельно растущей грани, или же они могут быть изометричными. Стенки включений обычно параллельны главным кристаллографическим плоскостям, как правило, — растущим граням. Включения очень часто присутствуют в минералах, и их содержимое дает ценные указания о природе той жидкости, из которой росли кристаллы. [c.255]

Факторы, ограничивающие скорость роста. Когда кристаллы выращиваются из любой жидкой фазы, скорость роста ограничена пересыщением, которое можно использовать. Пересыщение же в свою очередь ограничено обычно одним из трех факторов, а именно а) началом неправильного роста б) началом поликристаллического роста в) началом зародышеобразования в жидкой фазе. Часто хорошие кристаллы можно вырастить только при низких пересыщениях, иногда при чрезвычайно низких. При более высоких пересыщениях кристалл может начать расти в совершенно другой форме, например, на концах кристалла могут образовываться иглы или расти дендриты. Различные формы неправильного роста уже обсуждались в разделах П.78— П.90. [c.258]

Образование игл иногда приписывают только влиянию диффузионного поля — кончик иглы всегда находится в неистощенном растворе. Это объяснение, однако, неприемлемо в числе прочих и по той причине, что оно не может объяснить других форм неправильного роста. Кроме того, нужно было бы ожидать, что перемешивание должно неблагоприятно сказываться на росте игл, но такие наблюдения неизвестны. [c.283]

Углы погасания. Как было показано на стр. 250, при вращении кристалла между скрещенными николями кристалл проходит каждые 90° через положение погасания. По отношению к внешним огранениям и спайности погасание может быть прямое, симметричное и косое эти случаи показаны на рис. 66. Прямое и симметричное погасания характерны для кристаллов гексагональной, тригональной, тетрагональной и ромбической систем независимо от ориентировки кристалла. Погасание называется симметричным, если плоскости колебаний анализатора и поляризатора делят пополам двугранные углы между гранями кристалла. При неправильном росте и развитии кристалл по внешнему виду может сильно отличаться от соответствующей ему идеальной формы, тем не менее деление углов пополам сохранит свою силу. Прямое погасание, а реже — симметричное, имеет место у моноклинных кристаллов только в том случае, когда кристалл рассматривается перпендикулярно к оси Ъ. За этим исключением, моноклинные и триклинные кристаллы дают прямое или симметричное погасание только в исклю- [c.266]

Неправильно. Рост некоторых РНК-содержащих вирусов ингибируется актиномицином О. Ретровирусы, например, ингибируются актиномицином В потому, что они сначала превращаются в ДНК с участием обратной транскриптазы, а затем транскрибируются обычным путем, который чувствителен к актиномицину В. Было бы правильно сказать, что если рост вируса не ингибируется актиномицином В, то это должен быть РНК-содержащий вирус . [c.301]

Недостатком йода вызываются заболевания, связанные с неправильной деятельностью щитовидной железы (базедова болезиь, зобатость), с недостатком брома связаны некоторые нарушения функции гипофиза и психические расстройства, недостаток фтора обусловливает неправильный рост зубов. [c.28]

Пониженное содержание неоргаИйЧеСкого фосфата в крови при рахите не только затрудняет отложение фосфорнокислых солей кальция в костной ткани, но и создает условия для выхода фосфатов кальция (Р и Са) в кровь из костей скелета. Это и приводит с течением времени у больных детей к деминерализации костей, их размягчению, искривлению и неправильному росту. [c.154]

Второй тип реакции тканей характеризовался гипертрофией и гиперплазией и наблюдался на корнях, выросших в обработанном линданом песке (рис. 2). Нормальная картина строения кончика корня изменялась очень сильно. Неравномерное увеличение беспорядочно расположенных клеток осевого цилиндра и отчасти коры привело к общему расширению всего корня. Усиленное деление клеток, главным образом клеток осевого цилиндра, нарушило нормальную картину срезов корня. Наиболее активное деление отмечено в перицикле. Ксилема и флоэма у гороха повреждалась меньше, у кукурузы — сильнее. Неправильный рост клеток и их усиленное деление привели к чрезвычайной дезорганизации в строении этих элементов. Клетки меристемы гороха часто дифференцировались в трахейные, в корневом чехлнке обнаруживались некротические пятна. Линдан вызывал преждевременную диффе- [c.213]

Явление вицинальных граней описывается Майерсом следующим образом Но многие кристаллы имеют гладхсие плоские грани, которым нельзя приписать простых индексов. Они не могут быть никоим образом игнорированы илп приписаны неправильному росту. Они симметр1гчны в соответствии с симметрией кристалла и замещают простые формы, которые имели бы низкие индексы . [c.209]

VII. 28. Образование поликристаллических агрегатов, связанное с неправильным ростом. Если наблюдать за ростом кристаллов в сильно перемешиваемом растворе или расплаве в микроскоп, то очень часто видно, что кристалл растет за счет быстрого развития дендритных или иглоподобпых ветвей на поверхности кристаллов или же рост может происходить так, как описано в разделе 111.27. Хотя дендриты или подобные им образования первоначально являются частью решетки исходного кристалла, они достаточно легко поддаются изгибам и принимают ориентацию, прогрессивно отклоняющуюся от ориентации материнского кристалла. Затем [c.224]

VII.82. Общая причина ненравильного роста. Как уже указывалось, неправильный рост проявляется только в тех случаях, когда пересыщение превышает определенную йеличину. Например, в описанных выше экспериментах с MgSOi 7HaO при переохлаждении А Г вплоть до 5° С растут неискаженные кристаллы, но при больших значениях АГ образуются полые формы и иглы. В случае КВг выше определенного пересыщения форма роста меняется от правильного куба до агрегата разориентированных кубиков. [c.252]

В-третьих, неправильный рост КВг при пересыщениях выше некоторого предела, имеет совершенно такой же характер, что и для Мд304 7Н2О. Но в случае КВг образуется агрегат кубических блоков, к которым предложенный механизм неприложим. Тем не менее общие закономерности поведения обеих систем очень сходны, так что можно полагать, что главная причина неправильного роста одна и та же в обоих случаях. [c.253]

VII.90. Соматоиды. Соматоиды являются еще одной очень любопытной формой неправильного роста. Они состоят из двух или четырех отростков, напоминающих лопасти пропеллера или лучи морской звезды. Каждый отросток является отдельным монокристаллом, и соединяются они в центре, из которого зародились. Очевидно, они имеют какое-то отношение к сферолитам форма соматои-дов очень своеобразна. [c.256]

Более простую методику предлож ил Хортон [64], а Филдинг [51] позже несколько усовершенствовал ее. Прибор состоит из широкой стеклянной трубки, заполненной двумя несмешиваюш,имися жидкостями. Верхний слой нагревается до температуры, значительно превышающей точку плавления выращиваемого кристалла. При использовании глицерина и силиконового масла — оба они имеют низкую теплопроводность — на границе этих двух жидкостей устанавливается очень резкий градиент. Медленно опуская контейнер для выращивания кристаллов через эту границу, можно легко получить крупные кристаллы. Поскольку градиент очень резкий, термостатирование не требуется. Единственным условием является очень прочная установка прибора, так как любая вибрация поверхности раздела приводит к сильному искажению градиента и тем самым к неправильному росту кристалла. Автору часто приходилось иметь дело с этим методом и выращивать большое количество крупных органических кристаллов. Другое достоинство метода заключается в возможности его универсального использования. Один и тот же прибор служит для выращивания как крупных, так и мелких кристаллов, поскольку позволяет использовать контейнеры для кристаллов самых различных форм и размеров. При очень высоких температурах — для твердого органического состояния они лежат уже выше 300° С — масла испаряются слишком быстро, поэтому метод применим лишь к веществам, которые плавятся ниже этой температуры. Однако сюда входит большая группа обычно используемых веществ. [c.18]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология