Дефекты атомные энергия активации

Кейер и Чижикова [71 ] исследовали окисление окиси углерода на окиси цинка, па окиси ципка, содержащей от 0,5 до 1,2% атомн. лития, и на окиси цинка с 1 % атомн. галлия. Они нашли, что 1) присутствие лития повышает энергию активации электропроводности окиси цинка, 2) адсорбция кислорода понижает электропроводность за счет уменьшения концентрации электронов, 3) примесь лития тормозит адсорбцию окиси углерода и ее окисление на ZnO и 4) энергия активации окисления окиси углерода повышается при прибавлении лития, но остается неизменной при прибавлении галлия. Отсюда был сделан вывод, что механизмы окисления на ZnO и NiO сходны. Литий изменяет электронно-обменные свойства ионов цинка, связанные с наличием дефектов в ZnO и, таким образом, в значительной степени понижает концентрацию свободных электронов. Полученные данные объясняются влиянием примесей, о которых упоминалось ранее. Адсорбция кислорода не определяет скорость. Тем не менее она в значительной степени влияет на стадию, которая определяет скорость окисления. Такой стадией может быть либо адсорбция СО, либо взаимодействие адсорбированного кислорода с окисью углерода из газовой фазы. В последнем случае повышение энергии активации реакции с концентрацией лития приводит к понижению скорости реакции. [c.335]

Наконец, перемещение сложного точечного дефекта бывает многоступенчатым. Тогда полная энергия активации миграции дефекта должна быть согласована с энергиями активации отдельных ступеней механизма диффузии. Можно представить себе несколько атомных механизмов скачка, переводящего дефект из одного положения в другое. Обратим внимание на типичные механизмы. Наиболее прост механизм миграции вакансии. Элементарным скачком служит в этом случае переход атома в соседнюю вакансию (рис. 66). В результате скачка атом и вакансия просто обмениваются местами. [c.197]

Рассмотрим на обсуждавшихся конкретных примерах эффект частичного равновесия. Будем считать, что вакансии Ум — однократно ионизированные акцепторы (рис. Х.2 и Х.З). Если кристаллы, приготовленные при различных температурах, быстро охладить, то концентрация атомных дефектов может сохраниться при условии, что атомы не мигрируют. Поскольку миграция требует сравнительно высокой энергии активации, то заморозить ее можно. Однако движению электронов и дырок охлаждение не препятствует, поэтому электронные равновесия поддерживаются. При достаточно низкой температуре (Т ж 0) все собственные электроны и дырки рекомбинируют, а оставшиеся дырки захватываются Ум-центрами, которые и превращаются в Ум-центры. В соответствии с условием электронейтральности [c.248]

Рассмотрим сначала атомные дефекты. Образование и исчезновение этих дефектов связано с миграцией атомов. Как правило, такие процессы имеют весьма высокую энергию активации. Охлаждение замедляет эти процессы, хотя и не всегда в достаточной степени, чтобы полностью заморозить высокотемпературное состояние. При данной скорости охлаждения эффективность [c.339]

Особое значение приобретают при механическом инициировании распада карбоцепных полимеров (в отличие от термического распада) реакции с участием слабых связей [75]. Дефекты атомных размеров -гетероатомы в основной цепи полимера, кислородсодержащие группировки, разветвления - играют опре-деляю цую роль в разрыве полимерных цепей и зарождении субмикроскопических дефектов сплошности именно точечные дефекты атомных размеров обусловливают снижение энергии активации разрушения эластомеров по сравнению с энергиями диссоциации химических связей полимерных цепей. [c.76]

На этой основе представление об участии активированных комплексов в процессе реакционной диффузии позволяет объяснить случаи аномально низких значений кажущейся энергии активации. В то же время это представление дает объяснение аномалиям заторможенности роста толщины одного из слоев многофазной окалины при продолжающемся росте окалины в целом. Можно полагать, что такой слой в начальной стадии процесса растет с большей скоростью, обусловленной участием активированных комплексов, пока не достигается определенная толщина, на протяжении которой движущиеся комплексы полностью распадаются на автономные точечные дефекты. После этого дальнейший процесс лимитируется диффузией последних. Резкое замедление роста слоя при этом обусловлено существенно меньшей скоростью переноса вещества отдельными точечными дефектами сравнительно с активированными комплексами. Медленное наращивание слоя на одной из его сторон успевает практически полностью расходоваться на реакцию перестройки в ближайшую по составу фазу, т. е. на наращивание соседнего слоя. Следует отметить, что наблюдаемая обычно в таких случаях предельная толщина имеет вполне макроскопический характер и явление не может сводиться к эффектам атомно-микроскопического порядка, формирующим тончайшие окисные пленки типа пленок пассивности, запорных слоев и т. п. [c.10]

В формуле (292) II — энергия активации процесса разрушения, у — коэффициент (показатель концентрации напряжений), Т — температура. Величина То (То 10 с) оказалась практически одинаковой для любых твердых тел и их состояний. Энергия и сохраняется постоянной для данного вещества при любом воздействии (отжиге, механической обработке, легировании, облучении и т. д.). В отличие от Тц и 17о коэффициент у легко изменяется в зависимости от обработки тела. Член 70 выражает ту работу, которую в разрушении тела выполняет внешняя сила (напряжение о). Остальную часть работы, т. е. и — "уа, выполняют тепловые флуктуации. Из того факта, что при различных обработках данного вещества величина и остается постоянной, а изменяется лишь коэффициент 7, следует важное заключение межатомное воздействие, определяемое ближним порядком в расположении атомов, не меняется при варьировании состояния вещества. Меняется, следовательно, не атомное строение тела, а надатомное (субатомное), т, е. происходят изменения взаимодействия, формы и величины областей с размерами в десятки—сотни атомных. Наличие такой субатомной структуры или дефектов определяет локальные напряжения в теле, а изменение данной структуры ведет к изменению уровня перенапряжения (к изменению 7). [c.183]

Из уравнения следует, что при разрушении меняется не атомное строение тела, а надатомное (субатомное)—наличие субатомной структуры или дефектов определяют локальные перенапряжения. По Журкову, внешняя нагрузка вызывает напряжения межатомных связей и снижение величины энергии активации разрыва связей, причем в результате неоднородности строения на субатомном уровне нагрузка распределяется по связям, неравномерно и возникают локальные перенапряжения. В этих местах энергия активации разрыва межатомных связей снижается наиболее сильно и происходит интенсивный термофлуктуационный разрыв напряженных связей — формируются очаги разрушения, развитие которых приводит к разрушению. [c.142]

Известно [1,2], что в процессе интенсивной механической обработки наступает момент, когда разрушение прекращается, а изменения внутренних (структурных и термодинамических) характеристик может продолжаться. При этом механическая энергия ударного воздействия расходуется, наряду с нагревом и фрактоэмиссией, и на образование в твердом веществе дефектов. Именно создание условий, благоприятствующих аккумуляции энергии в виде структурных нарушений, определяет эффективность механической активации. Ниже приводится механизм передачи энергии при обработке твердого вещества в дезинтеграторе и устанавливается связь скорости соударений с атомными и геометрическими параметрами исследуемого вещества. [c.16]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология