Кристаллы пересыщения

Размеры кристаллизационного объема выбираются таким образом, чтобы скорость движения пересыщенной жидкости была достаточно низкой, что создает лучшие условия для роста кристаллов Нижняя часть аппарата—кристаллизационный объем — имеет конфигурацию, обеспечивающую плавное уменьшение скорости потока снизу вверх, благодаря чему создается классифицированный слой кристаллов Пересыщенный раствор, проходя через такой слой кристаллов снизу вверх, встречается сначала с более крупными, а затем с более мелкими кристаллами, вследствие чего система обеспечивает получение весьма крупных кристаллов Крупные однородные кристаллы собираются в нижней части кристаллизационного объема и в виде суспензии, содержащей около 20% твердой фазы, откачиваются насосом 9 в сгустители 19 и 22. Здесь происходит дальнейшее уплотнение суспензии до содержания твердой фазы 50—60%, после чего она поступает на центрифуги 20 и 23 Маточный раствор после центрифуг собирается в сборниках 21 и 24, откуда возвращается в испаритель-кристаллизатор 8 и 14. Кристаллы сульфата аммония с влажностью около 2% из центрифуг транспортером 25 подаются в сушилку 26. [c.213]

Для очистки перекристаллизацией камфару растворяют в каком-либо растворителе. Присутствующие в камфаре нерастворимые вещества отфильтровывают или отделяют декантацией после этого раствор медленно превращают в пересыщенный, в результате чего часть камфары постепенно выделяется из раствора в виде кристаллов. Пересыщенный раствор получают постепенным изменением его температуры или методом отгонки [c.158]

Появившиеся включения раствора свидетельствуют о том, что при существующем размере кристалла и скорости перемешивания раствора (или движения кристалла) пересыщение велико. Для его уменьшения по прошествии следующих 12 ч либо вообще не снижают температуру, либо снижают ее на 0,2—0,3° С. Если наблюдение за поверхностью в отраженном свете показывает, что грани стали гладкими, т. е. включения заросли, необходимое снижение пересыщения найдено. [c.78]

Изогидрический кристаллизатор с псевдоожиженным слоем кристаллов изображен на рис. 14.10. В кристаллизаторах этого типа возможно регулирование размеров получаемых кристаллов. Кристаллизатор состоит из корпуса 1, циркуляционного насоса 2, теплообменника 3 и отстойника для мелких кристаллов 4. Горячий раствор поступает через штуцер 5 во всасывающую циркуляционную трубу 6 и смешивается с циркулирующим по замкнутому контуру маточным раствором. Протекая через холодильник 5, раствор охлаждается и становится пересыщенным. Пересыщенный раствор по трубе 7 поступает в нижнюю часть корпуса кристаллизатора и поднимается вверх, поддерживая растущие кристаллы во взвешенном состоянии. По мере движения раствора через псевдоожиженный слой кристаллов пересыщение снижается. Готовый кристаллический продукт выводится из нижней части аппарата через штуцер 8. [c.360]

Такой коллоидный раствор (студень) очень неустойчив и уже через короткий промежуток времени, измеряемый минутами, начинает терять маслянистый блеск, становясь матовым вследствие образования кристаллов, т. е. процесса кристаллизации. При этом происходит образование более крупных кристаллов, нарушается устойчивость системы, так как раствор, насыш,енный по отношению к мелким кристаллам, пересыщен по отношению к крупным. В результате крупные кристаллы растут и снижают концентрацию вещества в растворе. Это нарушает равновесие раствора с мелкими кристалликами, которые растворяются, стремясь повысить концентрацию до предела насыщения. [c.35]

Дана методика обработки экспериментальных данных по скорости роста кристаллов аскорбиновой кислоты из водного раствора этанола. Получена функциональная зависимость ожидаемой скорости роста кристаллов аскорбиновой кислоты от размеров кристаллов, пересыщения, температуры раствора и концентрации спирта р растворителе. Табл. 2, рис. 2, библиогр. 5 назв. [c.167]

Качество кристаллов бикарбоната натрия, полученного на стадии карбонизации аммиачно-содового производства, определяет технологические условия проведения этого процесса и, прежде всего — режим работы зоны начала образования кристаллов и режим работы зоны охлаждения суспензии. Длительным опытом эксплуатации карбонизационных колонн установлено, что для получения хорошо фильтрующейся бикарбонатной суспензии необходимо поддерживать максимально возможную температуру в зоне завязки кристаллов, не допускать повышения концентрации СОг в выходящем из колонны газе выше определенного уровня и резкого охлаждения суспензии на входе в зону охлаждения колонны. Эти легко контролируемые показатели дают косвенную оценку основных факторов, определяющих получение качественных кристаллов,— пересыщения раствора бикарбонатом натрия и скорости его кристаллизации в тех зонах, где они достигают максимального значения. Величина максимально допустимых значений пересыщения определяет как предельную производительность существующих типов карбонизационных колонн, так и возможности изменения их конструкции с целью интенсификации процессов абсорбции СОг н охлаждения. [c.111]

На рис. 3.19 показана схема устройства изогидрического кристаллизатора непрерывного действия с псевдоожиженным слоем кристаллов. Исходный горячий раствор поступает во всасывающую циркуляционную трубу 6, где смешивается с циркулирующим по замкнутому контуру маточным раствором. В холодильнике 4 раствор, охлаждаясь, становится пересыщенным. В корпусе 1 происходит выпадение кристаллов, их рост в слое, псевдоожиженном движущимся снизу вверх раствором. Вследствие выпадения кристаллов пересыщение раствора снижается. Суспензию, включающую достаточно крупные кристаллы, непрерывно выводят из нижней части аппарата, и периодически - из отстойника 3. [c.65]

В условиях одновременной кристаллизации на катоде двух металлов возможно образование как однофазных систем пересыщенного твердого раствора, так и двухфазных систем, состоящих из кристаллов пересыщенного твердого раствора и кристаллов электроотрицательного металла. [c.40]

Оценим кинетические константы. Для каждого падающего кристалла можно построить зависимость v=v i) и определить величину dvldt с точностью до малых первого порядка dvldt Lv—Подставив dvldt в уравнения (3.185), (3.186), можно разрешить их относительно диаметра сферы, масса которой совпадает с массой падающего кристалла. Подставив найденные значе- ния а в уравнения (3.185), (3.186), легко получить значения для скоростей роста кристаллов в соответствующих временных точках. Однако в нашу задачу входит не только определение скоростей роста по длине трубы, но и определение влияния на скорость роста кристалла пересыщения, температуры раствора, скорости обтекания кристалла раствором, вязкости и плотности среды, окружающей его. Если кристаллизация идет во внешней области (диффузионной), то массовую и линейную скорости роста кристалла можно представить в виде [c.295]

Охлаждение раствора без перемешивания (спокойная кристаллизация). При этом в начальный момент появления первых кристаллов пересыщение раствора может быть [Значительным и постепенно в течение длительного времени снижается до нуля. Метод спокойной кристаллизации нередко применяется до настоящего времени при небольших масштабах производства и в препаративной практике. [c.95]

Изучение в лабораторных условиях закономерностей процесса массовой кристаллизации при периодическом режиме его проведения обладает рядом недостатков. Основной из них состоит в том, что в процессе периодической кристаллизации наблюдается изменение условий роста кристаллов в результате понижения температуры раствора. Это значительно усложняет анализ результатов экспериментальных исследовании. В этой связи процесс непрерывной кристаллизации предпочтительнее. Основные взаимосвязи при непрерывной массовой кристаллизации отражает формальная структурная схема (рис. 2.3). В стационарных условиях в аппарате устанавливается некоторая температура ta, которой соответствует равновесная концентрация по целевому компоненту с. Пересыщение П в кристаллизаторе непрерывного действия, создается за счет подачи исходной смеси. Величина П влияет на скорость роста ц 1) и зародыще-образования /, при этом с увеличением П их значения возрастают. Существует обратная связь, заключающаяся в том, что при образовании кристаллических зародышей и за счет роста кристаллов пересыщение П уменьшается. При установившемся режиме величина П остается постоянной, а / и г)(/), в сочетании с гидродинамической обстановкой в аппарате, формируют численную плотность распределения кристаллов по размерам. При работе кристаллизатора полного перемешивания в установившемся режиме концентрация целевого компонента См в жидкости, покидающей аппарат, равна концентрации в объеме аппарата с, то есть См = с. Скорость линейного роста кристаллов, зависящую от П и /, можно представить уравнением (1.75). Затравочные кристаллы в аппарат не подаются. Численная плотность распределения кристаллов по их размерам /(/) определяется уравнением (1.88). [c.83]

Было показано, что относительное пересыщение в местах образования центров кристаллизации в момент их зарождения сильно влияет иа размер частиц осадка. Для того чтобы получить осадок в виде относительно больших отдельных кристаллов, пересыщение должно быть сведено к минимуму. С учетом этого условия был разработан метод гомогенного осаждения. В этом методе осаждающий агент не добавляется непосредственно в раствор, а довольно медленно образуется в результате гомогенной химической реакции в том же растворе со скоростью, сравнимой со скоростью роста кристалла. При этом отнооителыное пересыщение не так велико, как при непосредственном смешивании двух растворов реагирующих веществ. Ниже приведено несколько примеров гомогенного осаждения. [c.231]

Кристаллизация трехкальциевого силиката. Процесс кристаллизации расплава с выделением новой фазы (например, 3S) про ходит последовательно три основные стадии 1) пересыщение жидкой фазы соответствующими окислами, 2) образование центров кристаллизации, 3) рост кристаллов. Пересыщение расплава в клинкере достигается растворением в нем несовершенных кристаллов 2S, СаО и других фаз или переохлаждением насыщенной жидкой фазы. Процесс образования центров кристаллизации 3S может быть самопроизвольным (гомогенным) или принудительным (гетерогенным). В первом случае в расплаве возникают скопления ионов a + и SiO t (сиботаксические группы, ассоциаты) в результате их соударений друг с другом. Размер этих группировок ионов является функцией температуры при понижении температуры величина скоплений возрастает. При достижении ими определенной для каждого данного случая величины и устойчивости в расплаве 198 [c.198]

Известно, что кристаллизация происходит из пересыщенных растворов. В них растворенное вещество проявляет тенденцию к векториальному упорядочению. Находясь благодаря пересыщенности в тесном взаимоотношении, молекулы или ионы растворенных веществ образуют кристаллизационные центры, вокруг которых начинается нормальный рост кристаллов. Пересыщенность при образовании практически нерастворимых веществ наступает при любом малом количестве вещества. [c.266]

Экспернментальные данные о существовании одних фаз в об-, ласти стабильности других фаз известны уже давно. Еще в 1724 г. Фаренгейт переохладил воду ниже температуры ее замерзания. С тех пор аналогичные явления наблюдались многократно (см., например, обзор [2]). Примерами метастабильного сохранения одних фаз в области стабильности других являются переохлажденные и перегретые жидкости, перегретые кристаллы, пересыщенный пар. Нанример, жидкие железо, никель, кобальт переохлаждены на 300° ниже температуры их плавления [3—5] кристаллический магний перегрет на - 300° выше температуры сублимации [6] пар в отсутствие центров конденсации может достигать многократного пересыщения (это используется в камере Вильсона) перегрев жидкости выше температуры кипения достигает 100° и больше и используется в пузырьковых камерах [7]. Жидкость может существовать в области отрицательных давлений (опыты по всестороннему растяжению жидкости) [8]. [c.86]

Количество циркулирующего раствора определяется из условия, что при прохождении раствора через слой кристаллов пересыщение раствора изменилось 0т5дД0 3, [c.76]

Для очистки камфары перекристаллизацией ее растворяют в каком-либо растворителе. Присутствующие в камфаре нерастворимые вещества отфильтровывают или отделяют декантацией после этого раствор медленно превращают в пересыщенный, в результате чего часть камфары постепенно выделяется из раствора в виде кристаллов. Пересыщение раствора достигают постепенным изменением его температуры или методом отгонки части растворителя. Медленное охлаждение раствора обеспечивает образование крупных кристаллов. Так как количество примесей в камфаре сравнительно невелико, а растворимость их в используемом для перекристаллизации растворителе достаточно велика, при превращении раствора в пересыщенный для камфары он не достигает насыщения для примесей. В результате выпадающая из раствора камфара освобождается от примесей, которые остаются в маточном растворе. На практике происходит неполное разделение, так как кристаллы камфары частично захватывают маточные растворы и, кроме того, вероятно, выпадают смешанные кристаллы камфары и изофенхона. Однако 10 Г. А. Рудаков 145 [c.145]