Рентгеновских лучей отклонение

Прохождение рентгеновских лучей через кристаллическое вещество сопровождается отклонением их от первоначального направления. Это явление называется дифракцией рентгеновских лучей. [c.111]

Уравнение Вульфа—Брегга. Русский физик Г. В. Вульф дал наглядное объяснение отклонению рентгеновских лучей при прохождении их через кристаллическое вещество. Он показал, что рассеивание рентгеновских лучей атомами можно рассматривать как отражение рентгеновских лучей от параллельных атомных плоскостей кристалла. [c.112]

Как следует из данных табл. 27, отклонения от среднего для каждого из свойств значительно различаются. Известно, что физические свойства графита взаимосвязаны. Из изложенного выше следует, что они определяются у искусственных графитов, в основном плотностью (или общей пористостью) и совершенством кристаллической структуры графита. Последняя может быть охарактеризована диаметром или высотой кристаллитов (областей когерентного рассеяния рентгеновских лучей). [c.116]

В результате каждая дифракционная точка вытягивается в дугу, напоминая рентгенограмму ориентированного порошка (раздел П1-1-А). Точки расширяются также вследствие малого размера кристаллических областей в большинстве полимерных волокон. Кроме того, максимумы дифракции рентгеновских лучей могут расширяться из-за отклонений в расположении атомов, т. е. деформации. [c.81]

Это значит, что при достаточном совершенстве текстуры, т. е. при условии, что р близко к нулю, указанное отражение может возникнуть только при очень малой длине волны (например 0,05 А в электронографии). В случае же рентгеновских лучей, где углы составляют десятки градусов, данное отражение может появиться только в случае очень сильного отклонения отдельных микрокристаллов от идеального случая, когда р близко к нулю. И действительно, из формулы (54) видно 1) при р <д os 6>1, что указывает на невозможность возникновения отражения 2) при р = д отражение имеет вид пятна 3) при р > мы получим целый ряд отражений, которые при очень большо М количестве микрокристаллов сливаются в сплошную дугу с максимальным почернением при 6 = 0. [c.67]

Чтобы определить расстояния между атомами в кристалле, на него направляют пучок рентгеновских лучей определенной длины волны и измеряют углы отклонения рентгеновских, лучей электронными оболочками атомов кристаллической решетки (углы дифракции) кроме того, измеряют интенсивности отклоненных (дифрагированных) лучей. Рентгеноструктурный анализ, например, кристаллов хлористого натрия показывает, что ионы N3 и С1 образуют простую кубическую решетку. Методами, основанными на дифракции рентгеновских лучей, можно установить также расстоя- [c.168]

Свойства рентгеновских лучей, упомянутые в последнем пункте, имеют непосредственное отношение к вопросу о природе этих лучей. Отрицательный результат, полученный при проведении опытов по отклонению рентгеновских лучей в электрическом и магнитном полях, [c.136]

Рассмотрим прежде всего /С-уровни. Их значения для большинства элементов собраны в книге Зигбана и даны в табл. 29. Энергии возрастают, грубо говоря, пропорционально квадрату Z, что соответствует первой эмпирической закономерности в рентгеновских лучах, открытой Мозли. Мозли нашел, что квадратные корни из частот линий приближенно являются линейными функциями Z. Если изобразить на графике квадратные корни из частот, измеренных в ридбергах, как функцию Z, то получается удивительно хорошая прямая с наклоном, близким к 1. Чтобы заметить отклонения от закона Мозли, надо построить график /v — X как функцию Е, для того чтобы исключить основной линейный член. Такой график представлен на фиг. 44. [c.313]

Можно упомянуть о том, что найденные структуры любого типа, которые представляют собой идеализированные геометрические формы, являются, по крайней мере в твердом состоянии, довольно редким событием. В твердом состоянии, конечно, возможно точно определить структуры, используя дифракцию рентгеновских лучей. Небольшие отклонения от идеализированных симметричных структур могут быть обусловлены эффектами упаковки кристаллов. Для соотнесения структур реальных молекул н идеализированных форм была разработана соответствующая методика [676]. [c.223]

Стехиометрические нарушения, а также инородные примеси неизбежно вызовут местные искажения геометрического порядка в кристалле. Все эти нарушения могут в ряде случаев привести к тому, что кристалл окажется разделенным трещинами на отдельные микрокристаллические блоки, в той или другой степени скрепленные друг с другом. Такое блочное строение характерно для многих кристаллических тел (например, различные силикагели, алюмогели, активированный уголь и др,), имеющих важное значение в гетерогенном катализе. Таким образом, в реальном кристалле, кроме обусловленных термодинамическими причинами тепловых дефектов, имеются необратимые нарушения, связанные с историей образования данного образца, так называемые биографические дефекты. Поскольку нарушения решетки приводят к энергетической неравноценности отдельных элементов кристалла, наличие этих нарушений облегчает образование и дополнительного количества тепловых дефектов, число которых может быть значительно больше, чем в идеальном кристалле. Отклонения от свойств идеального кристалла могут быть обнаружены и экспериментально. Так, сухие кристаллы поваренной соли разрушаются при натяжениях порядка 4 кГ/см , в то время как теоретический расчет дает величину порядка 200 кГ1см . Если же эксперимент проводить с кристаллом, погруженным в насыщенный раствор соли, т, е, в условиях, когда возможно залечивание микродефектов, опытная нагрузка приближается к теоретической. Изучение интенсивности отражения от кристалла рентгеновских лучей (Ч, Г. Дарвин) показало, что многие кристаллические тела состоят из совокупности микрокристаллов, повернутых друг к другу под различными углами. При этом было установлено, что для большинства кристаллических тел линейный размер отдельных блоков равен 10 -ь10- см. Такой же результат был получен и при исследовании лауэграмм механически деформируемых кристаллов (А. Ф. Иоффе). Объемная блочная [c.340]

Прямое подтверждение этого теоретического вывода на опыте стало возможным лищь после 1912 г., когда выяснилось, что рентгеновские лучи отклоняются при прохождении сквозь кристалл, причем характер отклонения [c.107]

Существует три вида излучений, испускаемых радиоактивными веществами. Они различаются по степени проникновения в твердые вещества или газы и по поведению в магнитнол и электрическом полях. Во-первых, этоа-лучи, которые легко поглощаются топкой металлической фольгой и слоем воздуха в несколько сантиметров. Эти лучи отклоняются в сильных магнитных и электрических полях, причем отклонение по своей величине мало по сравнению с тем отклонением, которое наблюдается для катодных лучей в полях той же силы. а-Лучи состоят из двухзарядных атомов гелия, движущихся со скоростью, примерно в 15 раз меньшей скорости света. Во-вторых, это 3-лучи, обладающие более высокой проникающей способностью и совпадающие во всех отношениях, кроме скорости, с катодными лучами. Эти лучи представляют собой поток электронов. Третий вид излучения — это наиболее сильно проникающие у-лучи они не отклоняются магнитными или электрическими нолями. у-Лучи представляют собой электромагнитное излучение, аналогичное обычному свету или рентгеновским лучам, но с большими частотами — это ультрарентгеновские лучи. Обычно р- и у-излучения появляются вместе. [c.201]

При облучении монокристалла рентгеновскими лучами происходит их рассеивание (отражение) электронами атомов. Отклоненные (дифракционные) лучи регистрируются на фотопленке в виде совокупности пятен с различной степенью почернения, характеризующей интенсивность лучей. Так возникает р е н т г е-н о г р а м м а. На основании измере41ий интенсивности пятен и расстояний между ними строят карты электронной плотности молекулы, в которых точки с одинаковой электронной плотностью соединены непрерывной линией. На основе карт [c.511]

Такая интерпретация структуры аморфных твердых тел подтверждается рентгеновским анализом. Явление отклонения световых лучей при прохождении через так называемые диффракционнгле решетки давно известно. Пучок лучей видимого света, проходя через стеклянную нластинк ", на которую нанесено большое число параллельных линий, отклоняется от своего направления па угол, длина которого зависит от расстояния между линиями и от длины световой волны. Изучение этого явления привело к выводу, что эффект диффракции зависит от четырех факторов во-первых, свет доля ен проходить через среду, перемежающиеся зоны которой сильно отличаются но их способности к пропусканию света далее, эти зоны должны быть приблизительно параллельны, находиться приблизительно на равном расстоянии друг от друга, и это расстояние но порядку величины должно соответствовать длине волны данного светового луча. Если принять во внимание правильное расположение атомов в кристалле, то станет ясно, что последние представляют собой ряд диффракционных решеток, расположенных одна позади другой. Здесь, конечно, правильность расположения гораздо больше, чем в любой решетке, нанесенной на поверхность стекла. Поэтому можно ожидать, что такой кристалл и будет действовать как решетка, если удастся найти световые лучи с соответствующей длиной волны, много меньшей, чем длины волн видимого света. Этому требованию вполне отвечают рентгеновские лучи в определенной области длины их волн. Применение этих лучей создает возможность количественного определения расположения атомов в структуре кристаллов. [c.280]

Степень инактивации в некоторых случаях не является независимой от концентрации субстрата [уравнение (26 а)] даже при допущении, что инактивированные молекулы служат самозащитой для субстрата. Дейл, Грей и Мередит [44] нашли, что Язт/Зо [см. уравнение (47)] при инактивации карбоксипептидазы рентгеновскими лучами остается постоянным в широком пределе значений 5п от 0,12 до 0,0001 г/г раствора при дальнейшем падении концентрации фермента ниже 1 10 г азт/ о заметно возрастает, Данные Дейла с сотрудниками [44] представлены на рис. 45. Величина Р.гт/Зд остается постоянной в широких пределах значений 5о, что является замечательным подтверждением теории косвенного действия. Отклонения при очень низких концентрациях, вероятно, могут быть приписаны рекомбинации радикалов растворителя [см. уравнение (32)]. Уменьшение числа радикалов в этом случае, по-видимому, увеличивает дозу облучения, необходимую для инактивации. [c.242]

Модель твердого раствора не дает удовлетворительного объяснения тому основному экспериментальному факту, что расхождение между потенциалами заряда и разряда по существу не зависит от скорости (эффект гистерезиса [89, 90]). Это свойство нельзя объяснить кинетической теорией реакций переноса заряда, согласно которой скорость процесса в любом направлении при наложении потенциала нужного знака увеличивается (электрохимическое уравнение Аррениу,-са [101]). Конечно, можно представить, что отклонение от равновесия столь велико, что механизмы прямой и обратной реакции в обычных экспериментальных условиях различны при таком предположении наблюдающиеся закономерности могла бы объяснить более сложная кинетическая схема. Ясно, что данные по дифракции рентгеновских лучей в значительной мере способствуют выяснению истинной природы сложных фазовых пфеходов, которые происходят при заряде и разряде окисных никелевых электродов. [c.465]

Большим периодом обычно называют величину d == XllQ, где Х — длина во.лны, а 20 — угол дифракции, соответствующий максимуму в распределении интенсивности малоуглового рассеяния рентгеновских лучей. Изучение больших периодов, в частности при различных температурах [1], представляет большой интерес, поскольку опо позволяет судить о различиях в степени порядка в структуре полимеров. Мы исследовали изменение большого периода в ориентированных волокнах полиэтилена низкого давления в области темие])атур от комн атной до 116°. Съемки рентгенограмм в больших углах показали, что степень ориентации кристаллитов в волокнах была весь-лш высокой и практически пе менялась после проведения температурных съемок, поскольку волокна в образце находились в натянутом состоянии. Максимальное отклонение осей цепей от оси волокна (рассеяние текстуры) не превышало 10—15°. Ориентированный образец волокон помещался в печку, установленную на малоугловой камере. Температура контролировалась с точностью до 2°. При данной температуре снималась вся кривая малоуглового рассеяния. Остальные условия эксперимента были такими же, как в работах [2, 3]. Съемки кривых рассеяния проводились в течение нескольких пос.тедовательных циклов нагревания и охлаждения одного и того же образца. Измерения повторялись многократно, и результаты хорошо воспроизводились. Кривые распределения интенсивности меридионального малоуглового рефлекса, получен ныо в цикле 1 при повышении температуры до 113°, приведены ira рис. 1, а нри понижении температуры до 20° — на рис. 2. При [c.176]

Андерсон и Эмметт [97], изучившие ряд саж с диаметрами частиц приблизительно от 200 А и более, считают, что ошибка электронно-микроскопического метода в определении поверхности частиц составляет вероятно 10%. Ошибка возникает не только благодаря неточности измерений, но также из-за некоторого отклонения формы частиц от шарообразной и неопределенности в выборе значения плотности. Разрешение на микрофотографиях было, по-видимому, около 30 — 50 А. Близкие характеристики дисперсности ряда саж были получены при помощи электронно-микроскопического и других методов рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами и адсорбционного [98, 99], что свидетельствует в пользу надежности каждого метода. При исследовании степени дисперсности латексов ошибка электронно-микроскопического метода была оценена в +3% [100]. [c.160]

Флюктуации. В 2 и 3 мы врвдели, что исследование рассеяния рентгеновских лучей во многих случаях позволяет найти функцию распределения р(/ ) или функцию радиального распределения плотности Рпл (/ ). Эти функции характеризуют среднее распределение молекул в любом из элементов объема однородной жидкости, находящейся в состоянии термодинамического равновесия. Но знание среднего распределения не может дать полного представления о структуре жидкости. Движение частиц жидкости приводит к ио-стоянному возникновению и нсчезновению отклонений от среднего распределения. [c.136]

Размеры кристаллитов. Для рентгенограмм порошка существенными являются размеры кристаллитов дифракционные линии расширяются из-за малой разрешающей способности мелких кристаллов (ср. с оптической решеткой из нескольких линий, дающей широкий диффузный максимум). Кристаллит действует в случае рентгеновских лучей как трехмерная решетка, и, если его средний размер становится ниже 200 к, ширина линий определяется числом дифрагирующих плоскостей в каждом кристаллите. Так, если имеется тонкая пластинка с N параллельными плоскостями, отстоящими друг от друга на расстояние d, то дифракционные лучи будут Б фазе при условии 2d sin Ь=Хп, где п — целое число. Разность пути между лучами, отраженными от первой и последней плоскостей, равна 2iV isin9, и отклонение 69, требуемое для получения их в фазе, находится из соотношения [c.150]

Механизм ионизации под действием электронов и а-частиц одинаков, однако в случае электронов существенное значение имеют также другие эффегаы. Взаимодействие электронов с веществом обычно делится на два типа а) неупругое рассеяние ионизация и образование рентгеновских лучей) и б) упругое рассеяние (отклонение полями электрона и ядра без потери энергии). Ионизация является наиболее важным видо а взаимодействия с веществом не только для а-излучения, но и для электронов. В пределах [c.23]

При регистрации рентгеновских лучей с помощью ионизационного прибора имеется возможность проследить за изменением интенсивности дифракционного луча при отклонении кристалла от положения, отвечающего условию Брегга — Вульфа. Эта особенность и используется при уточнении юстировки кристалла в дифрактометрах. Монокристальная приставка к дифрактометру УРС-50И позволяет проводить исследование порядным методом по экваториальной схеме. Как было выяснено в гл. ХП1, этот метод требует, чтобы с осью гониометрической головки был совмещен некоторый заданный узловой ряд обратной рещетки. Иначе говоря, кристалл должен быть ориентирован на головке так, чтобы заданная серия узловых сеток его решетки располагалась строго перпендикулярно оси головки. Уточнение юстировки удобнее всего проводить по отражениям от этой серии сеток. [c.428]

В обычных диффракционных установках геометрия такова, что путь рентгеновских лучей постоянный, тогда как путь диффрагированного пучка переменный. Та же относительная геометрия сохраняется и в том случае, если источник рентгеновских лучей и детектор поменять местами. Эта последняя схема с добавлением монохроматического кристалла на пути диффрагированного пучка была принята для диффракционной установки горячей лаборатории. Упомянутый кристалл, установленный под соответствующим брэгговским углом, служит для вторичного отклонения монохроматических рентгеновских лучей, испускаемых рентгеновской трубкой. Поскольку лишь ничтожная часть общей радиации активного образца имеет энергию, отличную от энергии рентгеновских лучей, то кристалл действует как дискриминатор , и поэтому регистрируется только диффракционная картина образца. Между образцом [c.164]

Смотреть страницы где упоминается термин Рентгеновских лучей отклонение: [c.140] [c.131] [c.89] [c.143] [c.116] [c.132] [c.70] [c.42] [c.116] [c.132] [c.32] [c.70] [c.14] [c.420] [c.119] [c.234] [c.234] [c.65] [c.309] [c.300] [c.585] [c.167]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология